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數(shù)字三極管數(shù)字三極管:Digital Transistor。是內(nèi)部已經(jīng)集成了電阻的三極管,屬于集成電路元件。俗稱帶阻三極管,也就是內(nèi)部自帶電阻,常用來做電子開關(guān),和同反相器功能相同。這樣做的好處是,集成度高,省掉了電阻的組裝,方便、減少用戶的使用成本。但是數(shù)字三極管配的電阻一般都是固定的,和普通三極管相比,使用靈活性要稍微差一些。電阻集成:一般集成一到兩個(gè)電阻。有的在基極上串聯(lián)一只電阻, 一般稱為R1; 有的在基極與發(fā)射極之間還并聯(lián)一只電阻R2 。電阻R1 與電阻R2 可按多種方式搭配,因此數(shù)字晶體管的品種很多。三級(jí)管硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。深圳普通三極管作用
三極管單純從“放大”的角度來看,我們希望 β 值越大越好。可是,三極管接成共發(fā)射極放大電路時(shí),從管子的集電極 c 到發(fā)射極 e 總會(huì)產(chǎn)生一有害的漏電流,稱為穿透電流 I ceo ,它的大小與 β 值近似成正比, β 值越大, I ceo 就越大。 I ceo 這種寄生電流不受 I b 控制,卻成為集電極電流 I c 的一部分, I c = βI b + I ceo 。值得注意的是, I ceo 跟溫度有密切的關(guān)系,溫度升高, I ceo 急劇變大,破壞了放大電路工作的穩(wěn)定性。所以,選擇三極管時(shí),并不是 β 越大越好,一般取硅管 β 為 40 ~ 150 ,鍺管取 40 ~ 80 。紹興NPN型三極管BJT、JFET、MOS管,半導(dǎo)體三極管里較基礎(chǔ)、較重要的三劍客。
三極管基本的作用是放大作用,它可以把微弱的電信號(hào)變成一定強(qiáng)度的信號(hào),當(dāng)然這種轉(zhuǎn)換仍然遵循能量守恒,它只是把電源的能量轉(zhuǎn)換成信號(hào)的能量罷了。三極管有一個(gè)重要參數(shù)就是電流放大系數(shù)β。當(dāng)三極管的基極上加一個(gè)微小的電流時(shí),在集電極上可以得到一個(gè)是注入電流β倍的電流,即集電極電流。集電極電流隨基極電流的變化而變化,并且基極電流很小的變化可以引起集電極電流很大的變化,這就是三極管的放大作用。 三極管還可以作電子開關(guān),配合其它元件還可以構(gòu)成振蕩器。 半導(dǎo)體三極管除了構(gòu)成放大器和作開關(guān)元件使用外,還能夠做成一些可單獨(dú)使用的兩端或三端器件。
三極管放大電路的原理:信號(hào)放大輸入信號(hào)Ui經(jīng)C1耦合到VT的基極,使VT的基極電流Ib隨Ui變化而變化,致使VT的發(fā)射極電流Ie隨之變化,并且變化量為(1+β)Ib。Ie在R2兩端產(chǎn)生隨之變化的壓降U2。U2經(jīng)C2耦合后得到交流輸出信號(hào)Uo。由于Uo與Ui的相位相同,所以該放大器也叫射極跟隨放大器,簡稱射極跟隨器。通過以上分析可知,共集電極放大器的輸入信號(hào)Ui是從放大器的基極、發(fā)射極之間輸入的,輸出信號(hào)Uo取自發(fā)射極。由于U2等于Ub?0.6V,所以該放大器有電流放大功能,而沒有電壓放大功能。三極管兩者除了電源極性不同外,其工作原理都是相同的。
三極管鍺管的穿透電流比較大,一般由幾十微安到幾百微安,硅管的穿透電流就比較小,一般只有零點(diǎn)幾微安到幾微安。 I ceo 雖然不大,卻與溫度有著密切的關(guān)系,它們遵循著所謂的“加倍規(guī)則”,這就是溫度每升高 10℃ , I ceo 約增大一倍。例如,某鍺管在常溫 20℃ 時(shí), I ceo 為 20μA ,在使用中管芯溫度上升到 50℃ , I ceo 就增大到 160μA 左右。測量 I ceo 的電路很簡單,三極管的基極開路,在集電極與發(fā)射極之間接入電源 V CC ( 6V ),串聯(lián)在電路中的電流表(可用萬用表中的 0.1mA 擋)所指示的電流值就是 I ceo 。兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū)。東莞高壓三極管參數(shù)
三極管有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式,但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管。深圳普通三極管作用
三極管的電子運(yùn)動(dòng)原理:發(fā)射結(jié)加正向電壓,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流IE發(fā)射結(jié)加正向電壓且發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度高,所以大量自由電子因擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)越過發(fā)射結(jié)到達(dá)基區(qū)。與此同時(shí),空穴也從基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散,但由于基區(qū)雜質(zhì)濃度低,所以空穴形成的電流非常小,近似分析時(shí)可忽略不計(jì)??梢姡瑪U(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成了發(fā)射極電流IE。由于基區(qū)很薄,雜質(zhì)濃度很低,集電結(jié)又加了反向電壓,所以擴(kuò)散到基區(qū)的電子中只有極少部分與空穴復(fù)合,其余部分均作為基區(qū)的非平衡少子到達(dá)集電結(jié)。又由于電源 VBE的作用,電子與空穴的復(fù)合運(yùn)動(dòng)將源源不斷地進(jìn)行,形成基極電流IB。深圳普通三極管作用
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