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進口光刻膠報價

來源： 發(fā)布時間：2025-06-16

 吉田半導體納米壓印光刻膠 JT-2000：國產(chǎn)技術突破耐高溫極限

自主研發(fā) JT-2000 納米壓印光刻膠耐受 250℃高溫，為國產(chǎn)納米器件制造提供關鍵材料。吉田半導體 JT-2000 納米壓印光刻膠采用國產(chǎn)交聯(lián)樹脂，在 250℃高溫下仍保持圖形保真度 > 95%。產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與全自動化工藝，其高粘接強度與耐強酸強堿特性，適用于光學元件、傳感器等精密器件。產(chǎn)品已通過國內科研機構驗證，應用于國產(chǎn) EUV 光刻機前道工藝，幫助客戶實現(xiàn)納米結構加工自主化。
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光刻膠的主要應用領域

光刻膠是微電子制造的主要材料，廣泛應用于以下領域：

 半導體制造

? 功能：在晶圓表面形成微細電路圖案，作為蝕刻或離子注入的掩膜。

? 分類：

? 正性光刻膠：曝光區(qū)域溶解于顯影液，形成與掩膜版一致的圖案（主流，分辨率高）。

? 負性光刻膠：未曝光區(qū)域溶解，形成反向圖案（用于早期工藝，耐蝕刻性強）。

? 技術演進：隨制程精度提升，需匹配不同曝光波長（紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV），例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。

 平板顯示（LCD/OLED）

? 彩色濾光片（CF）：在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元，光刻膠用于圖案化黑矩陣（BM）、彩色層（R/G/B）和保護層。

? 電極圖案：制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極，需高透光率和精細邊緣控制。

 印刷電路板（PCB）

? 線路蝕刻：在覆銅板上涂膠，曝光顯影后保留線路區(qū)域，蝕刻去除未保護的銅箔，形成導電線路。

? 阻焊與字符層：阻焊膠覆蓋非線路區(qū)域，防止短路；字符膠用于印刷電路板標識。

 LED與功率器件

? 芯片制造：在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結構，需耐高功率環(huán)境的耐高溫光刻膠。

? Micro-LED：微米級芯片轉移和陣列化，依賴超高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）。

北京正性光刻膠價格吉田半導體全流程解決方案，賦能客戶提升生產(chǎn)效率。

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吉田半導體柯圖泰全系列感光膠：進口品牌品質，本地化服務支持

柯圖泰全系列感光膠依托進口技術，提供高性價比的絲網(wǎng)印刷解決方案。
吉田半導體代理的柯圖泰全系列感光膠（如 PLUS 6000、Autosol 2000），源自美國先進配方，分辨率達 120 線 / 英寸，適用于玻璃、陶瓷等多種基材。產(chǎn)品通過 SGS 認證，符合電子行業(yè)有害物質限制要求，其高感光度與耐摩擦性，確保絲網(wǎng)印刷的清晰度與耐久性。公司提供技術參數(shù)匹配、制版工藝指導等本地化服務，幫助客戶優(yōu)化生產(chǎn)流程，降低材料損耗。

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。

UV 納米壓印光刻膠：JT-2000 型號，耐強酸強堿，耐高溫達 250°C，長期可靠性高，粘接強度高，重量 100g。適用于需要在特殊化學和高溫環(huán)境下進行納米壓印光刻的工藝，如半導體器件制造。

其他光刻膠

  • 水油光刻膠 JT-2001：屬于水油兩用光刻膠，具有工廠研發(fā)、可定制、使用、品質保障、性能穩(wěn)定的特點，重量 1L。
  • 水油光刻膠 SR-3308：同樣為水油兩用光刻膠，重量 5L，具備上述通用優(yōu)勢，應用場景。


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納米壓印光刻膠


  • 微納光學器件制造：制作衍射光學元件、微透鏡陣列等微納光學器件時，納米壓印光刻膠可實現(xiàn)高精度的微納結構復制。通過納米壓印技術，將模板上的微納圖案轉移到光刻膠上，再經(jīng)過后續(xù)處理，可制造出具有特定光學性能的微納光學器件，應用于光通信、光學成像等領域。
  • 生物芯片制造：在 DNA 芯片、蛋白質芯片等生物芯片的制造中，需要在芯片表面構建高精度的微納結構，用于生物分子的固定和檢測。納米壓印光刻膠可幫助實現(xiàn)這些精細結構的制作，提高生物芯片的檢測靈敏度和準確性。


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    吉田市場定位與未來布局。進口光刻膠報價

    廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。

    厚板光刻膠：JT-3001 型號，具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標準，保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造。

    負性光刻膠

    • SU-3 負性光刻膠：分辨率優(yōu)異，對比度良好，曝光靈敏度高，光源適應，重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
    • 負性光刻膠 JT-1000：有 1L 和 100g 兩種規(guī)格，具有優(yōu)異的分辨率、良好的對比度和高曝光靈敏度，光源適應。主要應用于對光刻精度要求高的領域，如半導體器件制造。
    • 耐腐蝕負性光刻膠 JT-NF100：重量 1L，具備耐腐蝕特性。適用于有腐蝕風險的光刻工藝，如特殊環(huán)境下的半導體加工或電路板制造。


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