提高Tm3激光器效率的有效途徑之一是選擇聲子能量較高的襯底，以增加基態(tài)的斯塔克分裂，增強躍遷的振子強度，增加發(fā)射截面3H4能級的Tm3除了把能量轉(zhuǎn)移到基態(tài)外，還可能跳低到3H5和3F4能級，產(chǎn)生約2.3m和1.4m的熒光，并可能吸收另一個光子，借助聲子跳高到1G4和1D2能級，從而影響3H4 3H62 3F4的能量交叉弛豫過程。由于上轉(zhuǎn)換概率隨著Tm3摻雜濃度的增加而增加，因此在Tm3激光晶體中選擇合適的摻雜濃度是必要的。Tm:YAP和Tm:LSO兩微米波段激光晶體生長、光譜和激光性能的研究.TmYAP晶體熒光譜及熒光壽命的溫度依賴特性為4at%TmYAP晶體b方向非偏振溫度依賴熒光光譜。廣西激光二極管抽運TmYAP晶體批發(fā)
Tm:YAP晶體熒光譜及熒光壽命？一、基質(zhì)材料，激光工作物質(zhì)中的基體材料為離子提供了外場，使離子產(chǎn)生合適的激光發(fā)射，并影響發(fā)射峰位置和發(fā)射線寬。由相同活化離子的不同基質(zhì)組成的工作物質(zhì)可以具有不同的發(fā)射波長范圍、激光閾值和激光傾斜效率。Tm:YAP晶體結(jié)構(gòu)及分凝系數(shù)如前所述，YAP晶體屬正交晶系畸變鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，空間群為D162h (Pnma)，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖4-2所示，其中Al3+的配位數(shù)為6，處于氧八面體的中心，而Y3+的配位數(shù)是12，處于氧配位多面體的中心。Y-O鍵間距離2.62?，使稀土離子很容易取代Y3+進入晶格1。海南全固態(tài)TmYAP晶體直銷Tm:YAP晶體具有良好的光學性能。
共摻Tm3和Ho3固態(tài)激光器。Ho3的5I7能級與Tm3的3F4能級相匹配，很容易實現(xiàn)它們之間的有效能量傳遞。利用ho3 敏化，高能脈沖激光可以實現(xiàn)2m焦耳以上的輸出。但是，Tm3和Ho3之間容易發(fā)生上轉(zhuǎn)換發(fā)光和反向能量轉(zhuǎn)移，影響上能級粒子的聚集，降低激光效率。例如，HO:LULIF4激光器的比較高單脈沖能量可達1J，而其比較高斜率效率*為16.5%。因此，開發(fā)Tm3和Ho3共摻固體激光器的關(guān)鍵是找到合適的激光基質(zhì)來提高Tm3和Ho3之間的能量轉(zhuǎn)移效率，從而提高激光輸出效率。
比較了3at%Tm:YAP晶體在H2退火前后的激光性能。H2退火后3at% tm3360yap晶體的斜率效率比未退火時高40%。如圖4-23所示，可以看出H2退火減少了雜質(zhì)離子(Fe3等。)和晶體中的缺陷，提高晶體的激光性能。具體原因需要進一步分析。Tm3離子在790nm附近的吸收與商用二極管匹配良好，量子效率接近200%。摻Tm3激光器可用作Ho3激光器和中紅外參量振蕩器的泵浦源。摻tm3激光器是近年來2m激光器的重點研究方向之一，以摻Tm3激光晶體為工作物質(zhì)的LDPSSL是目前摻Tm3激光器的主要發(fā)展方向之一。Tm:YAG晶體具有2微米波長銩激光源的理想銩晶體棒介質(zhì)。
我們提供的Tm:YAG晶體,摻銩釔鋁石榴石晶體如下： I）Tm:YAG晶體摻雜濃度從1 at.％ 到8 at ％ Tm/Y; II)摻銩釔鋁石榴石晶體棒的直徑為從2mm到7mm,棒的長度達100mm; III)Tm:YAG晶體,摻銩釔鋁石榴石晶體可提供增透，局部或高反等諸多鍍膜選擇。 Tm:YAG晶體中文名摻銩釔鋁石榴石晶體,Tm:YAG晶體具有2微米波長固體激光源的理想介質(zhì)?；谝陨现匾膽脙r值，2m激光一直是激光發(fā)展的重要方向之一。早在1962年，Johnson L F團隊就報道了摻Ho3和摻TM3的2M帶的激光輸出是在鎢酸鈣(CaWO4)晶體中中實現(xiàn)的。Tm:YAP是二極管泵浦發(fā)射2μm波段激光的重要晶體。廣西激光二極管抽運TmYAP晶體批發(fā)
TmYAP晶體具有寬的吸收峰、長熒光壽命和較大的積分發(fā)射截面的性質(zhì)。廣西激光二極管抽運TmYAP晶體批發(fā)
一般來說，作為激光工作物質(zhì)的基體材料應具有以下特征：(1)良好的光學性能?；w材料應具有寬的傳輸線和高的透光率，以滿足激光輸出的需要。(2) 良好的力學和熱力學性能?；w應具有高的機械強度和導熱性，小的熱膨脹系數(shù)和穩(wěn)定的熱光性能。由于激光會產(chǎn)生大量的熱能和一系列的熱效應，從而影響激光的振蕩閾值，甚至損害工作物質(zhì)的質(zhì)量，所以熱力學性能對于激光工作物質(zhì)來說非常重要。(3)可以為活性離子提供合適的摻雜位置。為了獲得不同功率的不同種類的激光輸出，需要一定濃度的活化離子，因此基體材料應該具有與活化離子半徑相近的元素，以保證活化離子能夠順利進入晶格。(4)易于準備?？梢栽诒ＷC光學質(zhì)量的前提下制備摻雜材料。廣西激光二極管抽運TmYAP晶體批發(fā)
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