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MOS場效應(yīng)管命名

來源: 發(fā)布時間:2022-09-15

場效應(yīng)管的歷史:場效應(yīng)晶體管的點項由朱利葉斯·埃德加·利林費爾德于1926年以及奧斯卡·海爾于1934年分別提出。在此17年的權(quán)限期結(jié)束后不久,威廉姆·肖克利的團隊于1947年在貝爾實驗室觀察到晶體管效應(yīng)并闡釋了機理。隨后,在20世紀80年代,半導(dǎo)體器件(即結(jié)型場效應(yīng)晶體管)才逐漸發(fā)展起來。1950年,日本工程師西澤潤一和渡邊發(fā)明了點種結(jié)型場效應(yīng)管——靜電感應(yīng)晶體管 (SIT)。靜電感應(yīng)晶體管是一種短溝道結(jié)型場效應(yīng)管。1959年,由圣虎達溫·卡恩和馬丁·阿塔拉發(fā)明的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)在很大程度上取代了結(jié)型場效應(yīng)管,并對數(shù)字電子發(fā)展產(chǎn)生了深遠的影響。場效應(yīng)管它靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。MOS場效應(yīng)管命名

MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(較高可達1015Ω)。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底(基板)與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指:當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài),加上正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增強”了該區(qū)域的載流子,形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指,當VGS=0時即形成溝道,加上正確的VGS時,能使多數(shù)載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉(zhuǎn)向截止。廣東耗盡型場效應(yīng)管用途場效應(yīng)管高輸入阻抗容易驅(qū)動,輸入阻抗隨頻率的變化比較小 。

場效應(yīng)管場效晶體管(場效應(yīng)晶體管、場效應(yīng)管)是一種用電場效應(yīng)來控制電流的電子器件。場效應(yīng)晶體管是一種三極管,包括源極、柵極和漏極。場效應(yīng)晶體管通過向柵極施加電壓來控制電流,這反過來會改變漏極和源極之間的電導(dǎo)率。場效應(yīng)晶體管因其只需要一種載流子起作用,故又稱為單極型晶體管。場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的結(jié)構(gòu)和工作原理而制成的傳感器。即,場效應(yīng)晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子?,F(xiàn)已有許多不同類型的場效應(yīng)晶體管。場效應(yīng)晶體管通常在低頻時顯示非常高的輸入阻抗。

場效應(yīng)管的測試判定:柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小,說明均是正向電阻,該管屬于N溝道場效應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。  注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高,柵源間的極間電容又很小,測量時只要有少量的電荷,就可在極間電容上形成很高的電壓,容易將管子損壞。場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。

場效應(yīng)管使用時應(yīng)注意:(1)器件出廠時通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中,切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起,或用錫紙包裝。(2)取出的器件不能在塑料板上滑動,應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件。(3)焊接用的電烙鐵必須良好接地。(4)在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接,再MOS器件焊接完成后在分開。(5)器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。(6)電路板在裝機之前,要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子,再把電路板接上去。(7)場效應(yīng)晶體管的柵極在允許條件下,比較好接入保護二極管。在檢修電路時應(yīng)注意查證原有的保護二極管是否損壞。結(jié)型場效應(yīng)管(結(jié)型場效應(yīng)晶體管)使用反向偏置的pn結(jié)將柵極與主體電極分開。MOS場效應(yīng)管命名

場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。MOS場效應(yīng)管命名

電子元器件制造業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐產(chǎn)業(yè)。二十世紀九十年代起,通訊設(shè)備、消費類電子、計算機、互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、汽車電子、機頂盒等產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,同時伴隨著國際制造業(yè)向中國轉(zhuǎn)移,中國大陸電子元器件行業(yè)得到了快速發(fā)展。電子元器件行業(yè)是電子元件和小型的機器、儀器的組成部分,其本身常由若干零件構(gòu)成,可以在同類產(chǎn)品中通用;常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件、配件、材料及部件等。伴隨我國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴大,珠江三角洲、長江三角洲、環(huán)渤海灣地區(qū)、部分中西部地區(qū)四大電子信息產(chǎn)業(yè)基地初步形成。這些地區(qū)的電子信息企業(yè)集中,產(chǎn)業(yè)鏈較完整,具有相當?shù)囊?guī)模和配套能力。近期來,電子元器件行業(yè)頗受大家關(guān)注。正由于多方面對其極大的需求度,便很大程度上帶動了MOSFETs,場效應(yīng)管,開關(guān)二極管,三極管,三端穩(wěn)壓管 LDO,集成電路IC 整流器的熱度,從而導(dǎo)致MOSFETs,場效應(yīng)管,開關(guān)二極管,三極管,三端穩(wěn)壓管 LDO,集成電路IC 整流器的批發(fā)價格,MOSFETs,場效應(yīng)管,開關(guān)二極管,三極管,三端穩(wěn)壓管 LDO,集成電路IC 整流器采購報價提升,MOSFETs,場效應(yīng)管,開關(guān)二極管,三極管,三端穩(wěn)壓管 LDO,集成電路IC 整流器廠家供應(yīng)信息也相應(yīng)更新頻繁。MOS場效應(yīng)管命名

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