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上海antipidPID預(yù)防及恢復(fù)PV Booster

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-05-10

在PID預(yù)防及恢復(fù)的實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)合中,晶體硅光伏組件的PID現(xiàn)象已經(jīng)被觀察到,基于其電池結(jié)構(gòu)和其他構(gòu)成組件的材料以及設(shè)計(jì)形式的不同,PID現(xiàn)象可能是在其電路與金屬接地邊框成正向電壓偏置的條件下發(fā)生,也可能是成反向偏置的條件下發(fā)生。光伏組件在實(shí)際的應(yīng)用條件下,早晨太陽(yáng)初升后的一段時(shí)間內(nèi),是PID效應(yīng)相對(duì)強(qiáng)烈的時(shí)段,其原因是晶體硅光伏組件在經(jīng)歷了一個(gè)不發(fā)電的夜晚以后,由于晝夜溫差,空氣中的水蒸氣會(huì)冷凝在其表面會(huì)有凝露現(xiàn)象發(fā)生(特別是夏、秋季節(jié)的露水),會(huì)造成光伏系統(tǒng)在早晨太陽(yáng)初升后的一段時(shí)間內(nèi),在其表面較為潮濕的情況下,承受前面提及的系統(tǒng)偏置電壓。在PID預(yù)防及恢復(fù)裝置中,開(kāi)關(guān)電源的輸出端負(fù)極接大地。上海antipidPID預(yù)防及恢復(fù)PV Booster

在PID預(yù)防及恢復(fù)中,PID效應(yīng)顧名思義就應(yīng)該和電壓有關(guān)。經(jīng)研究表明,導(dǎo)致組件PID的漏電流會(huì)隨著系統(tǒng)電壓的增加而增大,因而PID的風(fēng)險(xiǎn)也就越大。選取相同批次、相同材料的3塊組件(X、Y、Z),組件玻璃面無(wú)銅箔覆蓋,組件在60℃/85%RH環(huán)境中分別施加500V、1000V、1500V的偏壓1.5小時(shí)后測(cè)試組件功率,在500V和1000V負(fù)偏壓下未發(fā)生PID效應(yīng)的組件,其同款在1500V負(fù)偏壓下產(chǎn)生了PID效應(yīng)。如果進(jìn)一步分析每塊組件的漏電流可以發(fā)現(xiàn),1500V系統(tǒng)電壓下的漏電流較大,其次是1000V,再次是500V,從根本上來(lái)說(shuō),電池片發(fā)生PID是由于漏電流造成的電池片極化效應(yīng),漏電流越大,極化的影響也就越大。沒(méi)有銅箔覆蓋時(shí),漏電流從電池片到封裝膠膜,到玻璃表面,再通過(guò)玻璃表面到達(dá)鋁邊框,然后通過(guò)鋁邊框的接地孔流出。光伏組件PID預(yù)防及恢復(fù)可靠性在PID預(yù)防及恢復(fù)中,ANTIPID可將電壓加到PV-和大地之間。

為了做好PID預(yù)防及恢復(fù),就要清楚影響光伏電站輸出功率因素,包括太陽(yáng)輻射量,電池組件的傾斜角度,灰塵和陰影阻擋,組件的溫度特性等。因系統(tǒng)配置安裝不當(dāng)造成系統(tǒng)功率偏小。另外,在夏季要記得時(shí)常記得維護(hù)電站,給電站降降溫擦擦土。只有認(rèn)真的維護(hù),光伏電站才會(huì)經(jīng)久耐用,源源不斷的提供清潔的電流。組串功率優(yōu)化器(S-MPPT)產(chǎn)品是用于電池串較大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)的設(shè)備,可安裝在電池串與逆變器之間。一方面,可調(diào)整電池串電壓和電流,使電池串在較大功率點(diǎn)工作,另一方面,控制輸出端的電壓在同一水平,消除不同電池串電壓失配的影響,提升太陽(yáng)能電廠的發(fā)電量。

