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河南品質(zhì)CeYAG晶體定制

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-04-30

Ce:YAG晶體的閃爍特征及其應(yīng)用Ce:YAG高溫閃爍晶體除了具有所列的閃爍性能外,還具有較好光脈沖區(qū)分γ射線和α粒子的能力,能與硅光二極管有效耦合,耐高溫不潮解,可以應(yīng)用于極端條件下。因此,Ce:YAG與硅光二極管耦合做成的閃爍探測(cè)器可以廣泛應(yīng)用于低能γ射線,α粒子等輕帶電粒子探測(cè)等核物理的實(shí)驗(yàn)中。另外,Ce:YAG單晶片還可以用作掃描電子顯微鏡的顯示元件,在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)方面有著重要的廣闊的應(yīng)用。目前,Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化,主要用于掃描電鏡(SEM)的顯示部件,其生長(zhǎng)方法主要為提拉法。CeYAG晶體的激光照明系統(tǒng),包括藍(lán)光半導(dǎo)體激光器,光學(xué)耦合透鏡組。河南品質(zhì)CeYAG晶體定制

Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能,而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力,能與硅光二極管有效耦合,耐高溫不潮解,可在極端條件下應(yīng)用。因此,用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測(cè)器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測(cè)等核物理實(shí)驗(yàn)。此外,Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件,在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外,與CsI:Tl閃爍晶體相比,Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小,光衰減快,在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解,有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。河南品質(zhì)CeYAG晶體定制CeYAG晶體,屬于無(wú)機(jī)閃爍體。

和小編來(lái)看看CeYAG晶體的知識(shí)的一些相關(guān)介紹,CeYAG晶體具有優(yōu)異的光學(xué)性能。CeYAG晶體是非常適合做白光LED的材料,但是還存在著缺失紅光成分等缺點(diǎn).本論文提出通過(guò)提拉法生長(zhǎng)出高質(zhì)量無(wú)缺陷的CeYAG晶體和MnYAG晶體,選取了合理的摻雜濃度,研究了其光電性能.后又通過(guò)Ce3+共摻Mn3+,Tb3+等方法,來(lái)改變單晶熒光材料的光電色性能。CeYAG單晶復(fù)合紅色熒光粉的方式可以應(yīng)用于大功率LED照明。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?/p>

CeYAG單晶與陶瓷的發(fā)光性能,制備了不同Ce~(3+)摻雜濃度(摩爾分?jǐn)?shù))的釔鋁石榴石(YAG)單晶和陶瓷,并對(duì)激光激發(fā)CeYAG單晶和陶瓷的光通量、光電轉(zhuǎn)換效率、顯色指數(shù)及色溫進(jìn)行了研究。在電流為2.6A的激光激發(fā)下,Ce~(3+)摻雜濃度為0.3%的陶瓷的光通量較高,為617.2lm;Ce~(3+)摻雜濃度為0.5%的單晶的顯色指數(shù)較高,為62,色溫為5841K。在功率為2.61W、材料中心功率密度達(dá)10.8W·mm-2的激光激發(fā)下,CeYAG單晶和陶瓷的光轉(zhuǎn)換均未達(dá)到飽和,對(duì)應(yīng)的光-光轉(zhuǎn)換效率均約為240lm·W-1。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在高功率密度激光激發(fā)下,陶瓷和單晶均適用于產(chǎn)生高亮度白光。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎?

ce : YAG晶體的閃爍特性及其應(yīng)用。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能,而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力,能與硅光二極管有效耦合,耐高溫不潮解,可在極端條件下應(yīng)用。因此,用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測(cè)器可普遍應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測(cè)等核物理實(shí)驗(yàn)。此外,Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件,在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)中有著重要而普遍的應(yīng)用。另外,與CsI:Tl閃爍晶體相比,Ce:YAG閃爍晶體響應(yīng)小,光衰減快,在小于500Kev的能量范圍內(nèi)不潮解,有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間。河南品質(zhì)CeYAG晶體定制

CeYAG閃爍晶體還可以應(yīng)用于電子探測(cè)成像(SEM)、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。河南品質(zhì)CeYAG晶體定制

CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰,這是Ce3+的特征吸收峰。目前商用白光LED中使用的藍(lán)光芯片的發(fā)射波長(zhǎng)為460nm。中心波長(zhǎng)460nm的CeYAG單晶的寬吸收帶表明,它能有效地吸收藍(lán)晶片發(fā)出的藍(lán)光,將藍(lán)晶片發(fā)出的藍(lán)光和CeYAG晶片發(fā)出的黃光疊加成白光。此外,CeYAG單晶具有良好的熱穩(wěn)定性,這對(duì)大功率白光LED器件的制造尤為重要。隨著CeYAG晶片厚度的增加,藍(lán)晶片和CeYAG晶片封裝的白光LED器件的光效率逐漸提高,色溫和顯色指數(shù)逐漸降低,隨著晶片厚度的增加,Ce3+的含量相對(duì)增加。吸收的藍(lán)光越多,發(fā)出的黃光越多,導(dǎo)致晶圓的發(fā)光從藍(lán)色變成白色變成黃色。河南品質(zhì)CeYAG晶體定制

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