隨著人們對(duì)閃爍晶體材料進(jìn)一步深入的研究和科技的發(fā)展，閃爍晶體材料一般可用于X射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測(cè)。經(jīng)過(guò)100多年的發(fā)展，以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測(cè)和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學(xué)、高能物理、安全檢查、工業(yè)無(wú)損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應(yīng)用。閃爍晶體可以發(fā)出透明的熒光，在高能射線或其他放射性粒子通過(guò)時(shí)，會(huì)發(fā)出閃爍光，該種材料可以應(yīng)用在射線、中子、高能粒子的探測(cè)中，經(jīng)過(guò)了百年的發(fā)展，閃爍晶體材料已經(jīng)在安全檢查、高能物理、核醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域得到推廣。無(wú)機(jī)閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉(zhuǎn)化為紫外光或可見(jiàn)光的晶體能量轉(zhuǎn)換器。上海新型CeYAG晶體批發(fā)

你對(duì)CeYAG晶體了解多少呢？和小編一起來(lái)看看吧，CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，除了高能射線探測(cè)成像應(yīng)用外，在高能物理與核物理實(shí)驗(yàn)、安檢、醫(yī)療等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。CeYAG晶體是立方結(jié)構(gòu)，并且很容易制造出透明的對(duì) 稱性很好的該晶體，非常適合用于白光LED的制造。CeYAG單晶制備工藝復(fù)雜，難以制備大尺寸，高摻雜濃度等缺點(diǎn)，限制了其應(yīng)用。由于YAG具有立方相晶體結(jié)構(gòu)，具有光學(xué)均勻性，無(wú)雙折射效應(yīng)等特征。再是晶體狀態(tài)，這表明光纖拉制過(guò)程中芯棒與套管之間存在擴(kuò)散現(xiàn)象.光纖在314nm光泵浦的情況下，產(chǎn)生約67nm(FWHM)光譜寬度的熒光輻射。上海專業(yè)CeYAG晶體生產(chǎn)CeYAG晶體還用作陰極射線管的熒光體。

一種生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法技術(shù)，坩堝下降法生長(zhǎng)CeYAG單晶熒光材料的方法。該晶體化學(xué)式為：(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12；0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05；其中A為L(zhǎng)u、Tb、Pr、La、Gd中的一種；B為Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一種。晶體生長(zhǎng)爐溫范圍1900～2000℃，坩堝下降方向固液界面的溫度梯度為10～50℃/cm，坩堝下降速率為0.1～5mm/h，籽晶可采用等方向，坩堝直徑為30～120mm，高度為50～200mm。本發(fā)明專利技術(shù)采用坩堝下降法具有操作簡(jiǎn)單，成本低，生長(zhǎng)的CeYAG晶體體積大、內(nèi)部缺陷少、摻雜濃度高等優(yōu)點(diǎn)。

光衰減常數(shù)是表征閃爍晶體光衰減的物理量，是表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的重要物理量。幾乎所有的閃爍計(jì)數(shù)應(yīng)用都要求無(wú)機(jī)閃爍晶體具有快速的光衰減常數(shù)。根據(jù)熒光理論，電偶極子躍遷幾率(Wr)的倒數(shù)為光衰減時(shí)間，其中c是光速，me是電子的質(zhì)量，e是電子的電荷，f是振子強(qiáng)度，n是材料的折射率，是躍遷的光波長(zhǎng)。從上面的公式可以推斷出發(fā)射短波長(zhǎng)閃爍光的晶體具有很小的光衰減常數(shù)。此外，雜質(zhì)或熱猝滅可以縮短晶體的光衰減，但這也會(huì)降低晶體的光輸出。如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動(dòng)，發(fā)射波長(zhǎng)為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。

CeYAG晶體的良好的溫度機(jī)械性能有利于制備出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。在電子或者離子轟擊下CeYAG晶體不產(chǎn)生損傷，適合應(yīng)用于高電流環(huán)境。CeYAG晶體的發(fā)光峰位置位于560nm左右，很適合使用S20光電倍增管進(jìn)行發(fā)射探測(cè)。在5KV之內(nèi)以及超過(guò)100KV的更高加速電壓下，CeYAG晶體具有更好的響應(yīng)，在該環(huán)境下粉末閃爍體性能開(kāi)始下降，而CeYAG晶體的相應(yīng)仍然保持線性增加。盡管CeYAG晶體的信號(hào)比P47弱，但是信噪比高，終端信號(hào)更好。CeYAG晶體的衰減時(shí)間為60ns。使用中為了避免光敏感，通常需要鍍50nm的鋁膜。CeYAG晶體，提拉法和溫梯法生長(zhǎng)，直徑110mm，厚度0.15-150mm。CeYAG晶體的閃爍特性及其應(yīng)用。甘肅CeYAG晶體型號(hào)

閃爍晶體是在高能射線的前提下形成的。上海新型CeYAG晶體批發(fā)

Ce:YAG閃爍晶體的主要應(yīng)用在哪里？高溫閃爍晶體今后的發(fā)展趨勢(shì)主要包括以下幾個(gè)方面：1、尋求優(yōu)化的高溫閃爍晶體生長(zhǎng)方法以及工藝技術(shù)。目前，多數(shù)高溫閃爍晶體主要是通過(guò)提拉法生長(zhǎng)的，探索改進(jìn)的提拉法或其它的工程化生長(zhǎng)工藝技術(shù)對(duì)研究開(kāi)發(fā)高溫閃爍晶體具有十分重要的意義。2、開(kāi)展多摻雜以及探索新型發(fā)光離子的高溫閃爍晶體也會(huì)逐步受到人們的重視。隨著探測(cè)器件的小型化多功能化的迅猛發(fā)展，具有多種探測(cè)功能的復(fù)合閃爍探測(cè)單晶材料將會(huì)成為一個(gè)研究熱點(diǎn)。另外，探索其它發(fā)光中心離子的閃爍性能也將會(huì)逐步引起人們的關(guān)注，特別對(duì)能與現(xiàn)有的探測(cè)設(shè)備耦合匹配，容易摻雜等激發(fā)離子的研究。上海新型CeYAG晶體批發(fā)

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