由于晶體放肩階段屬強迫限制晶體直徑增大的過程，晶體尺寸的變化率比較大，如果程序段過少，容易在晶體表面出現(xiàn)明顯的分段現(xiàn)象，從而影響晶體的內(nèi)部質(zhì)量。在確?？刂凭鹊那疤嵯拢瑸榱诵Э刂凭w外形尺寸，需要考慮增加晶體的生長程序。在生長大尺寸Ce: YAP晶體時我們使用300個程序段放肩（3504歐路控制器程序段共500段），而采用818歐陸控制器的放肩程序分為30段。結(jié)果表明，增加程序段后，晶體放肩部分的外形控制得到明顯改善 北京生長CeYAP晶體不同厚度Ce:YAP晶體自吸收比較。CeYAP晶體發(fā)光波長為360－380nm，可與目前的光電接受裝置有效耦合。甘肅生長CeYAP晶體材料

根據(jù)發(fā)生的順序，閃光過程可分為以下五個階段：1.電離輻射的吸收和初級電子及空穴；2.一次電子和空穴，的弛豫即產(chǎn)生大量二次電子、空穴，光子、基本激子等電子激發(fā)；3.低能二次電子和空穴，的弛豫(熱化)，即形成能隙寬度約為Eg的熱化電子空穴對；4.熱化電子空穴將能量轉(zhuǎn)移到發(fā)光中心并激發(fā)發(fā)光中心；5.激發(fā)態(tài)的發(fā)光中心發(fā)出紫外或可見熒光，即閃爍光。對于任何凝聚態(tài)物質(zhì)，每個階段是相似的。因此，為了便于討論，我們將閃爍體中的物理過程分為兩部分：(1)熱化電子空穴對的產(chǎn)生(各個階段)；(2)發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。甘肅生長CeYAP晶體材料1680℃高溫氫氣退火后，CeYAP晶體中同時包含YAP相和YAG相。

一個類似于輻射長度的物理量叫做摩爾半徑(RM):RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.13)，小摩爾半徑有利于減少其他粒子對能量測量的污染。吸收系數(shù)、輻射長度和摩爾半徑與晶體密度直接或間接成反比。因此，尋找高密度閃爍晶體已成為未來閃爍晶體的一個重要研究方向。為了減小探測器的尺寸和成本，希望探測器越緊湊越好。因此，要求閃爍晶體在防止輻射方面盡可能強，表現(xiàn)為晶體的吸收系數(shù)大、輻射長度短、摩爾半徑小。Ce:YAP晶體的吸收光譜和熒光光譜受不同的生長方法和不同的后熱處理工藝的影響很大。

為了了解過渡金屬摻雜對Ce: YAP自吸收可能產(chǎn)生的影響，我們對比了Cu(0.5%), Fe(0.5%)，Mn(0.5%) 等過渡金屬摻雜的純YAP晶體的透過譜。由此可見，Mn摻雜YAP在480nm處有明顯吸收峰，Cu 摻雜則在370nm左右存在吸收峰，F(xiàn)e摻雜YAP并將在下節(jié)討論。我們生長的Ce: YAP 在350nm到500nm范圍內(nèi)不存在額外吸收峰，少量過渡金屬離子的存在對吸收只會造成線性疊加影響, 且低濃度吸收并不足以造成Ce: YAP晶體的自吸收，因此過渡金屬離子污染造成Ce: YAP吸收帶紅移可能性不大。實際應(yīng)用中，國產(chǎn)Ce: YAP晶體存在嚴重的自吸收問題，直接影響晶體的發(fā)光效率。

CeYAG晶體應(yīng)該如何退火？研究了Ce:YAP晶體的自吸收機制。在實際應(yīng)用中，國產(chǎn)Ce: YAP晶體存在嚴重的自吸收問題，直接影響晶體的發(fā)光效率。比較了鈰離子濃度、退火、輻照和雜質(zhì)對鈰： YAP晶體自吸收的影響。通過分析Ce: YAP晶體的自吸收機制，發(fā)現(xiàn)在YAP中存在一個Ce4離子的寬帶電荷轉(zhuǎn)移吸收峰，其半峰全寬接近100納米。結(jié)果表明，還原Ce4離子可以被Ce: YAP晶體的自吸收，Ce4離子可以明顯猝滅Ce3離子的發(fā)光。 不同氣氛生長Ce:YAP晶體透過和熒光譜有什么不同？結(jié)果發(fā)現(xiàn)兩價離子對Ce:YAP晶體閃爍性能有很強的負面影響，四價離子則有于助提高晶體的部分閃爍性能。甘肅生長CeYAP晶體材料

由于YAP晶體熱膨脹系數(shù)和熱導(dǎo)率的軸向差異，除了選擇合適的籽晶外，選擇合適的溫度場環(huán)境更為重要。甘肅生長CeYAP晶體材料

電子元器件幾乎覆蓋了我們生活的各個方面，包括電力、機械、交通、化工等傳統(tǒng)工業(yè)，也涵蓋航天、激光、通信、機器人、新能源等新興產(chǎn)業(yè)。據(jù)統(tǒng)計，目前，我國電子元器件加工產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值已占電子信息行業(yè)的五分之一，是我國電子信息行業(yè)發(fā)展的根本。中國Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG行業(yè)協(xié)會秘書長古群表示 5G 時代下Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG產(chǎn)業(yè)面臨的機遇與挑戰(zhàn)。認為，在當前不穩(wěn)定的國際貿(mào)易關(guān)系局勢下，通過 2018—2019 年中國電子元件行業(yè)發(fā)展情況可以看到，被美國加征關(guān)稅的Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG產(chǎn)品的出口額占電子元件出口總額的比重只有 10％。根據(jù)近幾年的數(shù)據(jù)顯示，中國已然成為世界極大的電子元器件市場，每年的進口額高達2300多億美元，超過石油進口金額。但是根本的痛點仍然沒有得到解決——眾多的有限責(zé)任公司（自然）企業(yè)，資歷不深缺少金錢，缺乏人才，渠道和供應(yīng)鏈也是缺少，而其中困惱還是忠實用戶的數(shù)量。目前汽車行業(yè)、醫(yī)治、航空、通信等領(lǐng)域無一不刺激著電子元器件。就拿近期的熱門話題“5G”來說，新的領(lǐng)域需要新的技術(shù)填充?！?G”所需要的元器件開發(fā)有限責(zé)任公司（自然）要求相信也是會更高，制造工藝更難。甘肅生長CeYAP晶體材料

上海藍晶光電科技有限公司總部位于興榮路968號，是一家光電專業(yè)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)服務(wù)、技術(shù)咨詢，銷售光電設(shè)備及配件、計算機軟硬件及配件（除計算機系統(tǒng)安全用品）、金屬材料、化工原料及產(chǎn)品（除危險、監(jiān)控、易制毒化學(xué)品、民用物品）。珠寶玉器、五金交電、商務(wù)信息咨詢的公司。上海藍晶擁有一支經(jīng)驗豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團隊，以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG。上海藍晶繼續(xù)堅定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路，既要實現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長，又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域，實現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。上海藍晶始終關(guān)注自身，在風(fēng)云變化的時代，對自身的建設(shè)毫不懈怠，高度的專注與執(zhí)著使上海藍晶在行業(yè)的從容而自信。