吉田半導體 SU-3 負性光刻膠:國產(chǎn)技術(shù)賦能 5G 芯片封裝
自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工,成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對 5G 芯片封裝需求,吉田半導體自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠,分辨率達 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學性確保復雜圖形的完整性,已應用于高通 5G 基帶芯片量產(chǎn)。產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與工藝,不采用國外材料,成本較進口產(chǎn)品降低 40%,幫助客戶提升封裝良率至 98.5%,為國產(chǎn) 5G 芯片制造提供關(guān)鍵材料支撐。
吉田半導體光刻膠,45nm 制程驗證,國產(chǎn)替代方案!江西負性光刻膠報價
光刻膠的工作原理:
1. 涂覆與曝光:在基底(如硅片、玻璃、聚合物)表面均勻涂覆光刻膠,通過掩膜(或直接電子束掃描)對特定區(qū)域曝光。
2. 化學變化:曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生光化學反應(正性膠曝光后溶解,負性膠曝光后交聯(lián)不溶)。
3. 顯影與刻蝕:溶解未反應的部分,留下圖案化的膠層,作為后續(xù)刻蝕或沉積的掩模,將圖案轉(zhuǎn)移到基底上。
在納米技術(shù)中,關(guān)鍵挑戰(zhàn)是突破光的衍射極限(λ/2),因此需依賴高能束曝光技術(shù)(如電子束光刻、極紫外EUV光刻)和高性能光刻膠(高分辨率、低缺陷)。
河南油墨光刻膠感光膠吉田技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)能力。
“設備-材料-工藝”閉環(huán)驗證
吉田半導體與中芯國際、華虹半導體等晶圓廠建立了聯(lián)合研發(fā)機制,針對28nm及以上成熟制程開發(fā)專門使用光刻膠,例如其KrF光刻膠已通過中芯國際北京廠的產(chǎn)線驗證,良率達95%以上。此外,公司參與國家重大專項(如02專項),與中科院微電子所合作開發(fā)EUV光刻膠基礎(chǔ)材料,雖未實現(xiàn)量產(chǎn),但在酸擴散控制和靈敏度優(yōu)化方面取得階段性突破。
政策支持與成本優(yōu)勢
作為廣東省專精特新企業(yè),吉田半導體享受稅收優(yōu)惠(如15%企業(yè)所得稅)和研發(fā)補貼(2023年獲得國家補助超2000萬元),比較明顯降低產(chǎn)品研發(fā)成本。同時,其本地化生產(chǎn)(東莞松山湖基地)可將物流成本壓縮至進口產(chǎn)品的1/3,并實現(xiàn)48小時緊急訂單響應,這對中小客戶具有吸引力。
國產(chǎn)替代進程加速
日本信越化學因地震導致KrF光刻膠產(chǎn)能受限后,國內(nèi)企業(yè)加速驗證本土產(chǎn)品。鼎龍股份潛江工廠的KrF/ArF產(chǎn)線2024年12月獲兩家大廠百萬大單,二期300噸生產(chǎn)線在建。武漢太紫微的T150A光刻膠性能參數(shù)接近日本UV1610,已通過中芯國際14nm工藝驗證。預計到2025年,國內(nèi)KrF/ArF光刻膠國產(chǎn)化率將從不足5%提升至10%。
原材料國產(chǎn)化突破
光刻膠樹脂占成本50%-60%,八億時空的光刻膠樹脂產(chǎn)線預計2025年實現(xiàn)百噸級量產(chǎn),其產(chǎn)品純度達到99.999%,金屬雜質(zhì)含量低于1ppb。怡達股份作為全球電子級PM溶劑前段(市占率超40%),與南大光電合作開發(fā)配套溶劑,打破了日本關(guān)東化學的壟斷。這些進展使光刻膠生產(chǎn)成本降低約20%。
供應鏈風險緩解
合肥海關(guān)通過“空中專線”保障光刻膠運輸,將進口周期從28天縮短至17天,碳排放減少18%。國內(nèi)在建12座光刻膠工廠(占全球總數(shù)58%),預計2025年產(chǎn)能達3000噸/年,較2023年增長150%。
光刻膠廠家推薦吉田半導體,23 年研發(fā)經(jīng)驗,全自動化生產(chǎn)保障品質(zhì)!
光刻膠(Photoresist)是一種對光敏感的高分子材料,主要用于光刻工藝中,通過光化學反應實現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移,是半導體、集成電路(IC)、印刷電路板(PCB)、液晶顯示(LCD)等制造領(lǐng)域的材料之一。
光刻膠特性與組成
? 光敏性:在特定波長(如紫外光、極紫外光EUV等)照射下,會發(fā)生化學結(jié)構(gòu)變化(如交聯(lián)或分解),從而改變在顯影液中的溶解性。
? 主要成分:
? 樹脂(成膜劑):形成基礎(chǔ)膜層,決定光刻膠的機械和化學性能。
? 光敏劑:吸收光能并引發(fā)化學反應(如光分解、光交聯(lián))。
? 溶劑:調(diào)節(jié)粘度,便于涂覆成膜。
? 添加劑:改善性能(如感光度、分辨率、對比度等)。
光刻膠:半導體之路上的挑戰(zhàn)與突破。重慶油墨光刻膠報價
政策支持:500億加碼產(chǎn)業(yè)鏈。江西負性光刻膠報價
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領(lǐng)域的需求。
UV 納米壓印光刻膠:JT-2000 型號,耐強酸強堿,耐高溫達 250°C,長期可靠性高,粘接強度高,重量 100g。適用于需要在特殊化學和高溫環(huán)境下進行納米壓印光刻的工藝,如半導體器件制造。
其他光刻膠
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水油光刻膠 JT-2001:屬于水油兩用光刻膠,具有工廠研發(fā)、可定制、使用、品質(zhì)保障、性能穩(wěn)定的特點,重量 1L。
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水油光刻膠 SR-3308:同樣為水油兩用光刻膠,重量 5L,具備上述通用優(yōu)勢,應用場景。
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