為了通過PID預防及恢復提高光伏電站發(fā)電量，可以對組件使用單晶硅。單晶硅的轉換率是17-24%，通常的多晶硅轉換率是12-14.8%，單晶硅比多晶硅的轉換率高5-10%，成本增加約10-20%，發(fā)電量可以提高約10-30%左右；地區(qū)光照條件，選取合適的場地；特別是安裝時要計算出正確合適的斜角度；如果空間充足，可以加裝太陽追蹤儀，成本增加10-20%，發(fā)電量也可以提高約10-30%左右；及時清理電池板上面的灰塵污圬等。盡可能增加光伏板安裝面積，提高裝機容量。其次就是，朝向排布面向太陽光多照射朝向。當PID效應產(chǎn)生要及時處理，否則直接影響收益。PID預防及恢復中的PID就是潛在電勢誘導衰減。湖北分布式電站PID預防及恢復性價比

在PID預防及恢復中，面積灰對光伏組件性能也有一定的影響，積累灰塵的時間越長造成的透光率衰減越大，在350～2750nm光譜范圍上衰減明顯，水平面上積累30天灰塵時玻璃的透光率平均衰減21.8%，40天時平均衰減45.5%。光伏組件蓋板表面積累的灰塵越多，組件的功率損失越大，積灰量為5.65g/m2時，功率損失達到15.2%。然后安裝角度及調節(jié)方式對光伏組件采光效率也會有一定的影響。為了全方面評估光伏組件在不同條件下的發(fā)電量，IEC(國際電工委員會)提出了新的評估發(fā)電量的標準——IEC61853，標準提出了在不同溫度、輻照度、入射角變化、光譜分布、對光伏組件性能進行測試，實際數(shù)據(jù)的測量，光伏組件在不同為的溫度、輻照度條件下，室內(nèi)太陽模擬器的實測結果，觀察不同條件對光伏組件產(chǎn)生的影響。以及不同角度下，光伏組件的光譜響應度的變化趨勢。電池片PID預防及恢復ANTIPID04在PID預防及恢復裝置中，電源鉗位單元用于在逆變器處于關機狀態(tài)時，控制逆變器中的電容承受正壓。

PID恢復及預防組件包括PID恢復系統(tǒng)、若干太陽能電池串和與太陽能電池串相對應的逆變器，太陽能電池串與逆變器連接，PID恢復系統(tǒng)包括直流電源、輸出電壓跳轉裝置、電壓檢測裝置、通訊裝置、多通道間的隔離斷路裝置和多通道間的隔離二極管裝置，直流電源的正極輸出端連接輸出電壓跳轉裝置的輸入端，直流電源的負極輸出端接地，輸出電壓跳轉裝置的輸出端有兩個，分別為一輸出端和第二輸出端，輸出電壓跳轉裝置的一輸出端連接電壓檢測裝置之后連接到其中一個逆變器的正極，輸出電壓跳轉裝置的第二輸出端依次連接多通道間的隔離斷路裝置和多通道間的隔離二極管裝置后分別連接到每一個逆變器的負極上，電壓檢測裝置和通訊裝置均連接直流電源。

在PID預防及恢復中，PID效應的表現(xiàn)形式是漏電流將使電池片的載流子及耗盡層狀態(tài)發(fā)生變化、電路中的接觸電阻和封裝材料受到電化學腐蝕，出現(xiàn)電池片功率衰減、串聯(lián)電阻增大、透光率降低、脫層等現(xiàn)象影響組件發(fā)電量及壽命。PID效應對光伏組件的輸出功率影響巨大，因此，PID測試已成為光伏組件檢測項目中必不可少的項目之一。其標準IEC62804是由光伏組件性能測試標準IEC61215和光伏組件安全測試標準IEC61730結合而成，能夠很好的預判光伏組件在使用過程中是否會發(fā)生PID效應。光伏組件的PID效應到目前為止仍然存在，但隨著光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，對PID效應機理和PID效應的對組件性能影響的探索已逐步深入，相信在不久的將來PID效應將會得到徹底解決。在PID預防及恢復裝置中，控制單元的輸入端與光伏發(fā)電系統(tǒng)中逆變器的通訊端相連。

PID預防及恢復措施，主要是對組件進行功率、濕漏電測試并EL成像。老化結束后，再次進行功率、濕漏電測試并EL成像。將測試前后的結果進行比較，從而得出PID在設定條件下的發(fā)生情況。比較多的用于實驗機構，而后一種方式比較多的被光伏組件廠采用。當PID現(xiàn)象發(fā)生時，從EL成像可以看到部分電池片發(fā)黑。判定依據(jù)于較大功率與初始值比，衰減不超過5%；沒有目測不合格現(xiàn)象；濕漏電流測試；試驗結束后組件功能完整。PID的真正原因到目前為止沒有明確的定論，但比較容易在潮濕的環(huán)境下發(fā)生，并且活躍程度與潮濕程度相關；同時組件表面被導電性、酸性、堿性以及帶有離子的物體的污染程度，也與PID現(xiàn)象的發(fā)生有關。據(jù)推測，來自于鈉鈣玻璃的金屬離子是形成上述具有PID效應的漏電流的主要載流介質。在PID預防及恢復中，傳感器負責檢測負極接地電路中的異常電流。西藏太陽能板PID預防及恢復

PID預防及恢復在光伏組件系統(tǒng)中很常見。湖北分布式電站PID預防及恢復性價比

在PID預防及恢復中，漏電流對于PID效應的驗證，由于銅箔的存在，玻璃表面的絕緣性能被銅箔破壞，覆蓋到銅箔的玻璃區(qū)域，漏電流直接通過銅箔到達鋁邊框并流出，相當于該區(qū)域的玻璃（或該區(qū)域玻璃下面的電池片）被短路了，漏電流因而較大增加，造成了電池片的PID效應。不管是不是漏電流，所有電流的大小都與該回路的電壓、電阻有關：電壓越大，漏電流越大；電阻越大，漏電流越小。因此，除了增加系統(tǒng)電壓（從500V到1000V再到1500V）會增加漏電流外，回路上的電阻也會影響漏電流的大小。影響回路電阻的因素包括封裝材料的體積電阻、玻璃的Na+離子含量、環(huán)境濕度、玻璃表面電阻、邊框密封膠的電阻、鋁邊框的體積電阻和表面電阻等。湖北分布式電站PID預防及恢復性價比

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