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濟南油性光刻膠報價

來源： 發(fā)布時間：2025-06-05

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。

厚板光刻膠：JT-3001 型號，具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標準，保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造。

負性光刻膠

  • SU-3 負性光刻膠：分辨率優(yōu)異，對比度良好，曝光靈敏度高，光源適應，重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
  • 負性光刻膠 JT-1000：有 1L 和 100g 兩種規(guī)格，具有優(yōu)異的分辨率、良好的對比度和高曝光靈敏度，光源適應。主要應用于對光刻精度要求高的領域，如半導體器件制造。
  • 耐腐蝕負性光刻膠 JT-NF100：重量 1L，具備耐腐蝕特性。適用于有腐蝕風險的光刻工藝，如特殊環(huán)境下的半導體加工或電路板制造。


光刻膠廠家推薦吉田半導體，23 年研發(fā)經(jīng)驗，全自動化生產(chǎn)保障品質！濟南油性光刻膠報價

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廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。

厚板光刻膠：JT-3001 型號，具有優(yōu)異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標準，保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造。

負性光刻膠

  • SU-3 負性光刻膠：分辨率優(yōu)異，對比度良好，曝光靈敏度高，光源適應，重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。


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  • LCD 正性光刻膠 YK-200：具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力，重量 100g。適用于液晶顯示領域的光刻工藝，確保 LCD 生產(chǎn)中圖形精確轉移和良好涂布效果。
  • 半導體正性光刻膠 YK-300：具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g。主要用于半導體制造工藝，滿足半導體器件對光刻膠在化學穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。
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光刻膠的工作原理：
1. 涂覆與曝光：在基底（如硅片、玻璃、聚合物）表面均勻涂覆光刻膠，通過掩膜（或直接電子束掃描）對特定區(qū)域曝光。

2. 化學變化：曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生光化學反應（正性膠曝光后溶解，負性膠曝光后交聯(lián)不溶）。

3. 顯影與刻蝕：溶解未反應的部分，留下圖案化的膠層，作為后續(xù)刻蝕或沉積的掩模，將圖案轉移到基底上。

在納米技術中，關鍵挑戰(zhàn)是突破光的衍射極限（λ/2），因此需依賴高能束曝光技術（如電子束光刻、極紫外EUV光刻）和高性能光刻膠（高分辨率、低缺陷）。

  1. 客戶需求導向
    支持特殊工藝需求定制，例如為客戶開發(fā)光刻膠配方，提供從材料選擇到工藝優(yōu)化的全流程技術支持，尤其在中小批量訂單中靈活性優(yōu)勢。
  2. 快速交付與售后支持
    作為國內廠商，吉田半導體依托松山湖產(chǎn)業(yè)集群資源，交貨周期較進口品牌縮短 30%-50%，并提供 7×24 小時技術響應，降低客戶供應鏈風險。
    性價比優(yōu)勢
    國產(chǎn)光刻膠價格普遍低于進口產(chǎn)品 30%-50%，吉田半導體通過規(guī)?；a(chǎn)和供應鏈優(yōu)化進一步壓縮成本，同時保持性能對標國際品牌，適合對成本敏感的中低端市場及國產(chǎn)替代需求。
    政策與市場機遇
    受益于國內半導體產(chǎn)業(yè)鏈自主化趨勢，吉田半導體作為 “專精特新” 企業(yè)，獲得研發(fā)補貼及產(chǎn)業(yè)基金支持，未來在國產(chǎn)替代進程中具備先發(fā)優(yōu)勢。
感光膠的工藝和應用。

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? 化學反應：

? 正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在堿性顯影液中溶解；

? 負性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結構。

5. 顯影（Development）

? 顯影液：

? 正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH），溶解曝光區(qū)域；

? 負性膠：有機溶劑（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光區(qū)域。

? 方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導體），時間30秒-2分鐘，需控制顯影液濃度和溫度。

6. 后烘（Post-Bake）

? 目的：固化膠膜，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。

? 條件：

? 溫度：100-150℃（半導體用正性膠可能更高，如180℃）；

? 時間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時延長）。

7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）

? 蝕刻：以膠膜為掩膜，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅、金屬、玻璃）；

? 離子注入：膠膜保護未曝光區(qū)域，使雜質離子只能注入曝光區(qū)域（半導體摻雜工藝）。

8. 去膠（Strip）

? 方法：

? 濕法去膠：強氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；

? 干法去膠：氧等離子體灰化（半導體領域，無殘留）。

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技術挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢

 更高分辨率需求：

? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問題（目標＜5nm），通過納米顆粒分散技術或新型聚合物設計改善。

 缺陷控制：

? 半導體級正性膠要求金屬離子含量＜1ppb，顆粒（＞50nm）＜1個/mL，需優(yōu)化提純工藝（如多級過濾+真空蒸餾）。

 國產(chǎn)化突破：

? 國內企業(yè)（如上海新陽、南大光電、容大感光）已在KrF/ArF膠實現(xiàn)批量供貨，但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷，需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。

 環(huán)保與節(jié)能：

? 開發(fā)水基顯影正性膠（減少有機溶劑使用），或低烘烤溫度膠（降低半導體制造能耗）。

典型產(chǎn)品示例

? 傳統(tǒng)正性膠：Shipley S1813（G/I線，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）。

? DUV正性膠：信越化學的ArF膠（用于14nm FinFET制程）、中芯國際認證的國產(chǎn)KrF膠（28nm節(jié)點）。

? EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下，全球市占率超70%）。

正性光刻膠是推動半導體微縮的主要材料，其技術進步直接關聯(lián)芯片制程的突破，未來將持續(xù)向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進。
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