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合肥阻焊光刻膠感光膠

來源： 發(fā)布時間：2025-05-16

納米壓印光刻膠


  • 微納光學(xué)器件制造：制作衍射光學(xué)元件、微透鏡陣列等微納光學(xué)器件時，納米壓印光刻膠可實現(xiàn)高精度的微納結(jié)構(gòu)復(fù)制。通過納米壓印技術(shù)，將模板上的微納圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上，再經(jīng)過后續(xù)處理，可制造出具有特定光學(xué)性能的微納光學(xué)器件，應(yīng)用于光通信、光學(xué)成像等領(lǐng)域。
  • 生物芯片制造：在 DNA 芯片、蛋白質(zhì)芯片等生物芯片的制造中，需要在芯片表面構(gòu)建高精度的微納結(jié)構(gòu)，用于生物分子的固定和檢測。納米壓印光刻膠可幫助實現(xiàn)這些精細結(jié)構(gòu)的制作，提高生物芯片的檢測靈敏度和準確性。


    • 吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造環(huán)保光刻膠。合肥阻焊光刻膠感光膠

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    技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢

     更高分辨率需求：

    ? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問題（目標＜5nm），通過納米顆粒分散技術(shù)或新型聚合物設(shè)計改善。

     缺陷控制：

    ? 半導(dǎo)體級正性膠要求金屬離子含量＜1ppb，顆粒（＞50nm）＜1個/mL，需優(yōu)化提純工藝（如多級過濾+真空蒸餾）。

     國產(chǎn)化突破：

    ? 國內(nèi)企業(yè)（如上海新陽、南大光電、容大感光）已在KrF/ArF膠實現(xiàn)批量供貨，但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷，需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。

     環(huán)保與節(jié)能：

    ? 開發(fā)水基顯影正性膠（減少有機溶劑使用），或低烘烤溫度膠（降低半導(dǎo)體制造能耗）。

    典型產(chǎn)品示例

    ? 傳統(tǒng)正性膠：Shipley S1813（G/I線，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）。

    ? DUV正性膠：信越化學(xué)的ArF膠（用于14nm FinFET制程）、中芯國際認證的國產(chǎn)KrF膠（28nm節(jié)點）。

    ? EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下，全球市占率超70%）。

    正性光刻膠是推動半導(dǎo)體微縮的主要材料，其技術(shù)進步直接關(guān)聯(lián)芯片制程的突破，未來將持續(xù)向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進。
    云南厚膜光刻膠國產(chǎn)廠商吉田技術(shù)自主化與技術(shù)領(lǐng)域突破！

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    廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領(lǐng)域的需求。

    UV 納米壓印光刻膠：JT-2000 型號，耐強酸強堿，耐高溫達 250°C，長期可靠性高，粘接強度高，重量 100g。適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進行納米壓印光刻的工藝，如半導(dǎo)體器件制造。

    其他光刻膠

    • 水油光刻膠 JT-2001：屬于水油兩用光刻膠，具有工廠研發(fā)、可定制、使用、品質(zhì)保障、性能穩(wěn)定的特點，重量 1L。
    • 水油光刻膠 SR-3308：同樣為水油兩用光刻膠，重量 5L，具備上述通用優(yōu)勢，應(yīng)用場景。


    關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域

    半導(dǎo)體制造：

    ? 在晶圓表面涂覆光刻膠，通過掩膜曝光、顯影，刻蝕出晶體管、電路等納米級結(jié)構(gòu)（如EUV光刻膠用于7nm以下制程）。

     印刷電路板（PCB）：

    ? 保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層，制作線路和焊盤。

     顯示面板（LCD/OLED）：

    ? 用于制備彩色濾光片、電極圖案等。

     微機電系統(tǒng)（MEMS）：

    ? 加工微結(jié)構(gòu)（如傳感器、執(zhí)行器）。

    工作原理（以正性膠為例）

    1. 涂膠：在基材（如硅片）表面均勻旋涂光刻膠，烘干形成薄膜。

    2. 曝光：通過掩膜版，用特定波長光線照射，曝光區(qū)域的光敏劑分解，使樹脂變得易溶于顯影液。

    3. 顯影：用顯影液溶解曝光區(qū)域，留下未曝光的光刻膠圖案，作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩蔽層。

    4. 后續(xù)工藝：刻蝕基材（保留未被光刻膠保護的區(qū)域），或去除光刻膠（剝離工藝）。
    吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造光刻膠。

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    工藝流程

    ? 目的：去除基板表面油污、顆粒，增強感光膠附著力。

    ? 方法：

    ? 化學(xué)清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）；

    ? 表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）。

     涂布（Coating）

    ? 方式：

    ? 旋涂：半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域，厚度控制精確（納米至微米級），轉(zhuǎn)速500-5000rpm；

    ? 噴涂/輥涂：PCB/MEMS領(lǐng)域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級，如負性膠可達100μm）。

    ? 關(guān)鍵參數(shù)：膠液黏度、涂布速度、基板溫度（影響厚度均勻性）。

     前烘（Soft Bake）

    ? 目的：揮發(fā)溶劑，固化膠膜，增強附著力和穩(wěn)定性。

    ? 條件：

    ? 溫度：60-120℃（正性膠通常更低，如90℃；負性膠可至100℃以上）；

    ? 時間：5-30分鐘（根據(jù)膠厚調(diào)整，厚膠需更長時間）。

     曝光（Exposure）

    ? 光源：

    ? 紫外光（UV）：G線（436nm）、I線（365nm）用于傳統(tǒng)光刻（分辨率≥1μm）；

    ? 深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半導(dǎo)體先進制程（分辨率至20nm）；

    ? 極紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性膠適用）。

    ? 曝光方式：

    ? 接觸式/接近式：掩膜版與膠膜直接接觸（PCB、MEMS，低成本但精度低）；

    ? 投影式：通過物鏡聚焦（半導(dǎo)體，分辨率高，如ArF光刻機精度達22nm）。

    政策支持：500億加碼產(chǎn)業(yè)鏈。北京高溫光刻膠價格

    LCD 光刻膠供應(yīng)商哪家好？吉田半導(dǎo)體高分辨率 + 低 VOC 配方！合肥阻焊光刻膠感光膠

     綠色制造與循環(huán)經(jīng)濟
    公司采用水性光刻膠技術(shù)，溶劑揮發(fā)量較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低60%，符合歐盟REACH法規(guī)和國內(nèi)環(huán)保標準。同時，其光刻膠廢液回收項目已投產(chǎn)，通過膜分離+精餾技術(shù)實現(xiàn)90%溶劑循環(huán)利用，年減排VOCs（揮發(fā)性有機物）超100噸。

     低碳供應(yīng)鏈管理
    吉田半導(dǎo)體與上游供應(yīng)商合作開發(fā)生物基樹脂，部分產(chǎn)品采用可再生原料（如植物基丙烯酸酯），碳排放強度較傳統(tǒng)工藝降低30%。這一舉措使其在光伏電池和新能源汽車領(lǐng)域獲得客戶青睞，相關(guān)訂單占比從2022年的15%提升至2023年的25%。
    合肥阻焊光刻膠感光膠

    標簽： 光刻膠 錫片