銷(xiāo)售上海市芯片行情上海勤確科技供應(yīng)

來(lái)源：發(fā)布時(shí)間：2022-06-27

芯片的測(cè)試流程根據(jù)不同的測(cè)試階段，可以分為三類(lèi)：晶圓測(cè)試，封裝測(cè)試和系統(tǒng)級(jí)測(cè)試。晶圓測(cè)試也叫“CP”,就是直接將一整片晶圓放到機(jī)臺(tái)里面進(jìn)行測(cè)試。

芯片測(cè)試的方法：外觀檢查就是目測(cè)或利用一些簡(jiǎn)單儀器，如立體顯微鏡、金相顯微鏡甚至放大鏡等工具檢查PCB的外觀，尋找失效的部位和相關(guān)的物證，主要的作用就是失效定位和初步判斷PCB的失效模式。外觀檢查主要檢查PCB的污染、腐蝕、爆板的位置、電路布線以及失效的規(guī)律性、如是批次的或是個(gè)別，是不是總是集中在某個(gè)區(qū)域等等。另外，有許多PCB的失效是在組裝成PCBA后才發(fā)現(xiàn)，是不是組裝工藝過(guò)程以及過(guò)程所用材料的影響導(dǎo)致的失效也需要仔細(xì)檢查失效區(qū)域的特征。

芯片測(cè)試的目的是剔除在設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程中失效和潛在的失效芯片，防止不良品流入客戶(hù)。因此我們?cè)谶x型時(shí)，需要增加芯片測(cè)試級(jí)別的評(píng)估，通過(guò)與原廠以及封測(cè)廠的交流，獲取芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證→過(guò)程工藝檢測(cè)→晶圓測(cè)試→芯片成品測(cè)試階段的關(guān)鍵參數(shù)和指標(biāo)來(lái)綜合評(píng)估。

芯片各支路功耗：芯片電源按電平種類(lèi)劃分，測(cè)出各路功耗值。單板功耗：是產(chǎn)品電路板總電源處測(cè)得電壓和電流，得出的功耗值整機(jī)功耗：完整的產(chǎn)品形態(tài)，在電源適配器AC輸入端測(cè)得的功耗，因?yàn)殡娫催m配器有一定的電源轉(zhuǎn)化效率及損耗，所以要計(jì)算在內(nèi)。

對(duì)于芯片封裝而做出規(guī)劃，為SoC設(shè)備所做的逐塊測(cè)試規(guī)劃必須實(shí)現(xiàn)：正確配置用于邏輯測(cè)試的ATPG工具；測(cè)試時(shí)間短；新型高速故障模型以及多種內(nèi)存或小型陣列測(cè)試。對(duì)生產(chǎn)線而言，診斷方法不僅要找到故障，而且還要將故障節(jié)點(diǎn)與工作正常的節(jié)點(diǎn)分離開(kāi)來(lái)。此外，只要有可能，應(yīng)該采用測(cè)試復(fù)用技術(shù)以節(jié)約測(cè)試時(shí)間。在高集成度IC測(cè)試領(lǐng)域，ATPG和IDDQ的可測(cè)試性技術(shù)具備強(qiáng)大的故障分離機(jī)制

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