吉田半導(dǎo)體突破 ArF 光刻膠技術(shù)壁壘,國產(chǎn)替代再迎新進(jìn)展
自主研發(fā) ArF 光刻膠通過中芯國際驗(yàn)證,吉田半導(dǎo)體填補(bǔ)國內(nèi)光刻膠空白。
吉田半導(dǎo)體成功研發(fā)出 AT-450 ArF 光刻膠,分辨率達(dá) 90nm,適用于 14nm 及以上制程,已通過中芯國際量產(chǎn)驗(yàn)證。該產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與自主配方,突破日本企業(yè)對 ArF 光刻膠的壟斷。其光酸產(chǎn)率提升 30%,蝕刻選擇比達(dá) 4:1,性能對標(biāo)日本信越的 ArF 系列。吉田半導(dǎo)體的技術(shù)突破加速了國產(chǎn)芯片制造材料自主化進(jìn)程,為國內(nèi)晶圓廠提供高性價(jià)比解決方案。
技術(shù)突破加速國產(chǎn)替代,國產(chǎn)化布局贏得市場。深圳阻焊油墨光刻膠生產(chǎn)廠家
技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢
更高分辨率需求:
? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度(LER)”問題(目標(biāo)<5nm),通過納米顆粒分散技術(shù)或新型聚合物設(shè)計(jì)改善。
缺陷控制:
? 半導(dǎo)體級正性膠要求金屬離子含量<1ppb,顆粒(>50nm)<1個(gè)/mL,需優(yōu)化提純工藝(如多級過濾+真空蒸餾)。
國產(chǎn)化突破:
? 國內(nèi)企業(yè)(如上海新陽、南大光電、容大感光)已在KrF/ArF膠實(shí)現(xiàn)批量供貨,但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷,需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。
環(huán)保與節(jié)能:
? 開發(fā)水基顯影正性膠(減少有機(jī)溶劑使用),或低烘烤溫度膠(降低半導(dǎo)體制造能耗)。
典型產(chǎn)品示例
? 傳統(tǒng)正性膠:Shipley S1813(G/I線,用于PCB)、Tokyo Ohka TSM-305(LCD黑矩陣)。
? DUV正性膠:信越化學(xué)的ArF膠(用于14nm FinFET制程)、中芯國際認(rèn)證的國產(chǎn)KrF膠(28nm節(jié)點(diǎn))。
? EUV正性膠:JSR的NeXAR系列(7nm以下,全球市占率超70%)。
正性光刻膠是推動(dòng)半導(dǎo)體微縮的主要材料,其技術(shù)進(jìn)步直接關(guān)聯(lián)芯片制程的突破,未來將持續(xù)向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進(jìn)。
吉林LCD光刻膠國產(chǎn)廠商吉田半導(dǎo)體全流程解決方案,賦能客戶提升生產(chǎn)效率。
關(guān)鍵工藝流程
涂布:
? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調(diào)整),需均勻無氣泡(旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm)。
前烘(Soft Bake):
? 加熱(80-120℃)去除溶劑,固化膠膜,增強(qiáng)附著力(避免顯影時(shí)邊緣剝離)。
曝光:
? 光源匹配:
? G/I線膠:汞燈(適用于≥1μm線寬,如PCB、LCD)。
? DUV膠(248nm/193nm):KrF/ArF準(zhǔn)分子激光(用于28nm-14nm制程,如存儲(chǔ)芯片)。
? EUV膠(13.5nm):極紫外光源(用于7nm以下制程,需控制納米級缺陷)。
? 曝光能量:需精確控制(如ArF膠約50mJ/cm2),避免過曝或欠曝導(dǎo)致圖案失真。
顯影:
? 采用堿性溶液(如0.262N四甲基氫氧化銨,TMAH),曝光區(qū)域膠膜溶解,未曝光區(qū)域保留,形成三維立體圖案。
后烘(Post-Exposure Bake, PEB):
? 化學(xué)增幅型膠需此步驟,通過加熱(90-130℃)激發(fā)光酸催化反應(yīng),提高分辨率和耐蝕刻性。
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司的產(chǎn)品體系豐富且功能強(qiáng)大。
在光刻膠領(lǐng)域,芯片光刻膠為芯片制造中的精細(xì)光刻環(huán)節(jié)提供關(guān)鍵支持,確保芯片線路的精細(xì)刻畫;
納米壓印光刻膠適用于微納加工,助力制造超精細(xì)的微納結(jié)構(gòu);
LCD 光刻膠則滿足液晶顯示面板生產(chǎn)過程中的光刻需求,保障面板成像質(zhì)量。
在電子焊接方面,半導(dǎo)體錫膏與焊片性能,能實(shí)現(xiàn)可靠的電氣連接,廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備組裝。
