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河北網(wǎng)版光刻膠工廠

來源： 發(fā)布時(shí)間：2025-05-23

工藝流程

? 目的：去除基板表面油污、顆粒，增強(qiáng)感光膠附著力。

? 方法：

? 化學(xué)清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）；

? 表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）。

 涂布（Coating）

? 方式：

? 旋涂：半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域，厚度控制精確（納米至微米級(jí)），轉(zhuǎn)速500-5000rpm；

? 噴涂/輥涂：PCB/MEMS領(lǐng)域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級(jí)，如負(fù)性膠可達(dá)100μm）。

? 關(guān)鍵參數(shù)：膠液黏度、涂布速度、基板溫度（影響厚度均勻性）。

 前烘（Soft Bake）

? 目的：揮發(fā)溶劑，固化膠膜，增強(qiáng)附著力和穩(wěn)定性。

? 條件：

? 溫度：60-120℃（正性膠通常更低，如90℃；負(fù)性膠可至100℃以上）；

? 時(shí)間：5-30分鐘（根據(jù)膠厚調(diào)整，厚膠需更長(zhǎng)時(shí)間）。

 曝光（Exposure）

? 光源：

? 紫外光（UV）：G線（436nm）、I線（365nm）用于傳統(tǒng)光刻（分辨率≥1μm）；

? 深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程（分辨率至20nm）；

? 極紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性膠適用）。

? 曝光方式：

? 接觸式/接近式：掩膜版與膠膜直接接觸（PCB、MEMS，低成本但精度低）；

? 投影式：通過物鏡聚焦（半導(dǎo)體，分辨率高，如ArF光刻機(jī)精度達(dá)22nm）。

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? 化學(xué)反應(yīng)：

? 正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在堿性顯影液中溶解；

? 負(fù)性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

5. 顯影（Development）

? 顯影液：

? 正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH），溶解曝光區(qū)域；

? 負(fù)性膠：有機(jī)溶劑（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光區(qū)域。

? 方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導(dǎo)體），時(shí)間30秒-2分鐘，需控制顯影液濃度和溫度。

6. 后烘（Post-Bake）

? 目的：固化膠膜，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。

? 條件：

? 溫度：100-150℃（半導(dǎo)體用正性膠可能更高，如180℃）；

? 時(shí)間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時(shí)延長(zhǎng)）。

7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）

? 蝕刻：以膠膜為掩膜，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅、金屬、玻璃）；

? 離子注入：膠膜保護(hù)未曝光區(qū)域，使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域（半導(dǎo)體摻雜工藝）。

8. 去膠（Strip）

? 方法：

? 濕法去膠：強(qiáng)氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機(jī)溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；

? 干法去膠：氧等離子體灰化（半導(dǎo)體領(lǐng)域，無殘留）。

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 感光機(jī)制

? 重氮型（雙液型）：需混合光敏劑（如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉），曝光后通過交聯(lián)反應(yīng)固化，適用于精細(xì)圖案（如PCB電路線寬≤0.15mm）。

? SBQ型（單液型）：預(yù)混光敏劑，無需調(diào)配，感光度高（曝光時(shí)間縮短30%），適合快速制版（如服裝印花）。

? 環(huán)保型：采用無鉻配方（如CN10243143A），通過多元固化體系（熱固化+光固化）實(shí)現(xiàn)12-15mJ/cm2快速曝光，分辨率達(dá)2μm，符合歐盟REACH標(biāo)準(zhǔn)。

 功能細(xì)分

? 耐溶劑型：如日本村上AD20，耐酒精、甲苯等溶劑，適用于電子油墨印刷。

? 耐水型：如瑞士科特1711，抗水性強(qiáng)，適合紡織品水性漿料。

? 厚版型：如德國(guó)K?ppen厚版膠，單次涂布可達(dá)50μm，用于立體印刷。


典型應(yīng)用場(chǎng)景：

? PCB制造：使用360目尼龍網(wǎng)+重氮感光膠，配合LED曝光（405nm波長(zhǎng)），實(shí)現(xiàn)0.15mm線寬，耐酸性蝕刻液。

