CeYAG晶體的一些相關(guān)知識(shí)你知道多少呢？和小編一起來(lái)看看吧，采用真空坩堝下降法生長(zhǎng)了白色發(fā)光二極管（LED）用CeYAG晶體，該生長(zhǎng)方法所得晶體的Ce3+摻雜濃度較高，相對(duì)色溫（3751K）低于傳統(tǒng)方法所生長(zhǎng)的CeYAG晶體，其激發(fā)峰是位于460 nm左右的寬峰，與藍(lán)光LED的發(fā)射波長(zhǎng)相匹配，有望代替黃色熒光粉用于白光LED。隨驅(qū)動(dòng)電流增加，白光LED的發(fā)光效率逐漸降低，相對(duì)色溫幾乎不變。在100mA時(shí)，白光LED顯色指數(shù)達(dá)到較大值。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？Ce：YAG晶體的硬度能達(dá)到多少？高光輸出快速衰減無(wú)機(jī)閃爍晶體的興起。從宏觀上看，直拉法可以生長(zhǎng)出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。北京生長(zhǎng)CeYAG晶體廠家

如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動(dòng)，發(fā)射波長(zhǎng)為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少？當(dāng)無(wú)機(jī)閃爍體中電子(空穴)的能量小于電離閾值時(shí)（(Ce:YAG屬于無(wú)機(jī)閃爍體），電子(空穴)開(kāi)始與晶格相互作用，即所謂的電子-聲子弛豫或熱化。在熱化過(guò)程中，電子和空穴分別向無(wú)機(jī)閃爍晶體導(dǎo)帶的下部和價(jià)帶的上部移動(dòng)，終形成一定數(shù)量的熱化電子空穴對(duì)，能量約為禁帶寬度eg。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對(duì)值(%NaI(Tl))稱(chēng)為“相對(duì)光輸出”。相對(duì)光輸出通常用于表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。北京生長(zhǎng)CeYAG晶體廠家CeYAG晶體的閃爍特性及其應(yīng)用。

閃爍晶體的本質(zhì)是一種能量轉(zhuǎn)換器，所以能量轉(zhuǎn)換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數(shù)，是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發(fā)射光子的平均能量是發(fā)射的閃爍光子數(shù)。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體，能量轉(zhuǎn)換效率的重要的物理參數(shù)，是指閃爍體吸收并消耗1mV射線能量后發(fā)出的可見(jiàn)/紫外光子數(shù)。即閃爍過(guò)程中產(chǎn)生的閃爍光子數(shù)與閃爍晶體中光線或粒子損失的能量之比。 提拉法生長(zhǎng)Ce:YAG晶體。鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學(xué)性能以及穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)等優(yōu)點(diǎn)。

閃爍晶體可以應(yīng)用的領(lǐng)域有很多，你知道嗎？下文就居一些簡(jiǎn)單的例子，感興趣的一起來(lái)看看吧，在醫(yī)院，利用閃爍晶體探測(cè)注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線，在PET/CT機(jī)上獲取人體的功能和代謝顯像，代謝率高的組織或病變呈亮信號(hào)，代謝率低的呈暗信號(hào)，通過(guò)圖像醫(yī)生可以快速診斷出人體各部位的病變、相關(guān)組織的大小和位置，用于病癥早期診斷和醫(yī)治。在油田，利用閃爍晶體獲得地層放射性物質(zhì)含量和種類(lèi)分布等數(shù)據(jù)，從而判斷地層油氣含量和位置。如今無(wú)機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制不斷得到改進(jìn)和發(fā)展。

利用提拉法生長(zhǎng)出的品質(zhì)高的CeYAG閃爍晶體開(kāi)展了高分辨率X射線成像系統(tǒng)關(guān)鍵器件——閃爍體研制工作，成功制備了尺寸為Φ30mm，厚度為30-45μm的品質(zhì)高的閃爍晶體元件，并研制出基于超薄CeYAG閃爍晶體的高分辨X光探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)X光輻照條件下高分辨成像。CeYAG作為閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，并且它的發(fā)光峰(550nm)能很好的與光電二極管的靈敏波長(zhǎng)配合，適合于在用光電二極管作為光探測(cè)器和探測(cè)輕帶電粒子時(shí)使用。且不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，可以應(yīng)用于極端的探測(cè)環(huán)境中。用CeYAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測(cè)器可應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測(cè)等核物理實(shí)驗(yàn)。北京生長(zhǎng)CeYAG晶體廠家

當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí)，晶體中電子空穴對(duì)Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。北京生長(zhǎng)CeYAG晶體廠家

無(wú)機(jī)閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機(jī)理之電子空穴對(duì)的產(chǎn)生，該過(guò)程可由以下公式(1.1)表示：A ＋ hν → A+ + e在上式中，hν 是入射γ光子的能量；a表示是無(wú)機(jī)閃爍晶體中的原子；a+是離子；e是產(chǎn)生的一次電子。在這個(gè)過(guò)程中，原子的內(nèi)層也會(huì)產(chǎn)生初級(jí)空穴。閃爍機(jī)制的第二步是電子和空穴的豫過(guò)程。一方面，對(duì)于非輻射豫或輻射豫，A離子通過(guò)內(nèi)部空穴從K層遷移到L、M和其他俄歇層而發(fā)射光子，從而發(fā)射俄電子。通常，非輻射豫的概率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于輻射豫的概率。北京生長(zhǎng)CeYAG晶體廠家

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