CeYAG單晶復(fù)合紅色熒光粉的制備及其在白光LED上的應(yīng)用，采用提拉法生長(zhǎng)了CeYAG單晶，并以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度的變化對(duì)其色坐標(biāo)，亮度，發(fā)光效率和色溫的影響.由于460nm藍(lán)光芯片激發(fā)的CeYAG單晶白光LED缺少紅光成分，采用流延法將紅色熒光粉CaAlSiN_3:Eu~(2+)涂覆在CeYAG單晶襯底上制備白光LED.制備的白光LED色度隨紅粉含量的變化由冷白光逐漸向暖白光區(qū)域移動(dòng)，色溫逐漸降低，顯色指數(shù)上升。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間。山東進(jìn)口CeYAG晶體哪家好

以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度及驅(qū)動(dòng)電壓的變化對(duì)其發(fā)射光譜、色坐標(biāo)、亮度、光視效能和色溫的影響。研究結(jié)果表明，在基于CeYAG單晶的白光LED中，發(fā)射光的色坐標(biāo)以及藍(lán)光與黃綠光之間的相對(duì)強(qiáng)度可通過(guò)對(duì)CeYAG單晶片厚度的改變進(jìn)行調(diào)整。在恒定電壓驅(qū)動(dòng)下，白光LED樣品的亮度、光視效能和色溫均隨單晶片厚度的減小而增加。當(dāng)CeYAG單晶厚度為0.6 mm時(shí)，可獲得較純的白發(fā)射光，并且其色坐標(biāo)具有較高的可靠性和穩(wěn)定性，基本不受驅(qū)動(dòng)電壓變化的影響。研究結(jié)果表明CeYAG單晶是一種可用于新型白光LED的理想熒光材料。重慶雙摻CeYAG晶體CeYAG晶體能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。

Ce:YAG閃爍晶體的主要應(yīng)用在哪里？CeYAG晶體可以用于核天文學(xué)、核空間物理學(xué)、核考古學(xué)、核地質(zhì)學(xué)以及核測(cè)量學(xué)等領(lǐng)域中？在大多數(shù)無(wú)機(jī)閃爍晶體中，經(jīng)常顯示兩個(gè)或更多的光衰減時(shí)間常數(shù)，它們分別對(duì)應(yīng)于快成分和慢成分。BaF2晶體是目前所有無(wú)機(jī)閃爍晶體中光衰減常數(shù)0快(約0.8ns)的閃爍材料。此外，BaF2還具有約600毫微秒的慢分量。在許多閃爍計(jì)數(shù)應(yīng)用中，不只無(wú)機(jī)閃爍晶體的光衰減性能特別重要，其光輸出性能也同樣重要。因此，品質(zhì)因數(shù)(M)通常用于表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的性能，M指光輸出與光衰減的比率。

ce : YAG晶體的閃爍特性及其應(yīng)用。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測(cè)器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測(cè)等核物理實(shí)驗(yàn)。此外，Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快，在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。CeYAG晶體發(fā)光中心波長(zhǎng)為550nm，可以與硅光二極管等探測(cè)設(shè)備有效耦合。

電子-空穴對(duì)的數(shù)量直接決定了無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。假設(shè)產(chǎn)生一對(duì)電子-空穴對(duì)所需的平均能量為eh，光子的能量E全部被閃爍晶體吸收，那么無(wú)機(jī)閃爍晶體形成的電子-空穴對(duì)的數(shù)目Neh可以由下式表示Neh=Er/ξeh=Er/βEg 當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí)，晶體中電子空穴對(duì)Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān))，可以得出：無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能，采用溫梯法制備。河南人工CeYAG晶體材料

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對(duì)稱(chēng)性取代Y3位。山東進(jìn)口CeYAG晶體哪家好

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長(zhǎng)方法主要為提拉法和溫梯法。近年來(lái), Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)也備受人們的關(guān)注.為了填補(bǔ)我國(guó)在高溫閃爍晶體研究領(lǐng)域的空白，本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對(duì)象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問(wèn)題及其發(fā)展趨勢(shì)，重點(diǎn)開(kāi)展了提拉法與溫梯法生長(zhǎng)Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。山東進(jìn)口CeYAG晶體哪家好

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