通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強(qiáng)度從零瞬開始增加，并達(dá)到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數(shù)衰減(當(dāng)用一階動(dòng)力學(xué)處理時(shí))，晶體生長的適宜溫度場主要通過選擇和調(diào)整石墨加熱器、鉬坩堝和鉬反射保溫屏的形狀和相對位置來獲得。所用鉬坩堝的尺寸為78毫米h70毫米，鉬坩堝錐形下部的籽晶槽中填充有111方向的純釔鋁石榴石籽晶。Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970，生長周期約為15天。結(jié)晶完成后，晶體在爐內(nèi)原位退火，待爐內(nèi)溫度降至室溫后取出晶體。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬，容易從鉬坩堝中取出，但晶體下部經(jīng)常與坩堝粘結(jié)，導(dǎo)致出坩堝取晶體時(shí)晶體下部邊緣開裂。整個(gè)晶體內(nèi)部質(zhì)量完好無損經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，無機(jī)閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體。山東雙折射CeYAG晶體公司
鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。因此，鈰離子摻雜的無機(jī)氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機(jī)閃爍晶體，被譽(yù)為新一代高性能無機(jī)閃爍晶體山東專業(yè)加工CeYAG晶體用溫梯法成功生長了直徑為 110mm 的大尺寸 Ce: YAG 閃爍晶體，晶體具有良好的外形和光學(xué)性質(zhì)。山東雙折射CeYAG晶體公司Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970，生長周期約為15天。
高光輸出快速衰減閃爍晶體的基本理論，閃爍效率和光輸出，無機(jī)閃爍晶體的光輸出(LR)直接由閃爍晶體的閃爍效率()決定。因此，研究閃爍晶體的轉(zhuǎn)換效率在高光輸出閃爍晶體的研究中起著重要的作用。許多文獻(xiàn)[13]、[14]、[17]、[51]和[56]報(bào)道了閃爍材料閃爍效率的機(jī)理，并建立了許多理論模型。一般來說，根據(jù)閃爍體的閃爍機(jī)理(如1.1.1節(jié)所述)，閃爍的總量子效率()可以表示為發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)換效率()、能量轉(zhuǎn)移效率(S)和熒光量子效率(Q)的乘積。
CeYAG晶體最大直徑多少？閃爍過程的三個(gè)步驟(a . 電子空穴對產(chǎn)生；電子空穴被傳送到發(fā)光中心；c .從發(fā)光中心輻射的熒光)到閃爍的總效率。在以上三個(gè)參數(shù)中，很難建立能量傳遞的理論模型，因此很難計(jì)算出S [51][56]。可以肯定的是，無機(jī)閃爍晶體中的各種缺陷會(huì)俘獲電子空穴對，使S值 大降低。與參數(shù)s相比，參數(shù)和q可以從理論上計(jì)算出來。根據(jù)羅賓斯[19]和阿雷米普奇[51]提出的模型。公式中，Ei為電離能；是產(chǎn)生實(shí)際產(chǎn)生一個(gè)電子空穴對所需的能量；k為能量損失分?jǐn)?shù)，與高頻介電常數(shù)()，靜電常數(shù)()和光學(xué)縱模聲子能量()有關(guān)。Lf是電子(或空穴)損失的能量分?jǐn)?shù)。CeYAG晶體能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應(yīng)用。
閃爍晶體可以應(yīng)用的領(lǐng)域有很多，你知道嗎？可來看看下文的一些介紹，閃爍晶體在工業(yè)探傷領(lǐng)域，人們利用閃爍晶體探測X射線，在工業(yè)CT上獲取工件內(nèi)部的缺陷結(jié)構(gòu)和分布，避免工件失效和改善工件品質(zhì)；在醫(yī)院，人們采用閃爍晶體探測注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線，在PET/CT上獲取人體的功能、代謝和受體顯像，診斷病癥和研發(fā)新藥。經(jīng)過多年的發(fā)展，多種閃爍晶體材料得以成功研制并作為產(chǎn)品大批量走向國內(nèi)外市場。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭o機(jī)閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機(jī)理之電子空穴對的產(chǎn)生。山東雙折射CeYAG晶體公司
如今無機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制不斷得到改進(jìn)和發(fā)展。山東雙折射CeYAG晶體公司
CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能，采用溫梯法生長了CeYAG晶體和真空燒結(jié)法制備了CeYAG透明陶瓷，并對晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能進(jìn)行了對比研究.CeYAG晶體和陶瓷都具有位于230，340和460nm波段的Ce3+離子的特征吸收帶和540nm附近的發(fā)射峰，但CeYAG晶體同時(shí)存在296和370nm的色心吸收，其發(fā)射峰位于398nm，而透明陶瓷中不存在.CeYAG晶體和陶瓷的X射線熒光中均存在520nm附近的Ce3+離子發(fā)射，但晶體中還存在由反格位缺陷引起的300nm的發(fā)射.CeYAG晶體和陶瓷的光產(chǎn)額分別為16800和9800photons/MeV，納秒燈激發(fā)下的熒光壽命分別為61.9和62.97ns.CeYAG晶體與陶瓷相比，具有高的光產(chǎn)額和快的熒光衰減特性。山東雙折射CeYAG晶體公司
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