從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。然而，用提拉法很難獲得大尺寸、高質量的Ce:YAG閃爍晶體。一方面，提拉法生長的晶體尺寸直接受到所用銥坩堝尺寸的限制；另一方面，由于Ce3 (0.118nm)和Y3 (0.106nm)離子的半徑相差較大，且Ce離子在YAG晶體中的偏析系數很小(~ 0.1)，在提拉法生長后期往往會發(fā)生成分過冷，嚴重影響Ce:YAG晶體的質量。為了克服提拉法生長的大尺寸、高質量的碳：釔鋁石榴石閃爍晶體的缺點，我們第1次用溫度梯度法(TGT)成功地生長了一種三英寸的碳：釔鋁石榴石高溫閃爍晶體超薄片CeYAG晶體訂做價格研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對Ce3+離子濃度有較強的依賴關系。Ce:YAG晶體的光學吸收譜多少？河南CeYAG晶體參數
利用提拉法生長出的品質高的CeYAG閃爍晶體開展了高分辨率X射線成像系統(tǒng)關鍵器件——閃爍體研制工作，成功制備了尺寸為Φ30mm，厚度為30-45μm的品質高的閃爍晶體元件，并研制出基于超薄CeYAG閃爍晶體的高分辨X光探測器，實現(xiàn)X光輻照條件下高分辨成像。CeYAG作為閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，并且它的發(fā)光峰(550nm)能很好的與光電二極管的靈敏波長配合，適合于在用光電二極管作為光探測器和探測輕帶電粒子時使用。且不潮解、耐高溫、熱力學性能穩(wěn)定，可以應用于極端的探測環(huán)境中。遼寧白光LED用CeYAG晶體性能CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間。
電子-空穴對的產生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結果。主要包括原子的電離和激發(fā)，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發(fā)無機閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應、康普頓效應和電子對效應產生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時，主要發(fā)生光電效應，即高能射線與晶體中原子的內層電子(通常是K層)相互作用產生初級光電子。
閃爍晶體的本質是一種能量轉換器，所以能量轉換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數，是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發(fā)射光子的平均能量是發(fā)射的閃爍光子數。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體，能量轉換效率的重要的物理參數，是指閃爍體吸收并消耗1mV射線能量后發(fā)出的可見/紫外光子數。即閃爍過程中產生的閃爍光子數與閃爍晶體中光線或粒子損失的能量之比。 提拉法生長Ce:YAG晶體。鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學性能以及穩(wěn)定的化學性質等優(yōu)點。CeYAG閃爍晶體還可以應用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領域。
無機閃爍晶體的主要應用，與塑料聚合物、液體、液晶和熒光粉等普通閃爍材料相比，無機閃爍晶體具有密度高、體積小、物理化學性質和閃爍性能優(yōu)異等突出特點、可用于高能物理和核物理實驗、核醫(yī)學成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)、工業(yè)CT的在線檢測、油井勘探、安全檢查和反恐斗爭，此外，無機閃爍晶體在核天文學、核空間物理學、核考古學、核地質學和核測量方面具有巨大的潛在應用價值。這些領域會越來越受到人們的重視。而且隨著核技術向各個行業(yè)的滲透和其他技術的快速發(fā)展，將會給無機閃爍晶體的研發(fā)帶來更多的機遇和挑戰(zhàn)。CeYAG晶體的優(yōu)勢：發(fā)射波長與硅光二極管的靈敏探測波長匹配。河南CeYAG晶體參數
CeYAG晶體能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應用。河南CeYAG晶體參數
CeYAG單晶復合紅色熒光粉的制備及其在白光LED上的應用，采用提拉法生長了CeYAG單晶，并以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度的變化對其色坐標，亮度，發(fā)光效率和色溫的影響.由于460nm藍光芯片激發(fā)的CeYAG單晶白光LED缺少紅光成分，采用流延法將紅色熒光粉CaAlSiN_3:Eu~(2+)涂覆在CeYAG單晶襯底上制備白光LED.制備的白光LED色度隨紅粉含量的變化由冷白光逐漸向暖白光區(qū)域移動，色溫逐漸降低，顯色指數上升。河南CeYAG晶體參數
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