場效應管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET起到的作用相當于一個開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖工作，并可能在不恰當的時刻導通或關閉，導致系統產生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電 壓為零時，開關關閉，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經關閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。場效應管它靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。非絕緣型場效應管制造商

場效應管轉移特性曲線：柵極電壓對漏極電流的控制稱為轉移特性，反映兩者關系的曲線稱為轉移特性曲線。N溝結型場效應管的轉移特性曲線如圖。當柵極電壓取出不同的電壓時，漏極電流隨之變化。當柵極電壓=0時，ID值為場效應管飽和漏極電流IDSS；當漏極電流=0時，柵極電壓的值為結型場效應管夾斷UQ。輸出特性曲線：當 Ugs確定時，反映 ID與 Uds的關系曲線是輸出特征曲線，又稱漏極特性曲線。按圖示可劃分為三個區(qū)域：飽和區(qū)、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。當起放大作用時，應該在飽和區(qū)內工作。請注意，這里的“飽和區(qū)”對應普通三極管的“放放區(qū)”。非絕緣型場效應管制造商場效應管的失真多為偶次諧波失真，聽感好。

場效應晶體管的一個優(yōu)點是它的柵極到主電流電阻高（≥100 MΩ），從而使控制和流動彼此。因為基極電流噪聲將隨著整形時間而增加，場效應晶體管通常比雙極結型晶體管 (BJT)產生更少的噪聲，因此可應用于噪聲敏感電子器件，例如調諧器和用于甚高頻和衛(wèi)星接收機的低噪聲放大器。場效應晶體管對輻射相對免疫。它在零漏極電流下不顯示失調電壓，因此是一款出色的信號斬波器。場效應晶體管通常比雙極結型晶體管具有更好的熱穩(wěn)定性。因為場效應晶體管是由柵極電荷控制的，所以在某下狀態(tài)下一旦柵極閉合或打開，就不會像使用雙極結晶體管或者是非閉鎖的繼電器一樣有額外的功率損耗。這允許極低功率開關，這反過來又允許電路更小型化，因為與其他類型的開關相比，散熱需求減少了。

場效應管注意事項:為了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數的極限值。各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接入電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負偏壓，等等。MOS場效應管由于輸入阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應管放入塑料盒子內，保存時比較好放在金屬盒內，同時也要注意管的防潮。場效應管電子遷移在固體晶格中，有無規(guī)則運動。

與雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。（1）場效應管是電壓控制器件，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；（2）場效應管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；（5）場效應管的抗輻射能力強；（6）由于它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。DEPFET 是在完全耗盡的襯底中形成的場效應晶體管，同時充當傳感器、放大器和存儲器節(jié)點。珠海N型場效應管現貨

HIGFET (異質結構絕緣柵場效應晶體管)現在主要用于研究。非絕緣型場效應管制造商

場效應管無標示管的判別:首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極S和漏極D，余下兩個腳為點柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來，對調表筆再測量一次，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次，黑表筆所接的電極為漏極D；紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極，還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證，即放大能力大的黑表筆所接的是D極；紅表筆所接地是S極，兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極D、源極S的位置后，按D、S的對應位置裝人電路，一般G1、G2也會依次對準位置，這就確定了兩個柵極G1、G2的位置，從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。非絕緣型場效應管制造商

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