靶材產(chǎn)品在材料濺射沉積工藝中發(fā)揮關(guān)鍵作用,通過精細(xì)控制材料沉積,為半導(dǎo)體器件制造提供高質(zhì)量的薄膜材料。憑借出色品質(zhì),遠(yuǎn)銷全球,深受眾多世界 500 強(qiáng)企業(yè)和電子加工企業(yè)青睞 。
負(fù)性光刻膠生產(chǎn)廠家。
產(chǎn)品優(yōu)勢:多元化布局與專業(yè)化延伸
全品類覆蓋
吉田產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體錫膏等,形成“光刻膠+配套材料”的完整產(chǎn)品線。例如:
? 芯片光刻膠:覆蓋i線、g線光刻膠,適用于6英寸、8英寸晶圓制造。
? 納米壓印光刻膠:用于MEMS、光學(xué)器件等領(lǐng)域,替代傳統(tǒng)光刻工藝。
專業(yè)化延伸
公司布局半導(dǎo)體用KrF光刻膠,計(jì)劃2025年啟動(dòng)研發(fā),目標(biāo)進(jìn)入中芯國際、長江存儲(chǔ)等晶圓廠供應(yīng)鏈。
質(zhì)量與生產(chǎn)優(yōu)勢:嚴(yán)格品控與自動(dòng)化生產(chǎn)
ISO認(rèn)證與全流程管控
公司通過ISO9001:2008質(zhì)量體系認(rèn)證,生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理,原材料采用美、德、日進(jìn)口高質(zhì)量材料,確保產(chǎn)品批次穩(wěn)定性。
質(zhì)量指標(biāo):光刻膠金屬離子含量低于0.1ppb,良率超99%。
自動(dòng)化生產(chǎn)能力
擁有行業(yè)前列的全自動(dòng)化生產(chǎn)線,年產(chǎn)能達(dá)2000噸(光刻膠及配套材料),支持大規(guī)模訂單交付。
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研發(fā)投入的“高門檻”
一款KrF光刻膠的研發(fā)費(fèi)用約2億元,而國際巨頭年研發(fā)投入超10億美元。國內(nèi)企業(yè)如彤程新材2024年半導(dǎo)體光刻膠業(yè)務(wù)營收只5.4億元,研發(fā)投入占比不足15%,難以支撐長期技術(shù)攻關(guān)。
2. 價(jià)格競爭的“雙重?cái)D壓”
國內(nèi)PCB光刻膠價(jià)格較國際低30%,但半導(dǎo)體光刻膠因性能差距,價(jià)格為進(jìn)口產(chǎn)品的70%,而成本卻高出20%。例如,國產(chǎn)ArF光刻膠售價(jià)約150萬元/噸,而日本同類產(chǎn)品為120萬元/噸,且性能更優(yōu)。
突破路徑與未來展望
原材料國產(chǎn)化攻堅(jiān):聚焦樹脂單體合成、光酸純化等關(guān)鍵環(huán)節(jié),推動(dòng)八億時(shí)空、怡達(dá)股份等企業(yè)實(shí)現(xiàn)百噸級量產(chǎn)。
技術(shù)路線創(chuàng)新:探索金屬氧化物基光刻膠、電子束光刻膠等新方向,華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)已實(shí)現(xiàn)5nm線寬原型驗(yàn)證。
產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新:借鑒“TSMC-供應(yīng)商”模式,推動(dòng)晶圓廠與光刻膠企業(yè)共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,縮短認(rèn)證周期。
政策與資本雙輪驅(qū)動(dòng):依托國家大基金三期,對通過驗(yàn)證的企業(yè)給予設(shè)備采購補(bǔ)貼(30%),并設(shè)立專項(xiàng)基金支持EUV光刻膠研發(fā)。
深圳阻焊油墨光刻膠生產(chǎn)廠家
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中,一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取,不斷制造創(chuàng)新的市場高度,多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),在廣東省等地區(qū)的電工電氣中始終保持良好的商業(yè)口碑,成績讓我們喜悅,但不會(huì)讓我們止步,殘酷的市場磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志,和諧溫馨的工作環(huán)境,富有營養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新,勇于進(jìn)取的無限潛力,吉田半導(dǎo)體供應(yīng)攜手大家一起走向共同輝煌的未來,回首過去,我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績而沾沾自喜,相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍,我們更要明確自己的不足,做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備,要不畏困難,激流勇進(jìn),以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家,共同走向輝煌回來!