為了研究過渡金屬可能對(duì)Ce: YAP晶體性能的影響，我們生長(zhǎng)了Mn 離子摻雜的Ce: YAP 晶體，并與Mn: YAP和Ce: YAP 晶體進(jìn)行了比較。選用Mn 離子一是由于Mn 對(duì)YAP 晶體的吸收譜影響很大；二是M. A. Noginov等人將Ce離子摻入Mn: YAP中來獲得三價(jià)Mn離子[113]，Ce3+離子可以為Mn4+ 離子提供一個(gè)電子，使其變成三價(jià)：Ce3+ + Mn4+ → Ce4+ + Mn3+，正好研究Mn 對(duì)Ce離子價(jià)態(tài)變化的影響；而且Mn離子和Ce離子之間可能存在能量傳遞過程，對(duì)研究Ce: YAP晶體的閃爍性能會(huì)有一些參考作用。Ce: YAP 晶體中過渡金屬含量均小于 10ppm，對(duì)晶體發(fā)光影響可以忽略。北京CeYAP晶體

閃爍現(xiàn)象是指粒子束或射線作用于某種物質(zhì)產(chǎn)生的脈沖光。它更重要的特點(diǎn)是發(fā)出的光具有極快的衰減時(shí)間。具有這種性質(zhì)的材料稱為閃爍體或閃爍材料。利用熒光物質(zhì)的發(fā)光現(xiàn)象來記錄核輻射早就開始了。長(zhǎng)期以來，閃爍體作為一種非常重要的電磁量熱儀材料，在高能物理、核醫(yī)學(xué)成像、核技術(shù)和工程中得到了普遍的應(yīng)用。自從我們使用閃爍材料探測(cè)輻射以來，已經(jīng)將近一個(gè)世紀(jì)了。在本世紀(jì)，一些重要的閃爍材料因其商業(yè)應(yīng)用前景而得到廣泛應(yīng)用，或者因其優(yōu)異的性能而在科學(xué)研究中得到普遍關(guān)注和發(fā)展。河南高溫CeYAP晶體現(xiàn)貨供應(yīng)CeYAP作為一種高溫閃爍晶體，具有良好的機(jī)械加工性能。

Ca2+離子和Si4+離子摻雜對(duì)Ce : YAP晶體有哪些影響？釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶是一種優(yōu)良的激光基質(zhì)材料和光學(xué)襯底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體得到了普遍的應(yīng)用。Ce:YAG晶體作為閃爍材料在1992年引起了人們的注意。Moszynski和Ludziejewski分別于1994年和1997年系統(tǒng)地研究了Ce:YAG晶體的閃爍特性，指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)異的閃爍特性。Ce:YAG衰減快(80ns)，在530nm處發(fā)出熒光，其發(fā)射波長(zhǎng)與硅光電二極管的探測(cè)敏感區(qū)相匹配，因此可應(yīng)用于低能射線粒子的探測(cè)等領(lǐng)域。

鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出快衰減等閃爍特征，是無機(jī)閃爍晶體的一個(gè)重要發(fā)展方向，而Ce:YAP和Ce:YAG是其中較有優(yōu)勢(shì)的晶體。隨著應(yīng)用需求的變化，對(duì)閃爍晶體尺寸的要求也在不斷增加，生長(zhǎng)大尺寸的閃爍晶體變得更為重要。同時(shí)國(guó)內(nèi)目前生長(zhǎng)的Ce:YAP 晶體普遍存在自吸收問題，導(dǎo)致光產(chǎn)額一直無法有效提高，且其機(jī)理至今仍不清楚。為了有效提高Ce:YAP 晶體的閃爍性能，解決其自吸收問題，提高晶體的發(fā)光強(qiáng)度，著重研究了Ce:YAP 晶體的自吸收機(jī)理。同時(shí)為了得到大尺寸高發(fā)光效率的Ce:YAG晶體，用溫梯法嘗試了大尺寸Ce:YAG晶體的生長(zhǎng)，并對(duì)晶體的比較好熱處理?xiàng)l件進(jìn)行了摸索。本論文主要圍繞大尺寸Ce:YAP晶體的生長(zhǎng)及其自吸收問題，和溫梯法大尺寸Ce:YAG晶體的生長(zhǎng)和退火研究，以真正提高晶體的實(shí)用性能。 CeYAP晶體閃爍速度快、光產(chǎn)額高、機(jī)械和化學(xué)性能優(yōu)異。

生長(zhǎng)CeYAP晶體批發(fā)價(jià)過渡金屬摻雜對(duì)YAP晶體透過邊有哪些影響？Ce: YAP晶體自吸收機(jī)制分析，從以上實(shí)驗(yàn)可以看出，存在自吸收的累積效應(yīng)，隨著厚度和濃度的增加而增加。在氧氣氛中退火后，自吸收增加，而在還原氣氛中，自吸收減少。自吸收隨ce離子濃度的增加而增加，與Ce離子有明顯的相關(guān)性，說明雜質(zhì)離子引起自吸收有兩種可能：一種可能是Ce原料附帶的；另一種可能是其他原料中的雜質(zhì)可以與Ce離子相互作用形成吸收中心。如果Ce原料上有雜質(zhì)附著，CeO2原料純度為5N，Ce離子的熔體濃度小于0.6%，兩者之間的倍增為0.1ppm數(shù)量級(jí)，那么這種雜質(zhì)的可能性很小。Ce和Mn: YAP的衰變時(shí)間明顯短于Ce、Mn : YAP，其快、慢成分分別為10.8ns和34.6 ns。北京CeYAP晶體

CeYAP作為閃爍晶體，用水平區(qū)熔法生長(zhǎng)了CeYAP閃爍晶體。北京CeYAP晶體

不同溫度退火的Fe: YAP樣品的吸收光譜和差分吸收光譜是Fe: YAP樣品在不同溫度退火后的吸收光譜和微分吸收光譜。Fe: YAP晶體的吸收光譜在203納米、246納米、270納米和325納米附近有吸收峰。差示吸收光譜顯示，氫退火后264 ~ 270納米波長(zhǎng)范圍內(nèi)的吸收明顯減弱，氧退火后321納米出現(xiàn)差示吸收峰。可以認(rèn)為246 nm和270 nm處的吸收與Fe3有關(guān)，即Fe3和Fe2之間存在躍遷[102]。除了321nm處的吸收，YAP: Fe的幾個(gè)吸收峰與純YAP晶體的吸收峰有一定距離，這不能解釋純YAP(Ce: YAP)中的其他吸收峰與鐵有關(guān)。 北京CeYAP晶體

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