YbYAG晶體主要特點：簡單的電子結構排除了激發(fā)態(tài)吸收和各種有害的猝滅過程。940 nm寬吸收帶2F5/2鐿能級的壽命。低量子缺陷。可根據(jù)要求提供定制。YbYAG晶體主要應用：材料加工，微加工，焊接，切割。高功率薄盤激光器。YbYAG晶體技術特性：吸收峰波長942nm。峰值吸收截面7，7×10-21厘米2。峰值吸收帶寬18nm。激光波長1030nm。壽命2F5/2鐿能級950μs。發(fā)射截面@1030nm 2，1×10-20厘米2。折射率@632，8nm 1，83。晶體結構立方體。由于晶體中含有Yb2+，使晶格發(fā)生畸變，不但使晶格缺陷大量增加，而且也對Yb3+的能級結構造成不利影響。導致了370nm和625nm處存在吸收波段和Re-F色心的形成。摻鐿釔鋁石榴石晶體是適合高平均功率和高光束質(zhì)量發(fā)射的激光材料。青海溫梯法生長YbYAG晶體作用

YbYAG晶體或摻鐿釔鋁石榴石晶體更適合激光二極管泵浦激光系統(tǒng)，YbYAG晶體或摻鐿釔鋁石榴石可輸出0.94 μm激光，與傳統(tǒng)的NdYAG晶體相比，YbYAG晶體或摻鐿釔鋁石榴石具有更大的吸收帶寬，更長的壽命，3-4倍更低的單位泵浦功率熱負荷。YbYAG晶體不適合傳統(tǒng)的摻釹激光系統(tǒng)的泵浦結構。YbYAG晶體或摻鐿釔鋁石榴石在高功率半導體泵浦激光器領域，被人們認為是取代NdYAG 晶體的較佳選擇。以上就是關于YbYAG晶體的介紹，希望以上的一些相關的介紹能夠對你有一些幫助。青海溫梯法生長YbYAG晶體作用YbYAG晶體是一種發(fā)展前景巨大的固體激光工作物質(zhì)。

采用無膠鍵合(AFB)技術制備的晶體波導具有良好的模式限制作用。在考慮模式競爭的情況下，對晶體波導的單橫模條件進行計算，得出在芯層材料為原子數(shù)分數(shù)為1%的YbYAG，內(nèi)包層材料為原子數(shù)分數(shù)為0.5%的ErYAG中，芯層和內(nèi)包層的單橫模厚度范圍。計算結果表明芯層厚度上限可以增大為傳統(tǒng)計算結果的1.79倍，為同時實現(xiàn)大模場面積和單橫模輸出提供了理論支持。通過實驗制備出芯層尺寸為320μm×400μm的大芯層尺寸YbYAG晶體波導，并將該晶體波導作為增益介質(zhì)搭建了晶體波導激光器，得到了1030 nm激光輸出，其較高輸出功率為26W，斜率效率為31.5%，此時光束質(zhì)量因子為 Mx2=1。

YbYAG激光晶體雙色熒光現(xiàn)象的研究，yb~(3+)的電子構型只有一個基態(tài)和激發(fā)態(tài)，無激發(fā)態(tài)吸收和上轉換，YAG有優(yōu)良的機械性能，Yb~(3+)離子吸收帶寬，能與InGaAs二極管泵浦源有效的耦合，可以實現(xiàn)高濃度的摻雜，使YbYAG晶體成為一種有前景的晶體。本文的內(nèi)容主要包括以下幾個方面： 1、簡述了LD泵浦的摻Yb~(3+)全固態(tài)激光器的優(yōu)點和發(fā)展現(xiàn)狀。介紹了LD泵浦固體激光器的兩種主要耦合方式：端面泵浦和側面泵浦。 2、詳細討論了YbYAG激光晶體的光學和物理特性。詳細討論了稀土離子的發(fā)光機制。 3、在半導體InGaAs激光激發(fā)YbYAG晶體的熒光中，有一組位于460～494 nm的可見熒光。YbYAG/YAG復合結構微片激光晶體是薄片激光器領域內(nèi)非常優(yōu)良的激光材料。

大尺寸YbYAG激光晶體泡生法制備方法，其步驟包括裝爐，化料，引晶，縮頸，放肩，等徑生長，冷卻和退火.放肩時，晶體的轉速為零，放肩及其以后各階段，晶體都不轉動.把拉速控制在0.05~0.3mm/h范圍內(nèi)，重量增加速率控制在10~250g/h范圍內(nèi)，待晶體直徑長至所需直徑，即完成放肩過程.等徑生長時，調(diào)節(jié)加熱功率，使晶體重量均勻增加，增加速率為250~900g/h，直到重量不再增加為止，此時晶體生長結束.本方法生長的YbYAG晶體，具有尺寸大，缺陷密度低，利用率高，成本低等突出優(yōu)點，能滿足大型高功率激光裝置對大尺寸YbYAG晶體的需求。高摻雜濃度時痕量稀土雜質(zhì)離子的存在也將導致濃度猝滅，確定了YbYAG晶體中Yb3+的理想摻雜濃度。河北品質(zhì)YbYAG晶體加工

YbYAG晶體激光上能級無激發(fā)態(tài)自吸收和上轉換。青海溫梯法生長YbYAG晶體作用

一種YbYAG激光晶體的生長方法，所用的裝置為感應加熱提拉式單晶爐，其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻，置于銥坩堝中，裝爐。單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫。下籽晶生長晶體。晶體生長完畢緩慢降溫至室溫，出爐。其特征在于所述單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫的具體過程包括單晶爐緩慢抽真空至8×10-3MP，充入純氮氣，至0.12MP壓力后開始升溫，至1500℃時觀察爐內(nèi)的壓力，根據(jù)爐內(nèi)的壓力再充入1～5％的氧氣，然后再升溫熔料。這里的關鍵是采用兩步充氣的方法，是基于銥坩堝在1500℃以下的高溫段會與氧氣起強烈的反應，而超過這一溫度反應則會在一定程度上。這樣充氣過程生長的晶體出爐后無色。青海溫梯法生長YbYAG晶體作用

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