在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。在晶體場的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級分裂為5個子能級，比較低5d子能級離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點。在可見光范圍內(nèi)可以觀察到4個特征吸收峰，峰值波長分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對應(yīng)比較低5d子能級至2F5/2基態(tài)能級。如果高能射線入射，其熒光光譜向紅色移動，發(fā)射波長為550納米，可以很好地與硅光二極管耦合。CeYAG作為閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖。廣東國產(chǎn)CeYAG晶體銷售商

隨著核物理和高能物理的發(fā)展，出現(xiàn)了一個必須解決的問題，那就是粒子質(zhì)量的起源。為了理解這個問題，世界上正在建造能量不斷增加的大型對撞機(jī)和加速器。這些裝置上用來測量各種質(zhì)子、電子、Uons、介子等粒子能量的探針稱為電磁量熱儀，閃爍晶體是構(gòu)建電磁量熱儀的中心材料。例如，美國斯坦福線性加速中心(SLAC)、日本高能研究所(KEK)使用CsI(Tl)晶體進(jìn)行Babar和BELLE實驗、歐洲核中心(CERN)使用PbWO4晶體進(jìn)行CMS實驗等。表1-3列出了近年來世界上重要高能物理實驗中使用的無機(jī)閃爍晶體[27][28]。廣東國產(chǎn)CeYAG晶體銷售商閃爍晶體是在高能射線的前提下形成的。

文獻(xiàn)已經(jīng)系統(tǒng)地報道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能，現(xiàn)總結(jié)如下：相對光輸出約為NaI:Tl的38-50%；光衰減，對于γ-射線激發(fā)，快成分衰減時間約為26.7±0.12ns，強(qiáng)度占89±2%，慢成分衰減常數(shù)為140±10ns，對于α－粒子激發(fā)快成分衰減常數(shù)為24.8±0.12ns，強(qiáng)度占85±2%，慢成分衰減常數(shù)為100±5ns；中等密度（5.35g/cm3）和中等有效原子序數(shù)（Zeff=39）等。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體在小于500Kev能量范圍其γ響應(yīng)小，光衰減快，不潮解等，因此可望部分取代CsI:Tl閃爍晶體的應(yīng)用。

電子-空穴對的數(shù)量直接決定了無機(jī)閃爍晶體的光輸出。假設(shè)產(chǎn)生一對電子-空穴對所需的平均能量為eh，光子的能量E全部被閃爍晶體吸收，那么無機(jī)閃爍晶體形成的電子-空穴對的數(shù)目Neh可以由下式表示Neh=Er/ξeh=Er/βEg 當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時，晶體中電子空穴對Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān))，可以得出：無機(jī)閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。無機(jī)閃爍晶體晶體應(yīng)用很廣，可用在核醫(yī)學(xué)成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)。

CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。目前，可以提供摻雜濃度0.08－1at%摻雜高度透明的CeYAG閃爍晶體。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間（約70ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定，可以應(yīng)用于極端的探測環(huán)境中。CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域，另外它還可以應(yīng)用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。CeYAG閃爍晶體開展了高分辨率X射線成像系統(tǒng)關(guān)鍵器件——閃爍體研制工作。廣東國產(chǎn)CeYAG晶體銷售商

CeYAG晶體，屬于無機(jī)閃爍體。廣東國產(chǎn)CeYAG晶體銷售商

鈰離子摻雜高溫?zé)o機(jī)閃爍晶體具有高光輸出快衰減的閃爍性能及優(yōu)良的物化特性，但是要將高溫閃爍晶體廣泛應(yīng)用于各種閃爍探測領(lǐng)域中尚需時日。一方面，高溫閃爍晶體屬于非本征閃爍晶體，人為引入的激發(fā)中心在晶體中的分布對閃爍性能影響較大，同時激發(fā)中心與晶體中的各種缺陷的相互作用機(jī)制也比較復(fù)雜，使得晶體的閃爍性能更加依賴于生長方法以及后處理工藝等；另一方面，高溫閃爍晶體具有較高的熔點使得大尺寸高質(zhì)量閃爍晶體的生長較為困難。鈰離子摻雜無機(jī)閃爍晶體的研究現(xiàn)狀，由于鈰離子摻雜的無機(jī)閃爍體通常具有高光輸出和快速衰減的特點，因此從20世紀(jì)80年代末和90年代初開始。廣東國產(chǎn)CeYAG晶體銷售商

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