為了研究過渡金屬可能對Ce: YAP晶體性能的影響，我們生長了Mn 離子摻雜的Ce: YAP 晶體，并與Mn: YAP和Ce: YAP 晶體進行了比較。選用Mn 離子一是由于Mn 對YAP 晶體的吸收譜影響很大；二是M. A. Noginov等人將Ce離子摻入Mn: YAP中來獲得三價Mn離子[113]，Ce3+離子可以為Mn4+ 離子提供一個電子，使其變成三價：Ce3+ + Mn4+ → Ce4+ + Mn3+，正好研究Mn 對Ce離子價態(tài)變化的影響；而且Mn離子和Ce離子之間可能存在能量傳遞過程，對研究Ce: YAP晶體的閃爍性能會有一些參考作用。生長大尺寸的CeYAP晶體對閃爍材料的研究和應用具有重要意義。海南生長CeYAP晶體型號
CeYAG晶體應該如何退火？研究了Ce:YAP晶體的自吸收機制。在實際應用中，國產Ce: YAP晶體存在嚴重的自吸收問題，直接影響晶體的發(fā)光效率。比較了鈰離子濃度、退火、輻照和雜質對鈰： YAP晶體自吸收的影響。通過分析Ce: YAP晶體的自吸收機制，發(fā)現(xiàn)在YAP中存在一個Ce4離子的寬帶電荷轉移吸收峰，其半峰全寬接近100納米。結果表明，還原Ce4離子可以被Ce: YAP晶體的自吸收，Ce4離子可以明顯猝滅Ce3離子的發(fā)光。 不同氣氛生長Ce:YAP晶體透過和熒光譜有什么不同？海南生長CeYAP晶體型號晶體吸收高能射線后，晶體內部產生大量的熱化電子空穴對。
晶體中e3的電子結構、能級結構和發(fā)光特性，給出了鑭系元素的電子殼層結構和離子半徑。從表中可以看出，Ce元素的電子結構為[Xe]4f15d16s2，所以Ce3的電子結構以[Xe]4f1為特征，Ce3的內部電子結構為惰性原子結構，0外層只有一個電子結構，所以Ce3在晶體中具有獨特的能級結構和發(fā)光特性:Ce3離子的一個電子在4f能級上L=3，在5d能級上L=2，它們的宇稱不同，所以Ce3離子的5d-4f躍遷是允許的電偶極子躍遷。在這個允許的5d-4f躍遷中，電子在5d能級的壽命很短，一般在低5d能級的30~100ns，所以作為閃爍晶體的發(fā)光中心，它的衰變時間很短。
發(fā)光材料的X射線激發(fā)發(fā)射光譜指的是X射線經過發(fā)光材料時，發(fā)光材料從X射線那里獲得能量產生二次電子，二次電子激發(fā)發(fā)光材料的發(fā)光中心，然后發(fā)光中心退激發(fā)光，樣品所發(fā)出的光經分光儀器(單色儀)分成不同顏色(或波長)的光，通過光電倍增管測出不同波長的發(fā)光強度，得到樣品的發(fā)光按照波長或頻率的一個分布Ce:YAP晶體生長過程詳細介紹有嗎？因此激發(fā)譜中幾個發(fā)光成分其實還可以再分解為不同子能級的發(fā)光，而且疊加后的峰形會比單峰明顯展寬，普通的擬和只能作近似表達。自20世紀80年代末和90年代初以來，國內外對摻雜鈰離子的無機閃爍體進行了大量的研究和探索。
過渡金屬離子摻雜對YAP晶體透射邊緣的影響，由于過渡金屬離子D層具有更多的電子能級，容易受到晶場的影響，因此YAP晶體中可能存在更多的吸收帶。為了了解過渡金屬摻雜對Ce: YAP自吸收的可能影響，我們比較了摻雜過渡金屬如銅(0.5%)、鐵(0.5%)和錳(0.5%)的純YAP晶體的透射光譜。從圖4-11可以看出，Mn摻雜的yap在480nm處有明顯的吸收峰，而Cu摻雜的YAP在370nm左右有吸收峰，F(xiàn)e摻雜的YAP將在下一節(jié)討論。我們生長的Ce: YAP在350nm ~ 500nm范圍內沒有額外的吸收峰，少量過渡金屬離子的存在只會對吸收產生線性疊加效應，低濃度吸收不足以引起Ce: YAP晶體的自吸收，因此過渡金屬離子污染不太可能引起Ce3360Yap吸收帶紅移。同時，GDMS分析結果還表明，我們生長的Ce: YAP晶體中過渡金屬的含量小于10ppm，對晶體發(fā)光的影響可以忽略不計。離子摻雜濃度、原料的純度以及生長工藝條件等是影響CeYAP晶體缺陷的主要原因。貴州CeYAP晶體廠家
CeYAP晶體電子陷阱中捕獲的電子受環(huán)境影響較小。海南生長CeYAP晶體型號
閃爍材料的發(fā)展歷史可以大致分為幾個階段？Ce: YAP晶體的紅外光譜在4.9 um、4.0 um、3.7 um和3.1 um處有吸收帶，這可歸因于Ce3離子從2F5/2躍遷到2 F7/2。紫外-可見吸收光譜在303 nm、290 nm、275 nm、238 nm處有吸收峰，這可歸因于Ce3離子從2F5/2能級躍遷到5d能級。Ce: YAP晶體的d-f躍遷為寬帶發(fā)射，峰值在365 nm。Ce 3的光致發(fā)光強度呈單指數(shù)形式衰減，室溫下其衰減常數(shù)約為16-18ns。由于YAP矩陣中的各種缺陷能級都能俘獲電荷載流子，高能射線和粒子激發(fā)產生的閃爍光衰減常數(shù)遠大于18ns，一般在22-38 ns之間，也有慢分量和強背景。1.5.2鈰：釔鋁石榴石高溫閃爍晶體的研究從光學上說，YAP是一種負雙軸晶體。海南生長CeYAP晶體型號
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