深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機閃爍晶體。無機閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過程包括從熱化電子-空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心，其能量轉(zhuǎn)移效率高；相反，能量傳遞效率低。這種情況下，電子和空穴往往被晶體中的雜質(zhì)或晶格缺陷俘獲，形成各種F-H色心對。同時，電子-空穴對在與晶格相互作用時也會產(chǎn)生自陷，比如離子閃爍晶體中經(jīng)常出現(xiàn)的Vk中心，這個Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機制中起著重要作用。Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快。上海雙折射CeYAG晶體制造

一種藍光半導(dǎo)體激光器激發(fā)CeYAG晶體的激光照明系統(tǒng)，包括藍光半導(dǎo)體激光器，光學(xué)耦合透鏡組，光纖，CeYAG晶體模塊，光學(xué)透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上.其中N個(N≥1)藍光半導(dǎo)體激光器經(jīng)過光學(xué)耦合透鏡組的準(zhǔn)直和聚焦，耦合進光纖，多根光纖可以進行捆綁合束，也可以進行熔融拉錐合束，從光纖出來的藍光半導(dǎo)體激光激發(fā)具有高激光損傷閾值的CeYAG晶體模塊，產(chǎn)生490～700nm波段的熒光(即受激發(fā)熒光)，并通過對CeYAG晶體模塊的光學(xué)設(shè)計達到對透射的藍色激光和受激發(fā)熒光的勻化，光學(xué)透鏡組對CeYAG晶體模塊勻化后的光線進行配光曲線的調(diào)節(jié)，從而產(chǎn)生用于照明領(lǐng)域的均勻白光。吉林品質(zhì)CeYAG晶體批發(fā)廠家Ce:YAG晶體的發(fā)射峰的中心波長約為550nm嗎？

CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能，采用溫梯法生長了CeYAG晶體和真空燒結(jié)法制備了CeYAG透明陶瓷，并對晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能進行了對比研究.CeYAG晶體和陶瓷都具有位于230，340和460nm波段的Ce3+離子的特征吸收帶和540nm附近的發(fā)射峰，但CeYAG晶體同時存在296和370nm的色心吸收，其發(fā)射峰位于398nm，而透明陶瓷中不存在.CeYAG晶體和陶瓷的X射線熒光中均存在520nm附近的Ce3+離子發(fā)射，但晶體中還存在由反格位缺陷引起的300nm的發(fā)射.CeYAG晶體和陶瓷的光產(chǎn)額分別為16800和9800photons/MeV，納秒燈激發(fā)下的熒光壽命分別為61.9和62.97ns.CeYAG晶體與陶瓷相比，具有高的光產(chǎn)額和快的熒光衰減特性。

Ce:YAG無機閃爍晶體的性能表征有哪些？顯然，以NaI:Tl和BGO為表示的傳統(tǒng)無機閃爍晶體已經(jīng)不能滿足閃爍晶體在許多應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ω吖廨敵龅目焖偎p要求(前一節(jié)1.2.1.1描述的三個要求)。而且，隨著閃爍探測器技術(shù)的快速發(fā)展，傳統(tǒng)無機閃爍晶體的局限性將日益突出。另一方面，市場對高光輸出快速衰減的新型無機閃爍晶體的需求將變得日益迫切。例如，為了提高PET探測器的時空分辨率，新一代PET探測器往往要求無機閃爍晶體具有更大的光輸出、更快的衰減常數(shù)(小于100ns)和更高的密度(大于7g/cm3) [41]。從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。

CeYAG晶體的良好的溫度機械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。在電子或者離子轟擊下CeYAG晶體不產(chǎn)生損傷，適合應(yīng)用于高電流環(huán)境。CeYAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右，很適合使用S20光電倍增管進行發(fā)射探測。在5KV之內(nèi)以及超過100KV的更高加速電壓下，CeYAG晶體具有更好的響應(yīng)，在該環(huán)境下粉末閃爍體性能開始下降，而CeYAG晶體的相應(yīng)仍然保持線性增加。盡管CeYAG晶體的信號比P47弱，但是信噪比高，終端信號更好。CeYAG晶體的衰減時間為60ns。使用中為了避免光敏感，通常需要鍍50nm的鋁膜。CeYAG晶體，提拉法和溫梯法生長，直徑110mm，厚度0.15-150mm。CeYAG晶體的良好的溫度機械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。湖南進口CeYAG晶體廠家直銷

Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。上海雙折射CeYAG晶體制造

CeYAG晶體色心和缺陷的伽馬射線輻照研究，利用伽瑪射線研究了Ce3+:Y3AlO12晶體的輻照色心缺陷，比較了采用提拉法和溫梯法生長的Ce3+Y0Al5O12晶體中產(chǎn)生的不同色心缺陷，并利用吸收光譜，激發(fā)發(fā)射光譜和退火等方法分析了晶體中235nm和370nm色心吸收帶的形成原因，指出晶體中的235nm吸收帶由F+色心引起.進一步分析了YAG晶體的輻照，證實了370nm色心的來源，表明370nm吸收帶與F-類色心相關(guān)。一直到1992年，Ce:YAG晶體才被提出用作閃爍材料而引起人們的興趣。接著，Moszynski和Ludziejewski等人分別于1994年和1997年對Ce:YAG晶體的閃爍性能進行了較為系統(tǒng)的研究，并指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)良的閃爍性能。 上海雙折射CeYAG晶體制造

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