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江蘇白光LED用CeYAG晶體制造

來源: 發(fā)布時間:2022-05-31

CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體,具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖,較大優(yōu)點是其發(fā)光中心波長為550nm,可以與硅光二極管等探測設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比,CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間(約70ns,而CsI衰減時間約為300ns),而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定,主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域,另外它還可以應(yīng)用于電子探測成像(SEM)、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。由于Ce離子在YAG基質(zhì)中的分凝系數(shù)?。s為0.1),使Ce離子很難摻入YAG晶體中,而且隨著晶體直徑的增大,晶體生長難度急劇增加。閃爍晶體是在高能射線的前提下形成的。江蘇白光LED用CeYAG晶體制造

隨著高能物理、核物理及相關(guān)科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展,傳統(tǒng)無機閃爍晶體的缺點日益突出。尋找新的高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體具有重要的科學(xué)意義和巨大的市場價值。20世紀(jì)80年代末和90年代初,國際上掀起了對高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體的研究熱潮。其中,1990年成立的隸屬于歐洲核中心(CERN)的“水晶透明協(xié)作”研究小組,是由來自十幾個國家的材料科學(xué)家、固體物理學(xué)家和探測器**組成的跨學(xué)科研究小組[39]。其主要目標(biāo)是研究和開發(fā)新的無機閃爍晶體,以滿足日益增長的大型強子對撞機(LHC)和其他高能物理實驗對閃爍探測器的需求。吉林進口CeYAG晶體好不好CeYAG閃爍晶體還可以應(yīng)用于電子探測成像(SEM)、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。

文獻已經(jīng)系統(tǒng)地報道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能,現(xiàn)總結(jié)如下:相對光輸出約為NaI:Tl的38-50%;光衰減,對于γ-射線激發(fā),快成分衰減時間約為26.7±0.12ns,強度占89±2%,慢成分衰減常數(shù)為140±10ns,對于α-粒子激發(fā)快成分衰減常數(shù)為24.8±0.12ns,強度占85±2%,慢成分衰減常數(shù)為100±5ns;中等密度(5.35g/cm3)和中等有效原子序數(shù)(Zeff=39)等。另外,與CsI:Tl閃爍晶體相比,Ce:YAG閃爍晶體在小于500Kev能量范圍其γ響應(yīng)小,光衰減快,不潮解等,因此可望部分取代CsI:Tl閃爍晶體的應(yīng)用。

當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時,晶體中電子空穴對Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān)),可以得出:無機閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(,Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48,000 ph/mev)。將其他無機閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進行比較得到的相對值(%NaI(Tl))稱為“相對光輸出”。相對光輸出通常用于表征無機閃爍晶體的光輸出。用CeYAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實驗。

Ce:YAG晶體光產(chǎn)額是多少?Ce:YAG晶體,屬于無機閃爍體。無機閃爍晶體研究的真正前奏始于半個世紀(jì)前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現(xiàn)NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。經(jīng)過半個多世紀(jì)的發(fā)展,無機閃爍晶體不但發(fā)現(xiàn)了性能優(yōu)異的閃爍晶體,如BGO、銫:Na、鋇F2、PWO和鈰Ce:LSO等,而且極大地拓展了閃爍晶體在高能物理和核物理、醫(yī)療、安檢、工業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用;此外,無機閃爍晶體的閃爍機制不斷得到改進和發(fā)展,為改進現(xiàn)有閃爍體和尋找性能更好的新型無機閃爍晶體提供了堅實的理論基礎(chǔ)。無機閃爍晶體晶體應(yīng)用很廣,可用在核醫(yī)學(xué)成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)。江蘇白光LED用CeYAG晶體制造

在Ce:YAG閃爍晶體中,其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷,具有寬帶、衰減快的特點。江蘇白光LED用CeYAG晶體制造

隨著核科學(xué)技術(shù),和其他相關(guān)技術(shù)的快速發(fā)展,無機閃爍體的應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴大。同時,不同的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)o機閃爍體提出了越來越高的要求。研究和開發(fā)高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體具有重要的科學(xué)研究意義和巨大的經(jīng)濟效益。因此,近年來,尋找高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體成為國內(nèi)外物理學(xué)家和材料科學(xué)家的研究熱點之一。不同的應(yīng)用對無機閃爍晶體有不同的要求。例如,在高能物理(HEP)或中能物理(IEP)實驗中,光輸出并不重要,但它要求晶體具有更快的時間衰減、更大的原子序數(shù)和密度等。然而,在PET等應(yīng)用中,要求閃爍晶體具有高光輸出、快速衰減和高密度。江蘇白光LED用CeYAG晶體制造

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