YbYAG晶體以其優(yōu)異的熱學(xué)、機械、光學(xué)、激光性能成為新的研究熱點,被視為發(fā)展高效率、大功率固體激光器的一個主要方向,成為當前較有發(fā)展前景的全固態(tài)激光器工作物質(zhì)。在民用、材料、信息等領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用,迫切需要大尺寸、品質(zhì)高的YbYAG晶體材料。但傳統(tǒng)生長方法、工藝難以滿足要求。YbYAG是一種在釔鋁石榴石晶體中摻有三價離子的激光晶體,可發(fā)射1030 nm近紅外激光。Yb YAG晶體具有量子效率高,無激發(fā)態(tài)吸收和上轉(zhuǎn)換,高濃度耐受性,熒光壽命長,吸收帶寬,發(fā)射范圍寬,光學(xué),機械和熱學(xué)性能強等特點。在高效率,高功率二極管泵浦固態(tài)激光器中的潛在應(yīng)用。YbYAG(摻鐿釔鋁石榴石)適用于高功率輸出。江蘇人工YbYAG晶體現(xiàn)貨
YbYAG晶體的可見熒光及其機理研究,在半導(dǎo)體InGaAs激光激發(fā)YbYAG晶體的熒光中,有一組位于460~494 nm的可見熒光,分析了這些可見熒光產(chǎn)生的原因,指出它不同于紅外熒光的發(fā)光機理,是一種離子對的合作吸收和發(fā)射.兩個離子耦合成的離子對產(chǎn)生的可見熒光,其強度隨激發(fā)功率的平方變化,提高晶體中離子對的密度,可見熒光可以得到增強。YbYAG晶體比NdYAG晶體更適用于產(chǎn)生和放大具有Hz量級重復(fù)頻率的高脈沖能量激光。作為特殊的激光工作物質(zhì),不僅具有YAG基質(zhì)材料所具有的優(yōu)良的物理性質(zhì)和穩(wěn)定的化學(xué)性能,而且具有很好的激光工作性能。重慶提拉法生長YbYAG晶體研發(fā)由于Yb3+離子摻雜引起的晶格結(jié)構(gòu)畸變導(dǎo)致了YbYAG晶體光譜性質(zhì)的改變。
YbYAG晶體生長裝置有哪些,你知道嗎?YbYAG晶體的生長裝置:氣氛控制系統(tǒng):YAG晶體生長時,通常充入高純度氮氣或氬氣等惰性氣體,用來保護銥金坩堝不被氧化損耗。后加熱器:后熱器可用高熔點氧化物如氧化鋁、陶瓷等制成。通常放在坩堝的上部,生長的晶體逐漸進入后熱器,生長完畢后就在后熱器中冷卻至室溫。后熱器的主要作用是調(diào)節(jié)晶體和熔體之間的溫度梯度,控制晶體的直徑,避免組分過冷現(xiàn)象引起晶體破裂。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?/p>
YbYAG晶體主要特點:簡單的電子結(jié)構(gòu)排除了激發(fā)態(tài)吸收和各種有害的猝滅過程。940 nm寬吸收帶2F5/2鐿能級的壽命。低量子缺陷。可根據(jù)要求提供定制。YbYAG晶體主要應(yīng)用:材料加工,微加工,焊接,切割。高功率薄盤激光器。YbYAG晶體技術(shù)特性:吸收峰波長942nm。峰值吸收截面7,7×10-21厘米2。峰值吸收帶寬18nm。激光波長1030nm。壽命2F5/2鐿能級950μs。發(fā)射截面@1030nm 2,1×10-20厘米2。折射率@632,8nm 1,83。晶體結(jié)構(gòu)立方體。由于晶體中含有Yb2+,使晶格發(fā)生畸變,不但使晶格缺陷大量增加,而且也對Yb3+的能級結(jié)構(gòu)造成不利影響。導(dǎo)致了370nm和625nm處存在吸收波段和Re-F色心的形成。一般用提拉法生長YbYAG晶體,得到的晶體呈藍色。
激光二極管抽運10at-%YbYAG晶體獲得高效連續(xù)激光輸出,用激光二極管作為抽運源,在室溫下獲得了YbYAG晶體的連續(xù)激光輸出,抽運的閾值功率較低為2.2W,當入射到晶體上的抽運功率為18W時,YbYAG晶體微片獲得了較大連續(xù)激光輸出功率為5.2 W,斜率效率為33%。同時在激光實驗過程中,沒有發(fā)現(xiàn)飽和現(xiàn)象,因此采用更高功率的激光二極管作為抽運源,晶體的激光輸出 功率將會得到進一步的提高。這一研究對于實現(xiàn)YbYAG晶體的高功率激光輸出具有重要意義。YbYAG晶體以其優(yōu)異的熱學(xué)、機械、光學(xué)、激光性能成為新的研究熱點。江蘇人工YbYAG晶體現(xiàn)貨
YAG晶體生長時,通常充入高純度氮氣或氬氣等惰性氣體,用來保護銥金坩堝不被氧化損耗。江蘇人工YbYAG晶體現(xiàn)貨
YbYAG激光晶體的高溫退火和高濃度摻雜效應(yīng),測定了提拉法生長的不同摻雜濃度的YbYAG晶體從紫外到近紅外區(qū)的吸收光譜,發(fā)現(xiàn)高溫氧化氣氛退火后原先可見光區(qū)色心寬帶吸收消失的同時,在紫外區(qū)出現(xiàn)新的吸收帶,并通過色心的轉(zhuǎn)化對這一現(xiàn)象進行了解釋。在紫外區(qū)和近紅外區(qū)吸收光譜中,發(fā)現(xiàn)隨摻雜濃度的升高220 nm和940 nm附近的吸收帶的位置略有移動,提出是由于Yb3+離子摻雜引起的晶格結(jié)構(gòu)畸變導(dǎo)致了YbYAG晶體光譜性質(zhì)的改變。YbYAG與傳統(tǒng)的晶體相比具有更大的吸收帶寬,更長的上能級壽命。江蘇人工YbYAG晶體現(xiàn)貨