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來源: 發(fā)布時間:2022-05-26

Ce:YAG閃爍晶體的研究概況釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學襯底材料,其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)獲得廣泛應(yīng)用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料引起人們的注意則是在1992年[81]。Moszynski[82]和Ludziejewski[83]等人分別于1994年和1997年對Ce:YAG晶體的閃爍性能進行了較為系統(tǒng)的研究,并指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)良的閃爍性能。Ce:YAG具有快衰減(80ns)以及在530nm發(fā)射熒光,發(fā)光波長與硅光電二極管的探測靈敏區(qū)匹配,使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線α粒子的探測等領(lǐng)域。無機閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機理之電子空穴對的產(chǎn)生。湖南人工CeYAG晶體批發(fā)

以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED),研究了CeYAG單晶厚度及驅(qū)動電壓的變化對其發(fā)射光譜、色坐標、亮度、光視效能和色溫的影響。研究結(jié)果表明,在基于CeYAG單晶的白光LED中,發(fā)射光的色坐標以及藍光與黃綠光之間的相對強度可通過對CeYAG單晶片厚度的改變進行調(diào)整。在恒定電壓驅(qū)動下,白光LED樣品的亮度、光視效能和色溫均隨單晶片厚度的減小而增加。當CeYAG單晶厚度為0.6 mm時,可獲得較純的白發(fā)射光,并且其色坐標具有較高的可靠性和穩(wěn)定性,基本不受驅(qū)動電壓變化的影響。研究結(jié)果表明CeYAG單晶是一種可用于新型白光LED的理想熒光材料。湖南人工CeYAG晶體批發(fā)Ce:YAG晶體拋光難度大嗎?

無機閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機理之電子空穴對的產(chǎn)生,該過程可由以下公式(1.1)表示:A + hν → A+ + e在上式中,hν 是入射γ光子的能量;a表示是無機閃爍晶體中的原子;a+是離子;e是產(chǎn)生的一次電子。在這個過程中,原子的內(nèi)層也會產(chǎn)生初級空穴。閃爍機制的第二步是電子和空穴的豫過程。一方面,對于非輻射豫或輻射豫,A離子通過內(nèi)部空穴從K層遷移到L、M和其他俄歇層而發(fā)射光子,從而發(fā)射俄電子。通常,非輻射豫的概率遠遠大于輻射豫的概率。

隨著高能物理、核物理及相關(guān)科學技術(shù)的快速發(fā)展,傳統(tǒng)無機閃爍晶體的缺點日益突出。尋找新的高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體具有重要的科學意義和巨大的市場價值。20世紀80年代末和90年代初,國際上掀起了對高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體的研究熱潮。其中,1990年成立的隸屬于歐洲核中心(CERN)的“水晶透明協(xié)作”研究小組,是由來自十幾個國家的材料科學家、固體物理學家和探測器**組成的跨學科研究小組。其主要目標是研究和開發(fā)新的無機閃爍晶體,以滿足日益增長的大型強子對撞機(LHC)和其他高能物理實驗對閃爍探測器的需求。 Ce:YAG屬于無機閃爍體。

Ce:YAG晶體的發(fā)射峰的中心波長約為550nm嗎?無機閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機理之電子空穴對的產(chǎn)生。電子-空穴對的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā),電子-電子和電子-聲子的弛豫,以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知,高能射線不能直接電離和激發(fā)無機閃爍晶體中的原子。相反,它們通過光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對效應(yīng)產(chǎn)生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時,主要發(fā)生光電效應(yīng),即高能射線與晶體中原子的內(nèi)層電子(通常是K層)相互作用產(chǎn)生初級光電子。用CeYAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實驗。湖南人工CeYAG晶體批發(fā)

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