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遼寧LCD光刻膠生產(chǎn)廠家

來源: 發(fā)布時間:2025-05-25

工藝流程

? 目的:去除基板表面油污、顆粒,增強(qiáng)感光膠附著力。

? 方法:

? 化學(xué)清洗(硫酸/雙氧水、去離子水);

? 表面處理(硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化,PCB基板用粗化處理)。

 涂布(Coating)

? 方式:

? 旋涂:半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域,厚度控制精確(納米至微米級),轉(zhuǎn)速500-5000rpm;

? 噴涂/輥涂:PCB/MEMS領(lǐng)域,適合大面積或厚膠(微米至百微米級,如負(fù)性膠可達(dá)100μm)。

? 關(guān)鍵參數(shù):膠液黏度、涂布速度、基板溫度(影響厚度均勻性)。

 前烘(Soft Bake)

? 目的:揮發(fā)溶劑,固化膠膜,增強(qiáng)附著力和穩(wěn)定性。

? 條件:

? 溫度:60-120℃(正性膠通常更低,如90℃;負(fù)性膠可至100℃以上);

? 時間:5-30分鐘(根據(jù)膠厚調(diào)整,厚膠需更長時間)。

 曝光(Exposure)

? 光源:

? 紫外光(UV):G線(436nm)、I線(365nm)用于傳統(tǒng)光刻(分辨率≥1μm);

? 深紫外(DUV):248nm(KrF)、193nm(ArF)用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程(分辨率至20nm);

? 極紫外(EUV):13.5nm,用于7nm以下制程(只能正性膠適用)。

? 曝光方式:

? 接觸式/接近式:掩膜版與膠膜直接接觸(PCB、MEMS,低成本但精度低);

? 投影式:通過物鏡聚焦(半導(dǎo)體,分辨率高,如ArF光刻機(jī)精度達(dá)22nm)。

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不同光刻膠類型的適用場景對比
類型 波長范圍 分辨率 典型應(yīng)用產(chǎn)品 
G線/i線光刻膠 436/365nm ≥1μm PCB、LCD黑色矩陣 吉田半導(dǎo)體JT-100系列 
KrF光刻膠 248nm 0.25-1μm 28nm以上芯片、Mini LED制備 吉田半導(dǎo)體YK-300系列 
ArF光刻膠 193nm 45nm-0.25μm 14nm及以上芯片、OLED電極圖案化 國際主流:JSR ARF系列 
EUV光刻膠 13.5nm ≤7nm 7nm以下先進(jìn)制程、3D NAND堆疊 研發(fā)中(吉田半導(dǎo)體合作攻關(guān)) 
水性光刻膠 全波長適配 5-50μm 柔性顯示、環(huán)保PCB阻焊層 吉田半導(dǎo)體WT-200系列 

總結(jié):多領(lǐng)域滲透的“工業(yè)維生素”

光刻膠的應(yīng)用深度綁定電子信息產(chǎn)業(yè),從半導(dǎo)體芯片的“納米級雕刻”到PCB的“毫米級線路”,再到顯示面板的“色彩精細(xì)控制”,其技術(shù)參數(shù)(分辨率、耐蝕刻性、靈敏度)需根據(jù)場景設(shè)計(jì)。隨著**新能源(車規(guī)芯片、光伏)、新型顯示(Micro LED)、先進(jìn)制造(納米壓?。?*等領(lǐng)域的發(fā)展,光刻膠的應(yīng)用邊界將持續(xù)擴(kuò)展,成為支撐制造的關(guān)鍵材料。
合肥低溫光刻膠品牌吉田技術(shù)自主化與技術(shù)領(lǐng)域突破!

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市場與客戶優(yōu)勢:全球化布局與頭部客戶合作

 全球客戶網(wǎng)絡(luò)
產(chǎn)品遠(yuǎn)銷全球,與三星、LG、京東方等世界500強(qiáng)企業(yè)建立長期合作,在東南亞、北美市場市占率超15%。

 區(qū)域市場深耕
依托東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群,與華為、OPPO等本土企業(yè)合作,在消費(fèi)電子、汽車電子領(lǐng)域快速響應(yīng)客戶需求。

