以 15% 年研發(fā)投入為驅(qū)動,吉田半導體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發(fā),搶占行業(yè)制高點。布局下一代光刻技術。
面對極紫外光刻技術挑戰(zhàn),吉田半導體與中科院合作開發(fā)化學放大型 EUV 光刻膠,在感光效率(<10mJ/cm2)和耐蝕性(>80%)指標上取得階段性進展。同時,公司前瞻性布局木基光刻膠研發(fā),對標日本王子控股技術,探索生物基材料在半導體封裝中的應用。這些技術儲備為 7nm 及以下制程提供支撐,助力中國在下一代光刻技術中占據(jù)重要地位。光刻膠半導體領域的應用。南京油墨光刻膠感光膠
納米制造與表面工程
? 納米結構模板:作為納米壓印光刻(NIL)的母版制備材料,通過電子束光刻膠寫出高精度納米圖案(如50nm以下的柱陣列、孔陣列),用于批量復制微流控芯片或柔性顯示基板。
? 表面功能化:在基底表面構建納米級粗糙度(如仿生荷葉超疏水表面)或化學圖案(引導細胞定向生長的納米溝槽),用于生物醫(yī)學或能源材料(如電池電極的納米陣列結構)。
量子技術與精密測量
? 超導量子比特:在鈮酸鋰或硅基底上,通過光刻膠定義納米級約瑟夫森結陣列,構建量子電路。
? 納米傳感器:制備納米級懸臂梁(表面鍍光刻膠圖案化的金屬電極),用于探測單個分子的質(zhì)量或電荷變化(分辨率達亞納米級)。
南京負性光刻膠國產(chǎn)廠家吉田質(zhì)量管控與認證壁壘。
感光機制
? 重氮型(雙液型):需混合光敏劑(如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉),曝光后通過交聯(lián)反應固化,適用于精細圖案(如PCB電路線寬≤0.15mm)。
? SBQ型(單液型):預混光敏劑,無需調(diào)配,感光度高(曝光時間縮短30%),適合快速制版(如服裝印花)。
? 環(huán)保型:采用無鉻配方(如CN10243143A),通過多元固化體系(熱固化+光固化)實現(xiàn)12-15mJ/cm2快速曝光,分辨率達2μm,符合歐盟REACH標準。
功能細分
? 耐溶劑型:如日本村上AD20,耐酒精、甲苯等溶劑,適用于電子油墨印刷。
? 耐水型:如瑞士科特1711,抗水性強,適合紡織品水性漿料。
? 厚版型:如德國K?ppen厚版膠,單次涂布可達50μm,用于立體印刷。
典型應用場景:
? PCB制造:使用360目尼龍網(wǎng)+重氮感光膠,配合LED曝光(405nm波長),實現(xiàn)0.15mm線寬,耐酸性蝕刻液。
? 紡織印花:圓網(wǎng)制版采用9806A型感光膠,涂布厚度20μm,耐堿性染料色漿,耐印率超10萬次。
? 包裝印刷:柔版制版選用杜邦賽麗® Lightning LFH版材,UV-LED曝光+無溶劑工藝,碳排放降低40%。
作為深耕半導體材料領域二十余年的綜合性企業(yè),廣東吉田半導體材料有限公司始終將技術創(chuàng)新與產(chǎn)品質(zhì)量視為重要發(fā)展動力。公司位于東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群,依托區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢,持續(xù)為全球客戶提供多元化的半導體材料解決方案。
公司產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、半導體錫膏、焊片及靶材等,原材料均嚴格選用美國、德國、日本等國的質(zhì)量進口材料。通過全自動化生產(chǎn)設備與精細化工藝控制,確保每批次產(chǎn)品的穩(wěn)定性與一致性。例如,納米壓印光刻膠采用特殊配方,可耐受 250℃高溫及復雜化學環(huán)境,適用于高精度納米結構制造;LCD 光刻膠以高分辨率和穩(wěn)定性,成為顯示面板行業(yè)的推薦材料。
半導體光刻膠:技術領域取得里程碑。
國產(chǎn)替代進程加速
日本信越化學因地震導致KrF光刻膠產(chǎn)能受限后,國內(nèi)企業(yè)加速驗證本土產(chǎn)品。鼎龍股份潛江工廠的KrF/ArF產(chǎn)線2024年12月獲兩家大廠百萬大單,二期300噸生產(chǎn)線在建。武漢太紫微的T150A光刻膠性能參數(shù)接近日本UV1610,已通過中芯國際14nm工藝驗證。預計到2025年,國內(nèi)KrF/ArF光刻膠國產(chǎn)化率將從不足5%提升至10%。
原材料國產(chǎn)化突破
光刻膠樹脂占成本50%-60%,八億時空的光刻膠樹脂產(chǎn)線預計2025年實現(xiàn)百噸級量產(chǎn),其產(chǎn)品純度達到99.999%,金屬雜質(zhì)含量低于1ppb。怡達股份作為全球電子級PM溶劑前段(市占率超40%),與南大光電合作開發(fā)配套溶劑,打破了日本關東化學的壟斷。這些進展使光刻膠生產(chǎn)成本降低約20%。
供應鏈風險緩解
合肥海關通過“空中專線”保障光刻膠運輸,將進口周期從28天縮短至17天,碳排放減少18%。國內(nèi)在建12座光刻膠工廠(占全球總數(shù)58%),預計2025年產(chǎn)能達3000噸/年,較2023年增長150%。
松山湖企業(yè)深耕光刻膠領域二十載,提供全系列半導體材料解決方案。江西LED光刻膠生產(chǎn)廠家
光刻膠廠家推薦吉田半導體,23 年研發(fā)經(jīng)驗,全自動化生產(chǎn)保障品質(zhì)!南京油墨光刻膠感光膠
主要應用場景
印刷電路板(PCB):
? 通孔/線路加工:負性膠厚度可達20-50μm,耐堿性蝕刻液(如氯化鐵、堿性氯化銅),適合制作大尺寸線路(線寬/線距≥50μm),如雙面板、多層板的外層電路。
? 阻焊層:作為絕緣保護層,覆蓋非焊盤區(qū)域,需厚膠(50-100μm)和高耐焊接溫度(260℃以上),負性膠因工藝簡單、成本低而廣泛應用。
微機電系統(tǒng)(MEMS):
? 深硅蝕刻(DRIE):負性膠作為蝕刻掩膜,厚度可達100μm以上,耐SF?等強腐蝕性氣體,用于制作加速度計、陀螺儀的高深寬比結構(深寬比>20:1)。
? 模具制造:在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具,利用負性膠的厚膠成型能力。
平板顯示(LCD):
? 彩色濾光片(CF)基板預處理:在玻璃基板上制作絕緣層或緩沖層,耐濕法蝕刻(如HF溶液),確保后續(xù)RGB色阻層的精確涂布。
功率半導體與分立器件:
? IGBT、MOSFET的隔離區(qū)蝕刻:負性膠用于制作較寬的隔離溝槽(寬度>10μm),耐高濃度酸堿蝕刻,降低工藝成本。
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