閃爍晶體可以應(yīng)用的領(lǐng)域有很多,你知道嗎?下文就居一些簡單的例子,感興趣的一起來看看吧,在醫(yī)院,利用閃爍晶體探測注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線,在PET/CT機(jī)上獲取人體的功能和代謝顯像,代謝率高的組織或病變呈亮信號,代謝率低的呈暗信號,通過圖像醫(yī)生可以快速診斷出人體各部位的病變、相關(guān)組織的大小和位置,用于病癥早期診斷和醫(yī)治。在油田,利用閃爍晶體獲得地層放射性物質(zhì)含量和種類分布等數(shù)據(jù),從而判斷地層油氣含量和位置。相對光輸出通常用于表征無機(jī)閃爍晶體的光輸出。重慶國產(chǎn)CeYAG晶體出廠價
我們采用溫梯法生長了Ce:YAG 晶體,原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末,按照化學(xué)式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長方向 <111>,高純 Ar 氣氛,具體生長方法見第二章所述。如圖 5-1,生長的晶體尺寸為Φ110×80mm,呈黃黑色,主要是由發(fā)熱體質(zhì)量欠佳造成的碳揮發(fā)物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋,外形絕大部分保持完整。生長出來的晶體經(jīng)過高溫空氣退火 24 小時后,黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品,樣品經(jīng)空氣退火后加工,從圖可見在晶體的中心位置仍有少量黑色物質(zhì),中心部分的碳污染無法消除說明退火不充分,經(jīng)再次空氣退火可完全消除。由應(yīng)力儀下觀察的結(jié)果來看,晶體中無明顯應(yīng)力,也沒有因小面生長現(xiàn)象而產(chǎn)生的**,說明晶體生長過程中固液界面較平。重慶國產(chǎn)CeYAG晶體出廠價如今無機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制不斷得到改進(jìn)和發(fā)展。
高能物理和核物理實(shí)驗(yàn)要求無機(jī)閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外,由于高能物理領(lǐng)域無機(jī)閃爍晶體數(shù)量巨大,合適的價格也是一個重要指標(biāo) 什么YAG晶體可以用于極端的探測環(huán)境中?此外,在較高濃度或溫度的情況下,閃爍晶體中的發(fā)光中心也可以通過濃度或熱猝滅產(chǎn)生較短的光衰減,但這往往伴隨著晶體光輸出的降低。閃爍晶體的品質(zhì)因數(shù),Birks第1次將品質(zhì)因數(shù)(m)的概念引入無機(jī)閃爍晶體的表征中。品質(zhì)因數(shù)是指閃爍晶體的光輸出與光衰減的比值,國內(nèi)外對鈰離子摻雜的無機(jī)閃爍體進(jìn)行了大量的研究和探索[40]-[50],涉及的閃爍體包括氟化合物、溴化物、氧化物和硫化物等無機(jī)閃爍體,Ce:YAG晶體拋光難度大嗎?口碑好的CeYAG晶體服務(wù)電話,有Ce:YAG晶體的光致熒光譜嗎?
Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能,而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力,能與硅光二極管有效耦合,耐高溫不潮解,可在極端條件下應(yīng)用。因此,用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實(shí)驗(yàn)。此外,Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件,在大規(guī)模集成電路的檢測中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外,與CsI:Tl閃爍晶體相比,Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小,光衰減快,在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解,有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。CeYAG晶體具有位于230,340和460nm波段的Ce3+離子的特征。
隨著核物理和高能物理的發(fā)展,出現(xiàn)了一個必須解決的問題,那就是粒子質(zhì)量的起源。為了理解這個問題,世界上正在建造能量不斷增加的大型對撞機(jī)和加速器。這些裝置上用來測量各種質(zhì)子、電子、Uons、介子等粒子能量的探針稱為電磁量熱儀,閃爍晶體是構(gòu)建電磁量熱儀的中心材料。例如,美國斯坦福線性加速中心(SLAC)、日本高能研究所(KEK)使用CsI(Tl)晶體進(jìn)行Babar和BELLE實(shí)驗(yàn)、歐洲核中心(CERN)使用PbWO4晶體進(jìn)行CMS實(shí)驗(yàn)等。表1-3列出了近年來世界上重要高能物理實(shí)驗(yàn)中使用的無機(jī)閃爍晶體[27][28]。表1-3近年來設(shè)計的晶體量熱儀中使用的無機(jī)閃爍晶體。CeYAG晶體的優(yōu)勢:發(fā)射波長與硅光二極管的靈敏探測波長匹配。陜西生長CeYAG晶體出廠價
CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能,采用溫梯法制備。重慶國產(chǎn)CeYAG晶體出廠價
激子和類激子熒光機(jī)制。這種機(jī)制主要依賴于晶體中產(chǎn)生的自陷激子(STE)、電子缺陷激子或類激子激子以及閃爍體中產(chǎn)生閃爍熒光的電子或空穴[[21]。在一些鹵素結(jié)合的無機(jī)閃爍晶體中,通??梢垣@得小于10ns的光衰減。例如,CdF2閃爍晶體的光衰減約為7ns。但由于激發(fā)能量必須與被激發(fā)的激子或類激子能量相同或相近,所以具有這種閃爍機(jī)制的無機(jī)閃爍晶體的光輸出一般很低,STEs熒光往往在室溫下被淬滅。盡管某些堿土氟化物晶體的ste在室溫下具有大的光輸出,但它們的光衰減接近毫秒。因此,具有這種發(fā)光機(jī)制的閃爍晶體只能用于特殊目的。重慶國產(chǎn)CeYAG晶體出廠價
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