Tm:YAP晶體能量轉(zhuǎn)移參數(shù)計算結(jié)果如何？由于Tm:YAP的各向異性，對3F4→3H6躍遷的發(fā)射截面，我們采用F-L公式以及偏振發(fā)射譜進行了計算。F-L公式可表示為：（4-3）式中c為光速，λ為波長，I(λ)為熒光光譜上某一波長λ處的熒光強度，n為折射率，τrad為上能級輻射壽命。5at%Tm:YAP各偏振方向發(fā)射截面計算結(jié)果如圖4-19所示，其中E//a方向在1934nm具有比較大發(fā)射截面4.5×10-21cm2，接近于[25]報道數(shù)據(jù)5.0×10-21cm2。3at%Tm:YAP、4at%Tm:YAP、5at%Tm:YAP晶體E//a發(fā)射截面在1934nm處基本相同。Tm:YAG晶體中文名摻銩釔鋁石榴石晶體。貴州TmYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)

通過已知的發(fā)射截面和吸收截面，可由下式對增益截面進行估算：(4-4)該公式中，σg(λl)表示在某一激光波長λl處的增益截面，β表示處于激發(fā)態(tài)的粒子占總粒子的分?jǐn)?shù)，σem(λl)和σabs(λl)則分別表示激光波長處的發(fā)射截面和吸收截面。5at%Tm:YAP晶體E//a方向增益截面，計算所得增益截面如圖4-21，可見Tm:YAP晶體E//a方向具有寬且平緩的發(fā)射峰，以β=0.5為例，從1756nm至2150nm范圍內(nèi)增益截面均為正值，這說明Tm:YAP在2mm波段將具有寬調(diào)諧特性。增益截面峰值為1934nm，當(dāng)β=0.5時，該峰值達到2.08×10-21cm2。 貴州TmYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)Tm:YAG晶體,摻銩釔鋁石榴石晶體可提供增透，局部或高反等諸多鍍膜選擇。

根據(jù)吸收光譜計算出Tm:YAP晶體的JO參數(shù)為： 2=0.8 10-19cm2， 4=1.6 10-19cm2， 6=1.1 10-19cm2，均方根偏差為1.5110-22 cm2。根據(jù)吸收和發(fā)射的重疊積分，計算了tm3360 yap中的能量交叉測試了濃度為3at%、4at%和5at%的Tm:YAP晶體的激光性能。當(dāng)泵浦功率為24W，較大功率為8.1W，比較大斜率效率為42%，激光輸出波長為1.935米時，4at % Tm:YAP c向樣品獲得比較好激光輸出。3at%、4at%及5at%濃度Tm:YAP晶體進行了激光性能的測試。其中4at%Tm:YAP c向晶體在泵浦功率為24W時，實現(xiàn)較大功率8.1W的1.935mm激光輸出，比較大斜效率達42%，為目前我們實驗中Tm:YAP晶體比較好激光輸出結(jié)果；此外對H2退火前后3at%Tm:YAP晶體激光性能進行了比較，晶體經(jīng)過氫氣退火處理，斜率效率較未經(jīng)退火的提高40%。

為了更好了解Tm3+在Tm:YAP晶體中吸收躍遷特性以及其溫度依賴特性，我們測試了4at%Tm:YAP晶體b向樣品的變溫吸收譜。圖4-7為3H6→3H4躍遷對應(yīng)的變溫吸收譜。低溫下Tm3+吸收為尖銳譜線，隨溫度升高，吸收峰變寬，吸收強度減弱，這是由于溫度升高，晶格熱振動增強，吸收過程將伴隨更多的聲子發(fā)射，使躍遷幾率減小，強度減弱，譜峰變寬。紅外側(cè)805nm之后存在兩個較弱的吸收峰，隨溫度升**度增強，我們認(rèn)為這兩個小峰對應(yīng)基態(tài)中較高的Stark能級吸收躍遷。低溫下Tm:YAP*有少量尖銳發(fā)射峰，隨溫度升高，譜線逐漸展寬，在左側(cè)出現(xiàn)新的熒光峰。

提高Tm3激光器效率的有效途徑之一是選擇聲子能量較高的襯底，以增加基態(tài)的斯塔克分裂，增強躍遷的振子強度，增加發(fā)射截面3H4能級的Tm3除了把能量轉(zhuǎn)移到基態(tài)外，還可能跳低到3H5和3F4能級，產(chǎn)生約2.3m和1.4m的熒光，并可能吸收另一個光子，借助聲子跳高到1G4和1D2能級，從而影響3H4 3H62 3F4的能量交叉弛豫過程。由于上轉(zhuǎn)換概率隨著Tm3摻雜濃度的增加而增加，因此在Tm3激光晶體中選擇合適的摻雜濃度是必要的。Tm:YAP和Tm:LSO兩微米波段激光晶體生長、光譜和激光性能的研究.Tm:YAG晶體具有2微米波長固體激光源的理想介質(zhì)。貴州TmYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)

Tm:YAP的結(jié)構(gòu)各向異性使得其發(fā)射截面各向異性。貴州TmYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)

電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法是20世紀(jì)70年代迅速發(fā)展起來的一種新的光譜分析方法。它采用電感耦合等離子體矩(ICP)作為發(fā)射光譜的激發(fā)光源。因此，這種分析方法常被稱為ICP光譜法或等離子光譜法。該分析技術(shù)的主要優(yōu)點是：(1)檢出限低，靈敏度高。大多數(shù)元素的檢出限為0.1 ~ 100納克/毫升，以固體表示約為0.01 ~ 10克/克。對于難熔和非金屬元素，檢出限優(yōu)于經(jīng)典光譜法。(2)精度好。當(dāng)分析物濃度為檢出限的50~100倍和5~10倍時，相對標(biāo)準(zhǔn)偏差分別小于等于1%和4~8%。因此優(yōu)于電弧和火花光譜法，可用于高含量成分的精密分析和分析。(3)精度高。在大多數(shù)情況下，測量的相對誤差小于10%，對于高含量(大于10%)，可以控制在1%以下。(4)工作曲線直線范圍寬，可達4~6個數(shù)量級，因此可以用標(biāo)準(zhǔn)曲線從微量到大濃度進行樣品分析，給操作人員帶來極大的方便。Tm:YAP晶體的激光實驗效果？貴州TmYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)

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