深圳市芯技科技有限公司2025-06-05
選擇低Qg(柵極電荷)和低Rds(on)的器件,如芯技的SGT MOSFET(Qg只25nC),并優(yōu)化散熱設(shè)計(如加裝散熱片或選用TO-220封裝)。
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