場效應(yīng)管注意事項:為了安全使用場效應(yīng)管，在線路的設(shè)計中不能超過管的耗散功率，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。各類型場效應(yīng)管在使用時，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi)，保存時比較好放在金屬盒內(nèi)，同時也要注意管的防潮。場效應(yīng)管場效應(yīng)管更好的熱穩(wěn)定性，抗輻射性和較低噪聲 。單級場效應(yīng)管型號

場效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。深圳氮化鎵場效應(yīng)管場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高。

場效應(yīng)晶體管的溝道是摻雜n型半導(dǎo)體或p型半導(dǎo)體的結(jié)果。在增強型場效應(yīng)晶體管中，漏極和源極可以摻雜與溝道相反的類型，或者摻雜與耗盡型場效應(yīng)晶體管類似的類型。場效應(yīng)晶體管也可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分。場效應(yīng)晶體管的類型包括:結(jié)型場效應(yīng)管(結(jié)型場效應(yīng)晶體管)使用反向偏置的pn結(jié)將柵極與主體電極分開MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)將絕緣體(通常SiO2)置于漏極和主體電極之間。MNOS 金屬-氮化物-氧化物-半導(dǎo)體晶體管將氮化物-氧化物層絕緣體置于柵極和主體電極之間。DGMOSFET ( 雙柵極MOSFET )，一種具有兩個絕緣柵極的場效應(yīng)晶體管。

場效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運行；在電路設(shè)計中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計一個集成電路的時候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz，0.2微米則是約30GHz。場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

C-MOS場效應(yīng)管（增強型MOS場效應(yīng)管）電路將一個增強型P溝道MOS場效應(yīng)管和一個增強型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時，P溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應(yīng)管和N溝道MOS場效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時，MOS場效應(yīng)管既被關(guān)斷。場效應(yīng)晶體管是一種三極管，包括源極、柵極和漏極。場效應(yīng)管型號

場效應(yīng)管它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）。單級場效應(yīng)管型號

場效應(yīng)管的應(yīng)用常用的場效應(yīng)晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 。CMOS (互補金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝技術(shù)是現(xiàn)代數(shù)字化集成電路的基礎(chǔ)。這種工藝技術(shù)采用一種增強模式設(shè)計，即p溝道MOSFET和n溝道MOSFET串聯(lián)連接，使得當(dāng)一個導(dǎo)通時，另一個閉合。在場效應(yīng)晶體管中，當(dāng)以線性模式工作時，電子可以沿任意方向流過溝道。漏極和源極的命名慣例有些隨意，因為器件通常(但不總是)從源極到漏極對稱構(gòu)建。這使得場效應(yīng)晶體管適合在路徑之間切換模擬信號(多路復(fù)用)。利用這個概念可用于構(gòu)建固態(tài)混合板。單級場效應(yīng)管型號

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