晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一、產(chǎn)品特點(diǎn)：1、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓；2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝；3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù)；4、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，300A以上模塊，既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷；7、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便，體積小，重量輕。二、型號(hào)說(shuō)明：三、技術(shù)參數(shù)：型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式：五、產(chǎn)品應(yīng)用：1、交直流電機(jī)控制；2、各種整流電源；3、工業(yè)加熱控制；4、調(diào)光；5、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)；6、電機(jī)軟起動(dòng)；7、靜止無(wú)功補(bǔ)嘗；8、電焊機(jī)；9、變頻器；10、UPS電源；11、電池充放電。說(shuō)明：，Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值，表中其它參數(shù)皆jm下的測(cè)試值;，在50HZ頻率下，I2t(10ms)=(A2S);d.當(dāng)使用在電流為60HZ情況下，Itsm()=(10ms),I2t()=。正高電氣公司地理位置優(yōu)越，擁有完善的服務(wù)體系。河北穩(wěn)壓模塊供應(yīng)商

晶閘管模塊電流規(guī)格的選取

1、根據(jù)負(fù)載性質(zhì)及負(fù)載額定電流進(jìn)行選取

（1）電阻負(fù)載的較大電流應(yīng)是負(fù)載額定電流的2倍。

（2）感性負(fù)載的較大電流應(yīng)為額定負(fù)載電流的3倍。

（3）負(fù)載電流變化較大時(shí)，電流倍數(shù)適當(dāng)增大。

（4）在運(yùn)行過(guò)程中，負(fù)載的實(shí)際工作電流不應(yīng)超過(guò)模塊的較大電流。

2、散熱器風(fēng)機(jī)的選用

模塊正常工作時(shí)必須配備散熱器和風(fēng)機(jī)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)。如果用戶是自己提供的，則使用以下原則來(lái)選擇：

（1）模塊正常工作時(shí)，必須能保證冷卻底板溫度不超過(guò)75℃；

（2）當(dāng)模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻；

（3） 有水冷條件的，應(yīng)優(yōu)先水冷散熱 。

3、使用要求

（1）工作場(chǎng)所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃；

（2）模塊周圍需要干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無(wú)塵、無(wú)腐蝕性液體或氣體。

（3）模塊電極上的銅線嚴(yán)禁不用端子直接壓接，以免接觸不良引起附加發(fā)熱。

（4）應(yīng)經(jīng)常測(cè)量固體繼電器導(dǎo)熱襯底側(cè)或固態(tài)繼電器附近散熱器的表面溫度，測(cè)點(diǎn)溫度應(yīng)小于80℃。 河北穩(wěn)壓模塊供應(yīng)商正高電氣為消費(fèi)者帶來(lái)更***的生活空間。

    晶閘管模塊通常包含一個(gè)或多個(gè)晶閘管，并且還可能包含二極管等其他半導(dǎo)體設(shè)備。它們具有一個(gè)電氣隔離基板，這樣可以使其他元件安裝在同一散熱片上。這樣可簡(jiǎn)化系統(tǒng)安裝、包裝和冷卻。晶閘管模塊的工作原理是什么？晶閘管模塊可用作開(kāi)關(guān)，在持續(xù)電流達(dá)到設(shè)定值時(shí)開(kāi)啟。它們持續(xù)導(dǎo)電（接通），直到設(shè)備電壓反向?yàn)橹?。這些模塊由P和N（正和負(fù)）型半導(dǎo)體交替層疊，形成四層半導(dǎo)體材料。它們?cè)O(shè)計(jì)用于中、高電流電源的控制應(yīng)用，功能與硅控制設(shè)備相同。晶閘管模塊可循環(huán)額定電壓和電流較高的大功率電源。晶閘管模塊的應(yīng)用晶閘管模塊可用于各種應(yīng)用，其中包括：交流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電源熱/溫度控制（例如化學(xué)過(guò)程和大型商業(yè)烤箱）電焊機(jī)照明控制大型IGBT前端電路電池充電器直流制動(dòng)橋接電路。

    晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開(kāi)路的條件下，在其陽(yáng)極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時(shí)，允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，晶閘管正常工作時(shí)A、K(或T1、T2)極間所允許通過(guò)電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下，晶閘管陽(yáng)極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時(shí)，允許加在A、K極間的比較大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。正高電氣具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。

晶閘管模塊

晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外部接線簡(jiǎn)單、互換性好、維護(hù)安裝方便等優(yōu)點(diǎn)，自誕生以來(lái)就受到各大功率半導(dǎo)體制造商的青睞，并得到了極大的發(fā)展。

晶閘管模塊一般對(duì)錯(cuò)正弦電流有疑問(wèn)，存在導(dǎo)通角，負(fù)載電流具有一定的波動(dòng)和不穩(wěn)定因素，晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差，因此在選擇模塊的電流標(biāo)準(zhǔn)時(shí)一定要留出一定的余量。

模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過(guò)載能力。溫度越低，模塊輸出電流越大。因此，在運(yùn)行中必須配備散熱器和風(fēng)扇。建議選擇具有過(guò)熱維護(hù)功能的商品，有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 正高電氣以更積極的態(tài)度，更新、更好的產(chǎn)品，更質(zhì)量的服務(wù)，迎接挑戰(zhàn)。河北穩(wěn)壓模塊供應(yīng)商

正高電氣注重于產(chǎn)品的環(huán)保性能，將應(yīng)用美學(xué)與環(huán)保健康結(jié)合起來(lái)。河北穩(wěn)壓模塊供應(yīng)商

    由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部，所以元件在關(guān)斷過(guò)程中，正向電壓下降到零時(shí)，內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時(shí)反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L（di/dt）值仍很大，這個(gè)電勢(shì)和電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓，稱為關(guān)斷過(guò)電壓，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開(kāi)通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無(wú)感電阻，以取得較好的保護(hù)效果。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。（2）壓敏電阻吸收過(guò)電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過(guò)1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。河北穩(wěn)壓模塊供應(yīng)商

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