和小編來看看閃爍晶體的知識,閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下,能將高能粒子的動能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽芏l(fā)出閃光的晶體。通常應(yīng)用的閃爍晶體材料都是用人工方法培育出來的,種類也很多,從化學(xué)成分來講有氧化物、鹵化物(包括碘化物、氟化物)等。閃爍晶體可用于x射線、γ射線、中子及其他高能粒子的探測,以閃爍晶體為關(guān)鍵的探測和成像技術(shù)已經(jīng)在核醫(yī)學(xué)、高能物理、安全檢查、工業(yè)無損探傷、空間物理及核探礦等方面得到了很多的應(yīng)用。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?。從宏觀上看,直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。山西人工CeYAG晶體作用
閃爍晶體可以應(yīng)用的領(lǐng)域有很多,你知道嗎?下文就居一些簡單的例子,感興趣的一起來看看吧,在醫(yī)院,利用閃爍晶體探測注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線,在PET/CT機上獲取人體的功能和代謝顯像,代謝率高的組織或病變呈亮信號,代謝率低的呈暗信號,通過圖像醫(yī)生可以快速診斷出人體各部位的病變、相關(guān)組織的大小和位置,用于病癥早期診斷和醫(yī)治。在油田,利用閃爍晶體獲得地層放射性物質(zhì)含量和種類分布等數(shù)據(jù),從而判斷地層油氣含量和位置。山西雙摻CeYAG晶體供應(yīng)提拉法生長Ce:YAG晶體?
CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能,采用溫梯法生長了CeYAG晶體和真空燒結(jié)法制備了CeYAG透明陶瓷,并對晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能進行了對比研究.CeYAG晶體和陶瓷都具有位于230,340和460nm波段的Ce3+離子的特征吸收帶和540nm附近的發(fā)射峰,但CeYAG晶體同時存在296和370nm的色心吸收,其發(fā)射峰位于398nm,而透明陶瓷中不存在.CeYAG晶體和陶瓷的X射線熒光中均存在520nm附近的Ce3+離子發(fā)射,但晶體中還存在由反格位缺陷引起的300nm的發(fā)射.CeYAG晶體和陶瓷的光產(chǎn)額分別為16800和9800photons/MeV,納秒燈激發(fā)下的熒光壽命分別為61.9和62.97ns.CeYAG晶體與陶瓷相比,具有高的光產(chǎn)額和快的熒光衰減特性。
深剖Ce;YAG晶體,隸屬于無機閃爍晶體。無機閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過程包括從熱化電子-空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光中心,其能量轉(zhuǎn)移效率高;相反,能量傳遞效率低。這種情況下,電子和空穴往往被晶體中的雜質(zhì)或晶格缺陷俘獲,形成各種F-H色心對。同時,電子-空穴對在與晶格相互作用時也會產(chǎn)生自陷,比如離子閃爍晶體中經(jīng)常出現(xiàn)的Vk中心,這個Vk中心在本征離子閃爍晶體的發(fā)光機制中起著重要作用。CeYAG晶體發(fā)光中心波長為550nm,可以與硅光二極管等探測設(shè)備有效耦合。
鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比,氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點。因此,鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究。表1-8總結(jié)了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道,多數(shù)鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征,尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能,如Ce:YAP,Ce:YAG,Ce:LSO和Ce:LuAP等無機閃爍晶體,被譽為新一代高性能無機閃爍晶體在5KV之內(nèi)以及超過100KV的更高加速電壓下,CeYAG晶體具有更好的響應(yīng)。山西雙摻CeYAG晶體供應(yīng)
CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎?山西人工CeYAG晶體作用
Ce:YAG閃爍晶體的主要應(yīng)用在哪里?CeYAG晶體可以用于核天文學(xué)、核空間物理學(xué)、核考古學(xué)、核地質(zhì)學(xué)以及核測量學(xué)等領(lǐng)域中?在大多數(shù)無機閃爍晶體中,經(jīng)常顯示兩個或更多的光衰減時間常數(shù),它們分別對應(yīng)于快成分和慢成分。BaF2晶體是目前所有無機閃爍晶體中光衰減常數(shù)0快(約0.8ns)的閃爍材料。此外,BaF2還具有約600毫微秒的慢分量。在許多閃爍計數(shù)應(yīng)用中,不只無機閃爍晶體的光衰減性能特別重要,其光輸出性能也同樣重要。因此,品質(zhì)因數(shù)(M)通常用于表征無機閃爍晶體的性能,M指光輸出與光衰減的比率。山西人工CeYAG晶體作用
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