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青海生長CeYAP晶體出廠價(jià)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-26

初步分析了鈰:釔鋁石榴石(TGT)閃爍晶體的缺陷及其對(duì)發(fā)光性能和閃爍時(shí)間的影響。從光學(xué)上說,YAP是一種負(fù)雙軸晶體。有Ce離子之間的能量轉(zhuǎn)移過程介紹嗎?在電子-電子弛豫過程中,能量損失可以通過產(chǎn)生F心、H心等點(diǎn)缺陷來進(jìn)行??祀娮右部梢酝ㄟ^在聲子上散射而失去能量,隨著電子能量的降低,電子-聲子相互作用的概率增大。而且產(chǎn)生的二次電子和光子會(huì)從晶體中逸出,造成能量損失。然而,在電子-電子弛豫階段,這些過程中的能量損失相對(duì)于閃爍體中的總能量損失非常小。由于晶體放肩階段屬強(qiáng)迫限制晶體直徑增大的過程,晶體尺寸的變化率比較大。青海生長CeYAP晶體出廠價(jià)

有人計(jì)算過YAP晶體的能帶結(jié)構(gòu)[77,78]。結(jié)果表明,該氧化物晶體的價(jià)帶頂端由未結(jié)合的O2-離子組成,而價(jià)帶he心主要由O2-離子的2S能級(jí)和Y3離子的4P能級(jí)的混合物組成。導(dǎo)帶底部主要由Y3離子的4d和5S軌道組成,而Al3的3d能級(jí)在導(dǎo)帶中占據(jù)較高的能級(jí)位置。YAP晶體的禁帶寬度為7.9 eV,主要由Y-O相互作用決定,而不是Al-O相互作用。文獻(xiàn)[26]中也報(bào)道了YAP晶體的帶隙為8.02 eV。由于YAP晶體結(jié)構(gòu)的各向異性,很難獲得高質(zhì)量的晶體,但由于其廣闊的應(yīng)用前景,人們對(duì)YAP晶體的生長過程做了大量的探索和研究。海南白光LED用CeYAP晶體批發(fā)我國生長的Ce: YAP晶體存在嚴(yán)重的自吸收問題,直接影響晶體的發(fā)光效率。

為了了解過渡金屬摻雜對(duì)Ce: YAP自吸收可能產(chǎn)生的影響,我們對(duì)比了Cu(0.5%), Fe(0.5%),Mn(0.5%) 等過渡金屬摻雜的純YAP晶體的透過譜。由此可見,Mn摻雜YAP在480nm處有明顯吸收峰,Cu 摻雜則在370nm左右存在吸收峰,F(xiàn)e摻雜YAP并將在下節(jié)討論。我們生長的Ce: YAP 在350nm到500nm范圍內(nèi)不存在額外吸收峰,少量過渡金屬離子的存在對(duì)吸收只會(huì)造成線性疊加影響, 且低濃度吸收并不足以造成Ce: YAP晶體的自吸收,因此過渡金屬離子污染造成Ce: YAP吸收帶紅移可能性不大。

Mn離子摻雜對(duì) Ce:YAP晶體有哪些影響?因此,在吸收伽馬量子后的10-10s內(nèi),離子晶體包含大量Vk中心和位于導(dǎo)帶中的自由電子。Vk心臟在閃爍過程中起著重要作用。軸向弛豫也受到價(jià)帶激子和(X22-)*分子中空穴組成的影響。對(duì)于高能激發(fā),直接形成價(jià)帶激子的概率比較低,而囚禁的激子可以通過Vk中心俘獲自由電子形成。那么處于激發(fā)態(tài)的被囚禁的激子可以發(fā)射光子,這就是所謂的激子發(fā)光。這種發(fā)光源于導(dǎo)帶中的電子和Vk中心之間的相互作用,一個(gè)Vke配置的自陷激子。這種發(fā)光具有與由晶體中的光致激發(fā)形成的陰離子激子發(fā)光相同的特征。堿金屬鹵化物晶體的本征激子發(fā)光只在低溫下有效,此時(shí)空穴自陷形成的Vk中心是不動(dòng)的。CeYAP晶體閃爍速度快、光產(chǎn)額高、機(jī)械和化學(xué)性能優(yōu)異。

Ce: YAP晶體的退火,剛出爐的Ce:YAP單晶由于內(nèi)部熱應(yīng)力較大,在加工過程中容易開裂,提拉法生長的晶體明顯,同時(shí)由于鈰離子的價(jià)態(tài)(Ce2、Ce3、Ce4)不同,高溫閃爍晶體中只有三價(jià)鈰離子(Ce3)作為發(fā)光中心,因此不同的退火工藝條件對(duì)高溫閃爍晶體的閃爍性能有重要影響。對(duì)于空氣退火,退火溫度為1000 ~ 1600,恒溫時(shí)間為20 ~ 30小時(shí),1200以下升溫/降溫速率為50 ~ 100,1200時(shí)升溫/降溫速率為30 ~ 50。使用的設(shè)備是硅碳或硅鉬棒馬弗爐流動(dòng)氫退火,退火溫度1200-1600,恒溫時(shí)間20-36小時(shí),1200以下升溫/降溫速率50-100/小時(shí),1200升溫/降溫速率30-50/小時(shí)。晶體生長過程中大的溫度梯度以及快的降溫速率等是CeYAP晶體產(chǎn)生開裂的主要原因。海南白光LED用CeYAP晶體批發(fā)

CeYAP等被認(rèn)為是新一代高性能無機(jī)閃爍晶體。青海生長CeYAP晶體出廠價(jià)

閃爍現(xiàn)象是指粒子束或射線作用于某種物質(zhì)產(chǎn)生的脈沖光。它更重要的特點(diǎn)是發(fā)出的光具有極快的衰減時(shí)間。具有這種性質(zhì)的材料稱為閃爍體或閃爍材料。利用熒光物質(zhì)的發(fā)光現(xiàn)象來記錄核輻射早就開始了。長期以來,閃爍體作為一種非常重要的電磁量熱儀材料,在高能物理、核醫(yī)學(xué)成像、核技術(shù)和工程中得到了普遍的應(yīng)用。自從我們使用閃爍材料探測(cè)輻射以來,已經(jīng)將近一個(gè)世紀(jì)了。在本世紀(jì),一些重要的閃爍材料因其商業(yè)應(yīng)用前景而得到廣泛應(yīng)用,或者因其優(yōu)異的性能而在科學(xué)研究中得到普遍關(guān)注和發(fā)展。青海生長CeYAP晶體出廠價(jià)

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