作為東莞松山湖的企業(yè),吉田半導(dǎo)體深耕光刻膠領(lǐng)域 23 年,成功研發(fā)出 YK-300 半導(dǎo)體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,良率達(dá) 98% 以上,已通過(guò)中芯國(guó)際等晶圓廠驗(yàn)證;JT-2000 突破耐高溫極限,在 250℃復(fù)雜環(huán)境下仍保持圖形穩(wěn)定性,適用于 EUV 光刻前道工藝。依托進(jìn)口原材料與全自動(dòng)化生產(chǎn)工藝,產(chǎn)品通過(guò) ISO9001 認(rèn)證及歐盟 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),遠(yuǎn)銷(xiāo)全球并與跨國(guó)企業(yè)建立長(zhǎng)期合作,加速?lài)?guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。正性光刻膠生產(chǎn)廠家。進(jìn)口光刻膠
吉田半導(dǎo)體的光刻膠產(chǎn)品覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等領(lǐng)域,通過(guò)差異化技術(shù)(如納米壓印、厚膜工藝)和環(huán)保特性(水性配方),滿足從傳統(tǒng)電子到新興領(lǐng)域(如第三代半導(dǎo)體、Mini LED)的多樣化需求。其產(chǎn)品不僅支持高精度、高可靠性的制造工藝,還通過(guò)材料創(chuàng)新推動(dòng)行業(yè)向綠色化、低成本化方向發(fā)展。吉田半導(dǎo)體光刻膠的優(yōu)勢(shì)在于技術(shù)全面性、環(huán)保創(chuàng)新、質(zhì)量穩(wěn)定性及本土化服務(wù),尤其在納米壓印、厚膜工藝及水性膠領(lǐng)域形成差異化競(jìng)爭(zhēng)力。
寧波油性光刻膠工廠松山湖半導(dǎo)體材料廠家吉田,全系列產(chǎn)品支持小批量試產(chǎn)!
人才與生態(tài):跨學(xué)科團(tuán)隊(duì)的“青黃不接”
前段人才的結(jié)構(gòu)性短缺
光刻膠研發(fā)需材料化學(xué)、半導(dǎo)體工藝、分析檢測(cè)等多領(lǐng)域。國(guó)內(nèi)高校相關(guān)專(zhuān)業(yè)畢業(yè)生30%進(jìn)入光刻膠行業(yè),且缺乏具有10年以上經(jīng)驗(yàn)的工程師。日本企業(yè)通過(guò)“技術(shù)導(dǎo)師制”培養(yǎng)人才,而國(guó)內(nèi)企業(yè)多依賴(lài)“挖角”,導(dǎo)致技術(shù)傳承斷裂。
產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的“孤島效應(yīng)”
光刻膠研發(fā)需與晶圓廠、設(shè)備商、檢測(cè)機(jī)構(gòu)深度協(xié)同。國(guó)內(nèi)企業(yè)因信息不對(duì)稱(chēng),常出現(xiàn)“材料性能與工藝需求不匹配”問(wèn)題。例如,某國(guó)產(chǎn)KrF光刻膠因未考慮客戶產(chǎn)線的顯影液參數(shù),導(dǎo)致良率損失20%。
吉田半導(dǎo)體厚板光刻膠 JT-3001:國(guó)產(chǎn)技術(shù)助力 PCB 行業(yè)升級(jí)
JT-3001 厚板光刻膠支持 500nm/min 深蝕刻,成為國(guó)產(chǎn) PCB 電路板制造推薦材料。
吉田半導(dǎo)體自主研發(fā)的 JT-3001 厚板光刻膠,分辨率 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,適用于高密度 PCB 制造。其無(wú)鹵無(wú)鉛配方通過(guò)歐盟 RoHS 認(rèn)證,已應(yīng)用于華為 5G 基站主板量產(chǎn)。產(chǎn)品采用國(guó)產(chǎn)原材料與全自動(dòng)化工藝,批次穩(wěn)定性達(dá) 99.5%,幫助客戶提升生產(chǎn)效率 20%,加速?lài)?guó)產(chǎn) PCB 行業(yè)技術(shù)升級(jí),推動(dòng) PCB 行業(yè)國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。
光刻膠的關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域。
技術(shù)挑戰(zhàn)
光刻膠作為半導(dǎo)體、顯示面板等高級(jí)制造的材料,其技術(shù)挑戰(zhàn)主要集中在材料性能優(yōu)化、制程精度匹配、復(fù)雜環(huán)境適應(yīng)性以及產(chǎn)業(yè)自主化突破等方面
PCB廠商必看!這款G-line光刻膠讓生產(chǎn)成本直降30%。無(wú)錫光刻膠供應(yīng)商
? 高分辨率:隨著半導(dǎo)體制程向3nm、2nm推進(jìn),需開(kāi)發(fā)更高精度的EUV光刻膠,解決光斑擴(kuò)散、線寬控制等問(wèn)題。
? 靈敏度與穩(wěn)定性:平衡感光速度和圖案抗蝕能力,適應(yīng)極紫外光(13.5nm)的低能量曝光。
? 國(guó)產(chǎn)化替代:目前光刻膠(如EUV、ArF浸沒(méi)式)長(zhǎng)期被日本、美國(guó)企業(yè)壟斷,國(guó)內(nèi)正加速研發(fā)突破。
光刻膠的性能直接影響芯片制造的良率和精度,是支撐微電子產(chǎn)業(yè)的“卡脖子”材料之一。
深圳光刻膠廠家哪家好?進(jìn)口光刻膠
市場(chǎng)拓展
? 短期目標(biāo):2025年前實(shí)現(xiàn)LCD光刻膠國(guó)內(nèi)市占率10%,半導(dǎo)體負(fù)性膠進(jìn)入中芯國(guó)際、華虹供應(yīng)鏈,納米壓印膠完成臺(tái)積電驗(yàn)證。
? 長(zhǎng)期愿景:成為全球的半導(dǎo)體材料方案提供商,2030年芯片光刻膠營(yíng)收占比超40%,布局EUV光刻膠和第三代半導(dǎo)體材料。
. 政策與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同
? 受益于廣東省“強(qiáng)芯工程”和東莞市10億元半導(dǎo)體材料基金,獲設(shè)備采購(gòu)補(bǔ)貼(30%)和稅收減免,加速KrF/ArF光刻膠研發(fā)。
? 與松山湖材料實(shí)驗(yàn)室、華為終端建立聯(lián)合研發(fā)中心,共同攻關(guān)光刻膠關(guān)鍵技術(shù),縮短客戶驗(yàn)證周期(目前平均12-18個(gè)月)。
. 挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)
? 技術(shù)壁壘:ArF/EUV光刻膠仍依賴(lài)進(jìn)口,計(jì)劃2026年建成中試線,突破分辨率和靈敏度瓶頸(目標(biāo)曝光劑量<10mJ/cm2)。
? 供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn):部分原材料(如樹(shù)脂)進(jìn)口占比超60%,正推進(jìn)“國(guó)產(chǎn)替代計(jì)劃”,與鼎龍股份、久日新材建立戰(zhàn)略合作為原材料供應(yīng)。
進(jìn)口光刻膠