場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí)，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場(chǎng)作用而使管子損壞。（2）焊接時(shí)，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對(duì)于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接。（3）用25W電烙鐵焊接時(shí)應(yīng)迅速，若用45～75W電烙鐵焊接，應(yīng)用鑷子夾住管腳根部以幫助散熱。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管可用表電阻檔定性地檢查管子的質(zhì)量（檢查各PN結(jié)的正反向電阻及漏源之間的電阻值），而絕緣柵場(chǎng)效管不能用萬(wàn)用表檢查，必須用測(cè)試儀，而且要在接入測(cè)試儀后才能去掉各電極短路線。取下時(shí)，則應(yīng)先短路再取下，關(guān)鍵在于避免柵極懸空?；緢?chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)包括輸入電阻高、輸入電容低。場(chǎng)效應(yīng)管制造

耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管在功率放大器中的優(yōu)勢(shì)：功率放大器的使命是高效放大信號(hào)功率，耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管在這方面具備獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。在無(wú)線通信基站的功率放大器中，信號(hào)強(qiáng)度變化范圍大，需要放大器在大信號(hào)輸入時(shí)仍能保持線性放大，以避免信號(hào)失真。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管能夠提供穩(wěn)定的偏置電流，確保放大器在不同信號(hào)強(qiáng)度下都能正常工作。相較于其他器件，它能有效減少信號(hào)失真，提高功率轉(zhuǎn)換效率，降低基站的能耗。同時(shí)，耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管良好的散熱性能保證了其在長(zhǎng)時(shí)間大功率工作時(shí)的穩(wěn)定性。無(wú)論是偏遠(yuǎn)山區(qū)的基站，還是城市密集區(qū)域的基站，都能保障覆蓋范圍內(nèi)通信質(zhì)量穩(wěn)定，為用戶提供流暢的通信服務(wù)，讓人們隨時(shí)隨地都能暢享清晰、穩(wěn)定的通話和高速的數(shù)據(jù)傳輸。場(chǎng)效應(yīng)管制造場(chǎng)效應(yīng)管的價(jià)格相對(duì)較低，適合大規(guī)模生產(chǎn)。

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個(gè)方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過(guò)絕緣層耐壓均會(huì)擊穿，故有兩個(gè)方向“±”。注③：漏級(jí)較大電流ID與體二極管流過(guò)的反向漏級(jí)較大電流IDR（或稱為IS）一般規(guī)格書中數(shù)值一致，均為流過(guò)N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體襯底形成的PN結(jié)的較大電流。注④：ID（pulse）需要看施加電流的脈沖寬度，脈寬不一致的不能沿用規(guī)格書數(shù)據(jù)。注⑤：雪崩電流IAP同樣需要關(guān)注脈沖寬度。

場(chǎng)效應(yīng)管由于它只靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)寫成FET。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。場(chǎng)效應(yīng)管在靜態(tài)工作時(shí)功耗較低，有利于節(jié)能降耗。

場(chǎng)效應(yīng)管（Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是電子技術(shù)中普遍使用的一種半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、噪聲低和低功耗等優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)管的用途：一、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。二、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。三、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。四、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)?？偨Y(jié)場(chǎng)效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識(shí)之后我們接下來(lái)就可以運(yùn)用它做一些電子開發(fā)了。場(chǎng)效應(yīng)管具有高頻響應(yīng)特性，適用于高頻、高速電路，如雷達(dá)、衛(wèi)星通信等。上海場(chǎng)效應(yīng)管廠家直銷

場(chǎng)效應(yīng)管的工作溫度范圍需要在規(guī)定的范圍內(nèi)，以確保正常工作。場(chǎng)效應(yīng)管制造

強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管是專門為應(yīng)對(duì)惡劣輻射環(huán)境而精心設(shè)計(jì)的。在航空航天領(lǐng)域，衛(wèi)星在浩瀚的太空中運(yùn)行，時(shí)刻受到宇宙射線的強(qiáng)烈輻射；在核工業(yè)環(huán)境里，電子設(shè)備也面臨著強(qiáng)度高的輻射威脅。普通場(chǎng)效應(yīng)管在這樣的輻射下，如同脆弱的花朵，極易受到損傷，導(dǎo)致性能急劇下降甚至完全失效。而強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管采用了特殊的材料與結(jié)構(gòu)，選用耐輻射性能優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，同時(shí)對(duì)柵極絕緣層進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，增強(qiáng)其抵御輻射的能力。以衛(wèi)星為例，星載電子設(shè)備中的強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管，如同堅(jiān)固的盾牌，能夠有效抵抗輻射粒子的猛烈轟擊，確保衛(wèi)星通信系統(tǒng)準(zhǔn)確無(wú)誤地傳輸數(shù)據(jù)，姿態(tài)控制等系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行，保障太空探索與衛(wèi)星應(yīng)用任務(wù)的順利進(jìn)行，為人類探索宇宙、開發(fā)太空資源提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)保障。場(chǎng)效應(yīng)管制造