哪里可以買到CeYAP晶體？需要說明的是：(1)透鏡的作用是便于調(diào)節(jié)，使得激光光斑和閃爍體尺寸相適應(yīng)，激光能夠比較均勻地輻照到晶體上；(2)要避免激光透過晶體直接打到光電管光陰極上，以防止損傷光電管和記錄示波器；(3)為了避免激光經(jīng)閃爍體散射而打到光電管光陰極上，之前加濾鏡是為了將波長較短的散射激光(266nm)濾掉，同時讓波長相對長的閃爍晶體的激發(fā)熒光通過；(4)整個實驗需要在暗室中進(jìn)行。數(shù)據(jù)分析方法與 X 射線激發(fā)熒光壽命相似。 Ce:YAP晶體中Ce3離子5d4f躍遷對應(yīng)的熒光光譜為330 ~ 400nm之間的一個帶，其峰值約為365 ~ 370nm。CeYAP高溫閃爍晶體具有優(yōu)異的閃爍性能和獨特的物理化學(xué)性質(zhì)。北京大尺寸CeYAP晶體材料
CeYAG晶體應(yīng)該如何退火？研究了Ce:YAP晶體的自吸收機(jī)制。在實際應(yīng)用中，國產(chǎn)Ce: YAP晶體存在嚴(yán)重的自吸收問題，直接影響晶體的發(fā)光效率。比較了鈰離子濃度、退火、輻照和雜質(zhì)對鈰： YAP晶體自吸收的影響。通過分析Ce: YAP晶體的自吸收機(jī)制，發(fā)現(xiàn)在YAP中存在一個Ce4離子的寬帶電荷轉(zhuǎn)移吸收峰，其半峰全寬接近100納米。結(jié)果表明，還原Ce4離子可以被Ce: YAP晶體的自吸收，Ce4離子可以明顯猝滅Ce3離子的發(fā)光。 不同氣氛生長Ce:YAP晶體透過和熒光譜有什么不同？北京大尺寸CeYAP晶體材料CeYAP作為一種高溫閃爍晶體，具有良好的機(jī)械加工性能。
Ce:YAP晶體生長原料需要哪些？無機(jī)閃爍晶體在將高能射線或粒子轉(zhuǎn)化為低能光子的過程中，會發(fā)生一系列微觀過程，如一級和二級電離和激發(fā)、電子-空穴、光子和激子的遷移、電子與電子、電子與聲子(矩陣)之間的弛豫、電子-空穴對的俘獲、電子-空穴對與熒光中心之間的能量轉(zhuǎn)移等。當(dāng)經(jīng)歷電離事件時，閃爍體處于從非平衡狀態(tài)到平衡狀態(tài)的弛豫過程中。大量的熱化電子空穴對和這些電子產(chǎn)生的相當(dāng)一部分低能激子0終會轉(zhuǎn)化為發(fā)射光子，從高能輻射到紫外或可見光光子的過程就是閃爍過程。
閃爍材料的發(fā)展歷史可以大致分為幾個階段？Ce: YAP晶體的紅外光譜在4.9 um、4.0 um、3.7 um和3.1 um處有吸收帶，這可歸因于Ce3離子從2F5/2躍遷到2 F7/2。紫外-可見吸收光譜在303 nm、290 nm、275 nm、238 nm處有吸收峰，這可歸因于Ce3離子從2F5/2能級躍遷到5d能級。Ce: YAP晶體的d-f躍遷為寬帶發(fā)射，峰值在365 nm。Ce 3的光致發(fā)光強(qiáng)度呈單指數(shù)形式衰減，室溫下其衰減常數(shù)約為16-18ns。由于YAP矩陣中的各種缺陷能級都能俘獲電荷載流子，高能射線和粒子激發(fā)產(chǎn)生的閃爍光衰減常數(shù)遠(yuǎn)大于18ns，一般在22-38 ns之間，也有慢分量和強(qiáng)背景。1.5.2鈰：釔鋁石榴石高溫閃爍晶體的研究從光學(xué)上說，YAP是一種負(fù)雙軸晶體。我們生長的Ce: YAP 在350nm到500nm范圍內(nèi)不存在額外吸收峰。
康普頓閃射過程中，電子與X射線或者其他高能射線發(fā)生彈性散射，使高能射線波長變長，是吸收輻射能的主要方式之一。在康普頓效應(yīng)中，單個光子與與單個自由電子或者束縛電子相碰撞，在碰撞中光子把部分能量和動量傳遞給電子，使之受到反沖 Ce:YAP閃爍晶體的性能如何？有觀點認(rèn)為YAP晶體的本征紫外發(fā)光中心與反位缺陷YAl3+有關(guān)，自20世紀(jì)80年代末和90年代初以來，國內(nèi)外對摻雜鈰離子的無機(jī)閃爍體進(jìn)行了大量的研究和探索，涉及的閃爍體包括從氟化合物和溴化物到氧化物和硫化物的無機(jī)閃爍體。分析CeYAP晶體的自吸收機(jī)制，發(fā)現(xiàn)Ce4離子有一個電荷轉(zhuǎn)移吸收峰，其半峰全寬接近100納米。北京大尺寸CeYAP晶體材料
CeYAP晶體具有良好的物化性能，是無機(jī)閃爍晶體中較有優(yōu)勢的晶體。北京大尺寸CeYAP晶體材料
過渡金屬離子摻雜對YAP晶體透射邊緣的影響，由于過渡金屬離子D層具有更多的電子能級，容易受到晶場的影響，因此YAP晶體中可能存在更多的吸收帶。為了了解過渡金屬摻雜對Ce: YAP自吸收的可能影響，我們比較了摻雜過渡金屬如銅(0.5%)、鐵(0.5%)和錳(0.5%)的純YAP晶體的透射光譜。從圖4-11可以看出，Mn摻雜的yap在480nm處有明顯的吸收峰，而Cu摻雜的YAP在370nm左右有吸收峰，F(xiàn)e摻雜的YAP將在下一節(jié)討論。我們生長的Ce: YAP在350nm ~ 500nm范圍內(nèi)沒有額外的吸收峰，少量過渡金屬離子的存在只會對吸收產(chǎn)生線性疊加效應(yīng)，低濃度吸收不足以引起Ce: YAP晶體的自吸收，因此過渡金屬離子污染不太可能引起Ce3360Yap吸收帶紅移。同時，GDMS分析結(jié)果還表明，我們生長的Ce: YAP晶體中過渡金屬的含量小于10ppm，對晶體發(fā)光的影響可以忽略不計。北京大尺寸CeYAP晶體材料
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