三極管放大電路的原理：信號放大輸入信號Ui經(jīng)C1耦合到VT的基極，使VT的基極電流Ib隨Ui變化而變化，致使VT的發(fā)射極電流Ie隨之變化，并且變化量為（1+β）Ib。Ie在R2兩端產(chǎn)生隨之變化的壓降U2。U2經(jīng)C2耦合后得到交流輸出信號Uo。由于Uo與Ui的相位相同，所以該放大器也叫射極跟隨放大器，簡稱射極跟隨器。通過以上分析可知，共集電極放大器的輸入信號Ui是從放大器的基極、發(fā)射極之間輸入的，輸出信號Uo取自發(fā)射極。由于U2等于Ub?0.6V，所以該放大器有電流放大功能，而沒有電壓放大功能。三極管按材質(zhì)分: 硅管、鍺管。上海電子三極管作用

雙極管共發(fā)射極接法的電壓-電流關(guān)系輸入特性曲線簡單地看，輸入特性曲線類似于發(fā)射結(jié)的伏安特性曲線，現(xiàn)討論iB和vBE之間的函數(shù)關(guān)系。因為有集電結(jié)電壓的影響，它與一個單獨的PN結(jié)的伏安特性曲線不同。 為了排除vCE的影響，在討論輸入特性曲線時，應(yīng)使vCE=const(常數(shù))。vCE的影響，可以用三極管的內(nèi)部的反饋作用解釋，即vCE對iB的影響。共發(fā)射極接法的輸入特性曲線見。其中vCE=0V的那一條相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向特性曲線。當(dāng)vCE≥1V時， vCB= vCE - vBE>0，集電結(jié)已進入反偏狀態(tài)，開始收集電子，且基區(qū)復(fù)合減少， IC / IB增大，特性曲線將向右稍微移動一些。但vCE再增加時，曲線右移很不明顯。曲線的右移是三極管內(nèi)部反饋所致，右移不明顯說明內(nèi)部反饋很小。嘉興三極管廠家三極管按結(jié)構(gòu)工藝分：合金管、平面管。

三極管的工作原理：是輸出信號范圍的要求，如果沒有加偏置，那么只有對那些增加的信號放大，而對減小的信號無效(因為沒有偏置時集電極電流為0，不能再減小了)。而加上偏置，事先讓集電極有一定的電流，當(dāng)輸入的基極電流變小時，集電極電流就可以減小;當(dāng)輸入的基極電流增大時，集電極電流就增大。這樣減小的信號和增大的信號都可以被放大了。因為發(fā)射區(qū)多子濃度高，使大量電子從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)，擴散運動形成發(fā)射極電流 ；因為基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合，復(fù)合運動形成基極電流 ；因為集電區(qū)面積大，在外電場作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)，漂移運動形成集電極電流 。

三極管鍺管的穿透電流比較大，一般由幾十微安到幾百微安，硅管的穿透電流就比較小，一般只有零點幾微安到幾微安。 I ceo 雖然不大，卻與溫度有著密切的關(guān)系，它們遵循著所謂的“加倍規(guī)則”，這就是溫度每升高 10℃ ， I ceo 約增大一倍。例如，某鍺管在常溫 20℃ 時， I ceo 為 20μA ，在使用中管芯溫度上升到 50℃ ， I ceo 就增大到 160μA 左右。測量 I ceo 的電路很簡單，三極管的基極開路，在集電極與發(fā)射極之間接入電源 V CC （ 6V ），串聯(lián)在電路中的電流表（可用萬用表中的 0.1mA 擋）所指示的電流值就是 I ceo 。三家管PNP型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是空穴。

選用三極管需要了解三極管的主要參數(shù)。若手中有一本晶體管特性手冊好。三極管的參數(shù)很多，其中必須了解的四個極限參數(shù)：ICM、BVCEO、PCM、fT、TON TOFF 等，可滿足95%以上的使用需要。ICM是集電極大允許電流。三極管工作時當(dāng)它的集電極電流超過一定數(shù)值時，它的電流放大系數(shù)β將下降。為此規(guī)定三極管的電流放大系數(shù)β變化不超過允許值時的集電極大電流稱為ICM。所以在使用中當(dāng)集電極電流IC超過ICM時不至于損壞三極管，但會使β值減小，影響電路的工作性能。三極管兩個PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。寧波直插三極管分類

三極管按工作頻率分：低頻管、高頻管、超頻管。上海電子三極管作用

發(fā)射結(jié)加正偏時，從發(fā)射區(qū)將有大量的電子向基區(qū)擴散，形成的電流為IEN。與PN結(jié)中的情況相同。從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的擴散運動，但其數(shù)量小，形成的電流為IEP。這是因為發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)的摻雜濃度。 進入基區(qū)的電子流因基區(qū)的空穴濃度低，被復(fù)合的機會較少。又因基區(qū)很薄，在集電結(jié)反偏電壓的作用下，電子在基區(qū)停留的時間很短，很快就運動到了集電結(jié)的邊上，進入集電結(jié)的結(jié)電場區(qū)域，被集電極所收集，形成集電極電流ICN。在基區(qū)被復(fù)合的電子形成的電流是 IBN。 另外，因集電結(jié)反偏，使集電結(jié)區(qū)的少子形成漂移電流ICBO。上海電子三極管作用

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