? 紡織印花：圓網(wǎng)制版采用9806A型感光膠，涂布厚度20μm，耐堿性染料色漿，耐印率超10萬次。

? 包裝印刷：柔版制版選用杜邦賽麗® Lightning LFH版材，UV-LED曝光+無溶劑工藝，碳排放降低40%。

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柯圖泰全系列感光膠依托進(jìn)口技術(shù)，提供高性價(jià)比的絲網(wǎng)印刷解決方案。
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公司嚴(yán)格執(zhí)行 ISO9001:2008 質(zhì)量管理體系與 8S 現(xiàn)場(chǎng)管理標(biāo)準(zhǔn)，通過工藝革新與設(shè)備升級(jí)實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過程的低污染、低能耗。注塑廢氣、噴涂廢氣經(jīng)多級(jí)凈化處理后達(dá)標(biāo)排放，生活污水經(jīng)預(yù)處理后納入市政管網(wǎng)，冷卻水循環(huán)利用率達(dá) 100%。危險(xiǎn)廢物（如廢機(jī)油、含油抹布）均委托專業(yè)機(jī)構(gòu)安全處置，一般工業(yè)固廢（如邊角料、廢包裝材料）則通過回收或再生利用實(shí)現(xiàn)資源循環(huán)。

公司持續(xù)研發(fā)環(huán)保型材料，例如開發(fā)水性感光膠替代傳統(tǒng)油性產(chǎn)品，降低有機(jī)溶劑使用量；優(yōu)化錫膏助焊劑配方，減少焊接過程中的煙霧與異味。此外，其 BGA 助焊膏采用低溫固化技術(shù)，在提升焊接效率的同時(shí)降低能源消耗。通過與科研機(jī)構(gòu)合作，公司還在探索生物基材料在半導(dǎo)體封裝中的應(yīng)用，為行業(yè)低碳發(fā)展提供新路徑。
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行業(yè)地位與競(jìng)爭(zhēng)格局

1. 國(guó)際對(duì)比

? 技術(shù)定位：聚焦細(xì)分市場(chǎng)（如納米壓印、LCD），而國(guó)際巨頭（如JSR、東京應(yīng)化）主導(dǎo)半導(dǎo)體光刻膠（ArF、EUV）。

? 成本優(yōu)勢(shì)：原材料自主化率超80%，成本低20%；國(guó)際巨頭依賴進(jìn)口原材料，成本較高。

? 客戶響應(yīng)：48小時(shí)內(nèi)提供定制化解決方案，認(rèn)證周期為國(guó)際巨頭的1/5。

2. 國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)
國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)仍由日本企業(yè)壟斷（全球市占率超60%），但吉田在納米壓印、LCD光刻膠等領(lǐng)域具備替代進(jìn)口的潛力。與南大光電、晶瑞電材等企業(yè)相比，吉田在細(xì)分市場(chǎng)的技術(shù)積累更深厚，但ArF、EUV光刻膠仍需突破。

風(fēng)險(xiǎn)與挑戰(zhàn)

 技術(shù)瓶頸：ArF、EUV光刻膠仍依賴進(jìn)口，研發(fā)投入不足國(guó)際巨頭的1/10。

 客戶認(rèn)證周期：半導(dǎo)體光刻膠需2-3年驗(yàn)證，吉田尚未進(jìn)入主流晶圓廠供應(yīng)鏈。

 供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)：部分樹脂（如ArF用含氟樹脂）依賴日本住友電木。

 行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇：國(guó)內(nèi)企業(yè)如南大光電、晶瑞電材加速技術(shù)突破，可能擠壓吉田的市場(chǎng)份額。
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標(biāo)簽： 錫片 光刻膠