在PID預(yù)防及恢復(fù)中,電源部分中的一個(gè)模塊是400-1000V可調(diào)直流升壓電源電路,該部分的電壓輸出模式、時(shí)間、大小受控制單元控制,它為光伏組件提供400V-1000V直流偏壓。雖然目前國(guó)內(nèi)外的電池組件生產(chǎn)廠家、科研機(jī)構(gòu)、各大光伏實(shí)驗(yàn)室和測(cè)試機(jī)構(gòu)都沒(méi)與找出造成PID效應(yīng)的真正原因。但是,要想徹底解決PID效應(yīng),業(yè)內(nèi)公認(rèn)的研究方向是EVA、玻璃、背板材料、封裝材料的重新組合。光伏組件PID測(cè)試是指在高溫高濕環(huán)境下(85°C和85%RH)給組件內(nèi)部帶電體與邊框之間施加等于組件較大系統(tǒng)額定電壓(±1000V或±1500V)的電壓偏差,當(dāng)內(nèi)部光伏電路相對(duì)于地面為負(fù)偏壓時(shí),框架和電池之間的電壓可導(dǎo)致玻璃中的鈉離子向電池表面漂移,電池表面通常具有氮化硅(SiN)抗反射涂層,如果這個(gè)涂層上的縫隙足夠大,允許鈉離子進(jìn)入電池或電荷流向玻璃,形成的漏電流就會(huì)通過(guò)邊框或安裝支架流入大地,從而出現(xiàn)PID效應(yīng)。在PID預(yù)防及恢復(fù)中,PID測(cè)試有兩種加速老化的方式。

在PID預(yù)防及恢復(fù)中,漏電流對(duì)于PID效應(yīng)的驗(yàn)證,由于銅箔的存在,玻璃表面的絕緣性能被銅箔破壞,覆蓋到銅箔的玻璃區(qū)域,漏電流直接通過(guò)銅箔到達(dá)鋁邊框并流出,相當(dāng)于該區(qū)域的玻璃(或該區(qū)域玻璃下面的電池片)被短路了,漏電流因而較大增加,造成了電池片的PID效應(yīng)。不管是不是漏電流,所有電流的大小都與該回路的電壓、電阻有關(guān):電壓越大,漏電流越大;電阻越大,漏電流越小。因此,除了增加系統(tǒng)電壓(從500V到1000V再到1500V)會(huì)增加漏電流外,回路上的電阻也會(huì)影響漏電流的大小。影響回路電阻的因素包括封裝材料的體積電阻、玻璃的Na+離子含量、環(huán)境濕度、玻璃表面電阻、邊框密封膠的電阻、鋁邊框的體積電阻和表面電阻等。在PID預(yù)防及恢復(fù)中,隨著微逆變器的使用,系統(tǒng)電壓降低,產(chǎn)生的PID效應(yīng)也許可以忽略不計(jì)。質(zhì)衛(wèi)PID預(yù)防及恢復(fù)解決方案

從組件側(cè)考慮進(jìn)行PID預(yù)防及恢復(fù)處理,可以采用非Na、Ca玻璃提高玻璃的體電阻。上海antipidPID預(yù)防及恢復(fù)PV Booster

對(duì)于PID預(yù)防及恢復(fù),可以從三個(gè)方面進(jìn)行預(yù)防,分別是系統(tǒng)、組件和電池。可以采用串聯(lián)組件的負(fù)極接地或是在晚間對(duì)組件和大地之間施加正電壓。另一個(gè)可能的情況是,隨著微逆變器的使用,系統(tǒng)電壓降低,產(chǎn)生的PID效應(yīng)也許可以忽略不計(jì)。由于濕度是PID現(xiàn)象產(chǎn)生的因素之一,所以封裝的方式也非常關(guān)鍵。優(yōu)化EVA生產(chǎn)工藝、篩選原料和優(yōu)化原料的配比,可以提高EVA膠膜對(duì)組件抗PID的效果。電池本身毋庸置疑是比較重要的抵抗PID的關(guān)鍵因素,可以考慮改變發(fā)射極和SiN減反層,但兩個(gè)改進(jìn)都帶來(lái)發(fā)電效率的變化和額外設(shè)備的增加。上海antipidPID預(yù)防及恢復(fù)PV Booster

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