與YbYAG晶體相關(guān)的一些知識(shí)的介紹，感興趣的就一起來(lái)看看吧，用于固體激光系統(tǒng)的YbYAG激光晶體，采用中頻感應(yīng)加熱提拉法生長(zhǎng)，生長(zhǎng)氣氛為中性(N_2)，生長(zhǎng)速度：1.0-2.0mm/h，轉(zhuǎn)速：10-30r/min，經(jīng)過(guò)退火后得到了無(wú)色透明的激光晶體。研究了YbYAG晶體的加工工藝，對(duì)晶體進(jìn)行微片、板條和棒的加工，并分析和測(cè)試了加工元件的光譜和激光性能，獲得了LD泵浦連續(xù)輸出2.658W、脈沖輸出8mJ。看了上文的介紹后，希望能夠?qū)δ阌幸恍椭?。Yb2+和Re-F色心的存在對(duì)于YbYAG的本征光譜性能是有害的，不但降低了在900-1050nm的Yb3+本征吸收和1028-1060nm的發(fā)射強(qiáng)度，而且縮短了Yb3+在YAG晶體中熒光壽命。YbYAG晶體可發(fā)射1030 nm近紅外激光。山東提拉法生長(zhǎng)YbYAG晶體性能

大芯層尺寸YbYAG晶體波導(dǎo)的設(shè)計(jì)，采用無(wú)膠鍵合(AFB)技術(shù)制備的晶體波導(dǎo)具有良好的模式限制作用.在考慮模式競(jìng)爭(zhēng)的情況下，對(duì)晶體波導(dǎo)的單橫模條件進(jìn)行計(jì)算，得出在芯層材料為原子數(shù)分?jǐn)?shù)為 1%的YbYAG，內(nèi)包層材料為原子數(shù)分?jǐn)?shù)為0.5%的ErYAG中，芯層和內(nèi)包層的單橫模厚度范圍.計(jì)算結(jié)果表明芯層厚度上限可以增大為傳統(tǒng)計(jì)算結(jié)果的1.79倍，為同時(shí)實(shí)現(xiàn)大模場(chǎng)面積和單橫模輸出提供了理論支持。通過(guò)實(shí)驗(yàn)制備出芯層尺寸為320 μm×400 μm的大芯層尺寸YbYAG晶體波導(dǎo)，并將該晶體波導(dǎo)作為增益介質(zhì)搭建了晶體波導(dǎo)激光器，得到了1030 nm激光輸出，其較高輸出功率為26 W，斜率效率為31.5%，此時(shí)光束質(zhì)量因子為 Mx2=1.22， My2=1.05。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明該晶體波導(dǎo)能夠?qū)崿F(xiàn)近衍射極限輸出，引入模式競(jìng)爭(zhēng)來(lái)實(shí)現(xiàn)大芯層尺寸晶體波導(dǎo)單橫模輸出的設(shè)計(jì)方法可靠。上海YbYAG晶體價(jià)格YbYAG晶體生長(zhǎng)狀態(tài)穩(wěn)定，透明性較高。

YbYAG/YAG復(fù)合結(jié)構(gòu)微片激光晶體是薄片激光器領(lǐng)域內(nèi)非常優(yōu)良的激光材料。本項(xiàng)目采用自制的高性能YAG納米粉，研究完全由透明陶瓷構(gòu)成的YbYAG/YAG復(fù)合結(jié)構(gòu)微片的制備技術(shù)，用以取代價(jià)格昂貴的單晶微片，可以極大提高生產(chǎn)效率，降低造價(jià)，并提高激光輸出功率，給激光器的設(shè)計(jì)帶來(lái)很大的自由度。首先制備顆粒細(xì)小、單分散的YbYAG粉體，研制高Yb摻雜的YbYAG透明多晶體的制備技術(shù)。一般用提拉法生長(zhǎng)YbYAG晶體，得到的晶體呈藍(lán)色。這是因?yàn)榇嬖赮b2+和Re-F色心。

在不斷優(yōu)化設(shè)備激光加熱系統(tǒng)，調(diào)整生長(zhǎng)參數(shù)的基礎(chǔ)上，成功制備出直徑約0.2 mm長(zhǎng)710 mm YbYAG單晶光纖，LHPG單晶光纖生長(zhǎng)爐設(shè)備結(jié)構(gòu)如圖1所示。該YbYAG單晶光纖長(zhǎng)徑比＞3000，且直徑波動(dòng)在±5%以?xún)?nèi)，是迄今為止在國(guó)內(nèi)外見(jiàn)諸報(bào)道的同類(lèi)單晶光纖中較高的長(zhǎng)徑比，且表現(xiàn)出一定的可彎折柔韌特性，在機(jī)械性能上已具備光纖的特征。YbYAG晶體，具有尺寸大，缺陷密度低，利用率高，成本低等優(yōu)點(diǎn)。Yb3 + 離子摻雜YAG 晶體( Yb: YAG) 作為一種性能優(yōu)良的激光晶體已廣泛應(yīng)用于高效、高功率激光領(lǐng)域。Yb3 + 離子摻雜YAG 晶體( YbYAG) 晶體已普遍應(yīng)用于高效、高功率激光領(lǐng)域。

一種YbYAG激光晶體的生長(zhǎng)方法，所用的裝置為感應(yīng)加熱提拉式單晶爐，其步驟包括按照YbYAG比例稱(chēng)量原料并混合均勻，置于銥坩堝中，裝爐。單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫。下籽晶生長(zhǎng)晶體。晶體生長(zhǎng)完畢緩慢降溫至室溫，出爐。其特征在于所述單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫的具體過(guò)程包括單晶爐緩慢抽真空至8×10-3MP，充入純氮?dú)?，?.12MP壓力后開(kāi)始升溫，至1500℃時(shí)觀(guān)察爐內(nèi)的壓力，根據(jù)爐內(nèi)的壓力再充入1～5％的氧氣，然后再升溫熔料。這里的關(guān)鍵是采用兩步充氣的方法，是基于銥坩堝在1500℃以下的高溫段會(huì)與氧氣起強(qiáng)烈的反應(yīng)，而超過(guò)這一溫度反應(yīng)則會(huì)在一定程度上。這樣充氣過(guò)程生長(zhǎng)的晶體出爐后無(wú)**YAG晶體光纖和晶體細(xì)棒實(shí)現(xiàn)了平均功率大于70W的高效超快激光輸出。上海YbYAG晶體價(jià)格

YbYAG是一種性能優(yōu)良的激光晶體。山東提拉法生長(zhǎng)YbYAG晶體性能

不同摻雜濃度的YbYAG晶體，通過(guò)不同Yb3雜濃度30at﹪的YbYAG晶休的陰極射線(xiàn)發(fā)光譜，衰減時(shí)間，光輸出及其溫度依賴(lài)關(guān)系的測(cè)量研究了YbYAG晶體的閃爍性能。不同Yb3，摻雜濃度的YbYAG晶體具有不同的光輸出和淬滅溫度，光輸出隨Yb，摻雜濃度升高而降低，淬滅溫度則隨摻雜濃度的升高而升高。室溫下YbYAG晶體的發(fā)光衰減時(shí)間較短，均小于SOnsoY63摻雜濃度為5at﹪的YbYAG晶體具有較高的光輸出和較低的淬滅溫度。采用提拉法生長(zhǎng)了原子分?jǐn)?shù)為10%的Yb和不同摻雜濃度Cr的Cr,Yb:YAG激光晶體.測(cè)試了室溫下晶體的吸收光譜,熒光光譜和熒光壽命。山東提拉法生長(zhǎng)YbYAG晶體性能

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