光通信雖然以光作為傳播媒介，但歸根結底還是基于電的。光載波需要使用電信號來進行調制，接收機接收到光信號也需要將其轉換為電信號，才能獲得所攜帶的信息。光的帶寬暫且可以認為是無限的，但是電信號的帶寬不可能無限提高。相對于低頻信號，高頻信號有著更高的損耗（包括導線損耗、介質損耗以及電磁輻射等），這就導致信號通路的頻率響應是一條向下的曲線，高頻成分的減少導致上升下降時間會比原來更長（因為高次諧波比低次諧波更為陡峭，這點很容易理解）。因此帶寬的選擇對時域波形的較短上升邊有直接的影響。光電流在外部電路作用下形成電信號并輸出。深圳高速光電探測器有什么

固體光電探測器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動曝光）中得到采用；光電池是固體光電器件中具有比較大光敏面積的器件，它除用做探測器件外，還可作太陽能變換器；硅光電二極管體積小、響應快、可靠性高，而且在可見光與近紅外波段內有較高的量子效率，因而在各種工業(yè)控制中獲得應用。硅雪崩管由于增益高、響應快、噪聲小，因而在激光測距與光纖通信中普遍采用。photoconductivedetector利用半導體材料的光電導效應制成的一種光探測器件。所謂光電導效應，是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現象。光電導探測器在國民經濟的各個領域有較廣用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于導彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。30GHZ APD光電探測器型號光電探測器必須和光信號的調制形式、信號頻率及波形相匹配。

PN結加正向電壓時，產生多子電流，與光生電流方向相反，并且電流比光生電流大得多，此時無法作為光探測器。PN結處于反向偏壓狀態(tài)時，產生的光電子會被反向偏壓迅速通過電場與電極收集，產生反向光電流，通過檢測光電流大小即可得到光功率強度。處于零偏壓的PN結可作為光電池使用。一個大面積的PN結，做好上下極的接觸引線便構成一個光電池。一般光敏面做成梳齒狀，可以減小光生載流子的復合以提高能量轉換效率，減小串聯電阻。對于光電池，負載電阻較大時，輸出線性較差，可獲得較大的輸出電壓，對于不同的入射光強，也會具有不同的最大輸入功率，往往采用多個光電池的串-并聯組合運用。

光電探測器的基本工作機理包括三個過程：(1)光生載流子在光照下產生;(2)載流子擴散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉換為電壓信號。當探測器表面有光照射時，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv，則價帶電子可以躍遷到導帶形成光電流。當光在半導體中傳輸時，光波的能量隨著傳播會逐漸衰減，其原因是光子在半導體中產生了吸收。半導體對光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過測試半導體的本征吸收光譜除了可以得到半導體的禁帶寬度等信息外，還可以用來分辨直接帶隙半導體和間接帶隙半導體。本征吸收導致材料的吸收系數通常比較高，由于半導體的能帶結構所以半導體具有連續(xù)的吸收譜。從吸收譜可以看出，當本征吸收開始時，半導體的吸收譜有一明顯的吸收邊。但是對于硅材料，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低，因而只有非常小的吸收系數，同時導致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。APD適用于接收靈敏度要求高的長距離傳輸和高速率通信系統(tǒng)。

光電探測器是光接收器的主要器件之一，用來將光功率轉換為電流。根據系統(tǒng)的性能目標，可以選用PIN或APD（雪崩光電二極管）光電探測器。誤碼率（BER）是用于指定通信傳輸系統(tǒng)可靠性的主要指標，通常與接收機靈敏度值相關，該值定義了必須到達光電探測器的較小平均光功率，以實現所需的BER性能。另外，信道的Q值可以從采樣的信號統(tǒng)計中計算出來，并用于估計系統(tǒng)的誤碼率。光電探測器在定義基本通信系統(tǒng)的較終靈敏度方面起著重要的作用，因為它以散彈噪聲和熱噪聲的形式提供統(tǒng)計擾動，并引入了暗電流及定義響應率來衡量每單位輸入功率獲得多少電輸出。這些特性取決于入射光的波長和傳感器的材料特性和物理設計。半導體對光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。深圳高速光電探測器有什么

光電探測器必須和輸入電路在電特性上良好地匹配。深圳高速光電探測器有什么

半導體光子型探測器的性能在很大程度上取決于制備探測器所用的半導體材料。本征半導體材料比摻雜半導體材料更加有用。本征半導體材料既能用來制作光導型探測器，又能制做光伏型探測器；而摻雜半導體只能做成光導型探測器。截止波長較長的半導體光子型探測器，大多數必須在較低溫度下工作，如77K，38K或4.2K。同一探測器在室溫下的探測率明顯低于低溫下的探測率。為了保持半導體光子型探測器的正常工作，常把探測器置于低溫容器（杜瓦瓶）中，或用微型致冷器使探測器達到較低的工作溫度。深圳高速光電探測器有什么

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