隨著核物理和高能物理的發(fā)展，出現(xiàn)了一個(gè)必須解決的問題，那就是粒子質(zhì)量的起源。為了理解這個(gè)問題，世界上正在建造能量不斷增加的大型對(duì)撞機(jī)和加速器。這些裝置上用來測(cè)量各種質(zhì)子、電子、Uons、介子等粒子能量的探針稱為電磁量熱儀，閃爍晶體是構(gòu)建電磁量熱儀的中心材料。例如，美國斯坦福線性加速中心(SLAC)、日本高能研究所(KEK)使用CsI(Tl)晶體進(jìn)行Babar和BELLE實(shí)驗(yàn)、歐洲核中心(CERN)使用PbWO4晶體進(jìn)行CMS實(shí)驗(yàn)等。表1-3列出了近年來世界上重要高能物理實(shí)驗(yàn)中使用的無機(jī)閃爍晶體[27][28]。表1-3近年來設(shè)計(jì)的晶體量熱儀中使用的無機(jī)閃爍晶體。CeYAG閃爍晶體還可以應(yīng)用于電子探測(cè)成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。遼寧進(jìn)口CeYAG晶體廠家直銷

物質(zhì)的有效原子序數(shù)可由公式計(jì)算：式中，Wi為構(gòu)成晶體的原子I的重量百分比，Zi為構(gòu)成晶體的原子I的有效原子數(shù)。從公式中可以看出，大的有效原子序數(shù)往往與重密度不一致。此外，在許多場(chǎng)合下，經(jīng)常使用吸收系數(shù)()、輻射長(zhǎng)度(X0)和摩爾半徑(RM)來代替晶體的有效原子序數(shù)或密度來表征無機(jī)閃爍晶體的性能。這些性能參數(shù)與晶體的密度()和有效原子序數(shù)(z)之間的關(guān)系如下[14][24]。，RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.12)(ne是晶體中的電子密度和吸收截面，a是原子量)當(dāng)I (t)=i0/e時(shí)，t=就是所謂的光衰減常數(shù)。遼寧進(jìn)口CeYAG晶體廠家直銷在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對(duì)稱性取代Y3位。

和小編來看看什是CeYAG晶體？基于CeYAG晶體的摻Ce光纖拉制技術(shù)，基于管棒法(Rod-in-Tube)技術(shù)，以CeYAG晶體作為芯棒，純石英玻璃管作為套管，利用石墨爐，拉絲塔拉制了摻鈰(Ce)光纖.通過X射線能譜(EDX)分析拉制而成的光纖，得到光纖的纖芯變?yōu)椴ＡР牧希伙@然，像BGO這樣的閃爍晶體有很大的局限性。近期，美國的某公司使用新的閃爍晶體Ce:LSO [29]制作了一個(gè)具有高空間和時(shí)間分辨率(2毫米、30分鐘和4毫米、10分鐘)的PET原型。Ce:YAG具有快衰減以及在550nm發(fā)射熒光，使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線α粒子的探測(cè)等領(lǐng)域！

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對(duì)稱性取代Y3位。在晶體場(chǎng)的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級(jí)分裂為5個(gè)子能級(jí)，比較低5d子能級(jí)離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點(diǎn)。在可見光范圍內(nèi)可以觀察到4個(gè)特征吸收峰，峰值波長(zhǎng)分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對(duì)應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級(jí)躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對(duì)應(yīng)比較低5d子能級(jí)至2F5/2基態(tài)能級(jí)。如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動(dòng)，發(fā)射波長(zhǎng)為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管。

根據(jù)出現(xiàn)的順序，無機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制可分為以下五個(gè)階段：1.電離輻射的吸收和初級(jí)電子和空穴的產(chǎn)生；2.一次電子和空穴的弛豫，即產(chǎn)生大量的二次電子、空穴、光子、激子等電子激發(fā)；3.低能二次電子和空穴的弛豫(熱化)，即形成能約為能隙寬度Eg的熱化電子-空穴對(duì)；4.電子和空穴向發(fā)光中心的熱傳遞和發(fā)光中心的激發(fā)；5.激發(fā)態(tài)的發(fā)光中心發(fā)出紫外或可見熒光，即閃爍光。為了研究方便，人們往往將上述五個(gè)閃爍步驟分為兩部分：(1)電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生(**個(gè)階段)和(2)發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射(后兩個(gè)階段)。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點(diǎn)。陜西品質(zhì)CeYAG晶體規(guī)格

CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間。遼寧進(jìn)口CeYAG晶體廠家直銷

Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測(cè)器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測(cè)等核物理實(shí)驗(yàn)。此外，Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小，光衰減快，在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。遼寧進(jìn)口CeYAG晶體廠家直銷