釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料，例如，Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、**醫(yī)療、以及科研等領(lǐng)域。特別是近二十年來，隨著LD泵浦固體激光器的迅猛發(fā)展，國際上對Yb:YAG激光晶體又掀起研究高潮，出現(xiàn)了大量的文獻報道。早期為了發(fā)展可調(diào)諧激光晶體，人們研究了Ce:YAG晶體的光學(xué)特性，由于存在嚴(yán)重的激發(fā)態(tài)吸收，使得Ce:YAG的研究停滯不前[。盡管1967年，Blasse已經(jīng)發(fā)現(xiàn)Ce:YAG熒光粉[98]具有優(yōu)良的閃爍性能，但是對其單晶的研究并沒有受到足夠的重視。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間。重慶品質(zhì)CeYAG晶體作用

當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時，晶體中電子空穴對Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān))，可以得出：無機閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無機閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進行比較得到的相對值(%NaI(Tl))稱為“相對光輸出”。相對光輸出通常用于表征無機閃爍晶體的光輸出。浙江CeYAG晶體廠家電子-空穴對的數(shù)量直接決定了無機閃爍晶體的光輸出。

閃爍晶體可以應(yīng)用的領(lǐng)域有很多，你知道嗎？可來看看下文的一些介紹，閃爍晶體在工業(yè)探傷領(lǐng)域，人們利用閃爍晶體探測X射線，在工業(yè)CT上獲取工件內(nèi)部的缺陷結(jié)構(gòu)和分布，避免工件失效和改善工件品質(zhì)；在醫(yī)院，人們采用閃爍晶體探測注入人體內(nèi)的放射性示蹤劑產(chǎn)生的高能伽馬射線，在PET/CT上獲取人體的功能、代謝和受體顯像，診斷病癥和研發(fā)新藥。經(jīng)過多年的發(fā)展，多種閃爍晶體材料得以成功研制并作為產(chǎn)品大批量走向國內(nèi)外市場。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?/p>

關(guān)于新型閃爍晶體及其應(yīng)用的國際學(xué)術(shù)交流極其頻繁和活躍。例如，關(guān)于新閃爍晶體及其應(yīng)用的第1次國際會議“水晶2000”于1992年在法國夏蒙尼舉行，由“水晶透明協(xié)作”小組主辦。隨后，研究合作小組分別于1994年、1995年、1997年、1999年和2001年在美國，荷蘭，中國和俄羅斯舉行了兩年一次的新型閃爍材料學(xué)術(shù)研討會[39]。這些研討會極大地促進了具有高光輸出和快速衰減的無機閃爍晶體的研究和發(fā)展。特別是鈰離子摻雜的無機閃爍晶體，如Ce:YAP、Ce:LSO和Ce:LuAP，受到了極大的關(guān)注，被認(rèn)為是新一代高光輸出、快衰減的無機閃爍晶體材料。提拉法生長Ce:YAG晶體?通常應(yīng)用的閃爍晶體材料都是用人工方法培育出來的。

Ce:YAG晶體的發(fā)射峰的中心波長約為550nm嗎？無機閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機理之電子空穴對的產(chǎn)生。電子-空穴對的產(chǎn)生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結(jié)果。主要包括原子的電離和激發(fā)，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發(fā)無機閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對效應(yīng)產(chǎn)生的電子電離和激發(fā)晶體中的原子。當(dāng)入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時，主要發(fā)生光電效應(yīng)，即高能射線與晶體中原子的內(nèi)層電子(通常是K層)相互作用產(chǎn)生初級光電子。CeYAG閃爍晶體是將高能轉(zhuǎn)換為可見光的一種典型光電轉(zhuǎn)換材料。重慶品質(zhì)CeYAG晶體作用

CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能，采用溫梯法制備。重慶品質(zhì)CeYAG晶體作用

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。在晶體場的作用下，4f1電子構(gòu)型的Ce3離子基態(tài)分裂為2F5/2和2F7/2雙態(tài)，其5d能級分裂為5個子能級，比較低5d子能級離基態(tài)約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點。在可見光范圍內(nèi)可以觀察到4個特征吸收峰，峰值波長分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對應(yīng)于Ce3離子從4f到5d的亞能級躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對應(yīng)比較低5d子能級至2F5/2基態(tài)能級。重慶品質(zhì)CeYAG晶體作用

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