根據(jù)吸收光譜計算出Tm:YAP晶體的JO參數(shù)為： 2=0.8 10-19cm2， 4=1.6 10-19cm2， 6=1.1 10-19cm2，均方根偏差為1.5110-22 cm2。根據(jù)吸收和發(fā)射的重疊積分，計算了tm3360 yap中的能量交叉測試了濃度為3at%、4at%和5at%的Tm:YAP晶體的激光性能。當泵浦功率為24W，較大功率為8.1W，比較大斜率效率為42%，激光輸出波長為1.935米時，4at % Tm:YAP c向樣品獲得比較好激光輸出。3at%、4at%及5at%濃度Tm:YAP晶體進行了激光性能的測試。其中4at%Tm:YAP c向晶體在泵浦功率為24W時，實現(xiàn)較大功率8.1W的1.935mm激光輸出，比較大斜效率達42%，為目前我們實驗中Tm:YAP晶體比較好激光輸出結(jié)果；此外對H2退火前后3at%Tm:YAP晶體激光性能進行了比較，晶體經(jīng)過氫氣退火處理，斜率效率較未經(jīng)退火的提高40%。 TmYAP晶體LD泵浦吸收帶寬比TmYAG晶體寬4nm。江蘇非線性TmYAP晶體批發(fā)

Tm:YAP與純YAP晶體具有相似的結(jié)構(gòu)嗎？報道的摻Tm3硅酸鹽晶體包括y2 O3(YSO)、CaAl2SiO7(CAS)和SrY4(SiO4)3O(SYS)。與鋁酸鹽晶體相比，硅酸鹽晶體一般對稱性較低，聲子能量較大，因此能級分裂較大，有利于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的形成。更強的晶場使它們具有更強的躍遷振子強度、更寬的吸收峰和發(fā)射峰以及更大的吸收和發(fā)射截面。但是硅酸鹽晶體一般壽命短，熱導(dǎo)率比鋁酸鹽低，影響輸出激光性能。鑒于上述硅酸鹽基質(zhì)的優(yōu)點和較差的熱力學性質(zhì)，摻Tm3的硅酸鹽晶體在薄板激光器和鎖模激光器中有很大的應(yīng)用前景。表13顯示了Tm3 YSO、CAS和SYS晶體的主要結(jié)構(gòu)參數(shù)和光譜特性。河北非線性TmYAP晶體制造TmYAP晶體的熱透鏡效應(yīng)，包括TmYAP晶體的熱透鏡焦距的理論推導(dǎo)和結(jié)合具體參數(shù)的數(shù)值計算。

在技術(shù)上，稀土的技術(shù)門檻和涉及的上下游也和半導(dǎo)體差距很大。稀土的主要門檻是精煉能力，在這方面中國是全球頭一。但別國若想在技術(shù)上追平我國，或許比我們在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的資金與時間少許多。在上下游產(chǎn)業(yè)鏈中，半導(dǎo)體牽扯到的產(chǎn)業(yè)鏈無疑更為普遍，從設(shè)計到制造、還有設(shè)備，材料等一大堆產(chǎn)業(yè)，就拿臺積電來說，其供應(yīng)商的數(shù)量就超過了3000家，稀土無疑不需要這么長的產(chǎn)業(yè)鏈條。綜述，從產(chǎn)業(yè)規(guī)模來說，稀土與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)或許不能相提并論，但重要性而言，工業(yè)缺少“糧食”會萎縮，缺少“維生素”也會衰退，兩者的區(qū)別只是在于哪種衰落的更快而已，不過由于稀土規(guī)模小，有時候可以達到四兩撥千斤的效果。

Tm:YAP晶體熒光譜及熒光壽命的溫度依賴特性多少？為了更好了解Tm3+在Tm:YAP晶體中吸收躍遷特性以及其溫度依賴特性，我們測試了4at%Tm:YAP晶體b向樣品的變溫吸收譜。圖4-7為3H6→3H4躍遷對應(yīng)的變溫吸收譜。低溫下Tm3+吸收為尖銳譜線，隨溫度升高，吸收峰變寬，吸收強度減弱，這是由于溫度升高，晶格熱振動增強，吸收過程將伴隨更多的聲子發(fā)射，使躍遷幾率減小，強度減弱，譜峰變寬。紅外側(cè)805nm之后存在兩個較弱的吸收峰，隨溫度升**度增強，我們認為這兩個小峰對應(yīng)基態(tài)中較高的Stark能級吸收躍遷。隨溫度升高，基態(tài)中較高的Stark能級熱布局增大，因而躍遷強度增大。整個吸收光譜隨溫度升高重心紅移。TmYAP晶體能級結(jié)構(gòu)通過低溫吸收譜和熒光譜，可以比較準確的確定TmYAP晶體的能級結(jié)構(gòu)。

通過已知的發(fā)射截面和吸收截面，可由下式對增益截面進行估算：(4-4)該公式中，σg(λl)表示在某一激光波長λl處的增益截面，β表示處于激發(fā)態(tài)的粒子占總粒子的分數(shù)，σem(λl)和σabs(λl)則分別表示激光波長處的發(fā)射截面和吸收截面。5at%Tm:YAP晶體E//a方向增益截面，計算所得增益截面如圖4-21，可見Tm:YAP晶體E//a方向具有寬且平緩的發(fā)射峰，以β=0.5為例，從1756nm至2150nm范圍內(nèi)增益截面均為正值，這說明Tm:YAP在2mm波段將具有寬調(diào)諧特性。增益截面峰值為1934nm，當β=0.5時，該峰值達到2.08×10-21cm2。 TmYAP晶體795nm泵浦吸收帶比常用的。江蘇非線性TmYAP晶體批發(fā)

氟化物晶體聲子能量較小，激光的上能級熒光壽命較長，有利于實現(xiàn)激光操作。江蘇非線性TmYAP晶體批發(fā)

Tm:YAP晶體主要用在哪方面?。抗矒絋m3和Ho3固態(tài)激光器。Ho3的5I7能級與Tm3的3F4能級相匹配，很容易實現(xiàn)它們之間的有效能量傳遞。利用ho3 敏化，高能脈沖激光可以實現(xiàn)2m焦耳以上的輸出。但是，Tm3和Ho3之間容易發(fā)生上轉(zhuǎn)換發(fā)光和反向能量轉(zhuǎn)移，影響上能級粒子的聚集，降低激光效率。例如，HO:LULIF4激光器的比較高單脈沖能量可達1J，而其比較高斜率效率*為16.5%[21]。因此，開發(fā)Tm3和Ho3共摻固體激光器的關(guān)鍵是找到合適的激光基質(zhì)來提高Tm3和Ho3之間的能量轉(zhuǎn)移效率，從而提高激光輸出效率。江蘇非線性TmYAP晶體批發(fā)

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