產(chǎn)業(yè)鏈配套優(yōu)勢:原材料與設(shè)備協(xié)同

 主要原材料自主化
公司自主生產(chǎn)光刻膠樹脂、光引發(fā)劑,降低對進(jìn)口依賴,成本較國際競品低20%。

 設(shè)備與工藝協(xié)同
與國內(nèi)涂膠顯影設(shè)備廠商合作,開發(fā)適配國產(chǎn)設(shè)備的光刻膠配方,提升工藝兼容性。

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司憑借技術(shù)創(chuàng)新與質(zhì)量優(yōu)勢,在半導(dǎo)體材料行業(yè)占據(jù)重要地位。公司聚焦光刻膠、電子膠、錫膏等產(chǎn)品,其中納米壓印光刻膠可耐受 250℃高溫及強(qiáng)酸強(qiáng)堿環(huán)境,適用于高精度納米結(jié)構(gòu)制造;LCD 光刻膠以高穩(wěn)定性和精細(xì)度成為顯示面板行業(yè)的推薦材料。此外,公司還提供焊片、靶材等配套材料,滿足客戶多元化需求。

在技術(shù)層面,吉田半導(dǎo)體通過自主研發(fā)與國際合作結(jié)合,持續(xù)優(yōu)化生產(chǎn)工藝,實(shí)現(xiàn)全流程自動化控制。其生產(chǎn)基地配備先進(jìn)設(shè)備,并嚴(yán)格執(zhí)行國際標(biāo)準(zhǔn),確保產(chǎn)品性能達(dá)到國際水平。同時,公司注重人才培養(yǎng)與引進(jìn),匯聚化工、材料學(xué)等領(lǐng)域的專業(yè)團(tuán)隊(duì),為技術(shù)創(chuàng)新提供堅(jiān)實(shí)支撐。未來,吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)以 “中國前列半導(dǎo)體材料方案提供商” 為愿景,推動行業(yè)技術(shù)升級與國產(chǎn)化進(jìn)程。
光刻膠技術(shù)突破加速,對芯片制造行業(yè)有哪些影響?

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制版光刻膠應(yīng)用場景:印刷電路板(FPC)、觸摸屏(TP)的掩膜版制作,以及光學(xué)元件(如衍射光柵)的微納加工。特點(diǎn):高分辨率與耐化學(xué)性,確保模板的長期使用壽命。

水性光刻膠(JT-1200)應(yīng)用場景:環(huán)保要求高的電子元件(如醫(yī)療設(shè)備、汽車電子)的制造,以及柔性電路的生產(chǎn)。特點(diǎn):以水為溶劑,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。

水油兩用光刻膠(JT-2001/SR-3308)適用于混合工藝場景(如部分環(huán)節(jié)需水性顯影,部分需溶劑顯影),提升生產(chǎn)靈活性。 聚焦封裝需求,吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一姑式服務(wù)。青島UV納米光刻膠品牌

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 先進(jìn)制程瓶頸突破
KrF/ArF光刻膠的量產(chǎn)能力提升直接推動7nm及以下制程的國產(chǎn)化進(jìn)程。例如,恒坤新材的KrF光刻膠已批量供應(yīng)12英寸產(chǎn)線,覆蓋7nm工藝,其工藝寬容度較日本同類型產(chǎn)品提升30%。這使得國內(nèi)晶圓廠(如中芯國際)在DUV多重曝光技術(shù)下,能夠以更低成本實(shí)現(xiàn)接近EUV的制程效果,緩解了EUV光刻機(jī)禁運(yùn)的壓力。此外,武漢太紫微的T150A光刻膠通過120nm分辨率驗(yàn)證,為28nm成熟制程的成本優(yōu)化提供了新方案。

 EUV光刻膠研發(fā)加速
盡管EUV光刻膠目前完全依賴進(jìn)口,但國內(nèi)企業(yè)已啟動關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。久日新材的光致產(chǎn)酸劑實(shí)現(xiàn)噸級訂單,科技部“十四五”專項(xiàng)計(jì)劃投入20億元支持EUV光刻膠研發(fā)。華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)的“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)”技術(shù),將EUV光刻膠的靈敏度提升至0.5mJ/cm2,較傳統(tǒng)材料降低20倍曝光劑量。這些突破為未來3nm以下制程的技術(shù)儲備奠定基礎(chǔ)。

 新型光刻技術(shù)融合
復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)的功能型光刻膠,在全畫幅尺寸芯片上集成2700萬個有機(jī)晶體管,實(shí)現(xiàn)特大規(guī)模集成(ULSI)水平。這種技術(shù)突破不僅拓展了光刻膠在柔性電子、可穿戴設(shè)備等新興領(lǐng)域的應(yīng)用,還為碳基芯片、量子計(jì)算等顛覆性技術(shù)提供了材料支撐。

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標(biāo)簽: 光刻膠 錫片