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場效應管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應管手冊標明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法:首先將萬用表置于R×10或R×100檔,測量源極S與漏極D之間的電阻,通常在幾十歐到幾千歐范圍(在手冊中可知,各種不同型號的管,其電阻值是各不相同的),如果測得阻值大于正常值,可能是由于內部接觸不良;如果測得阻值是無窮大,可能是內部斷極。然后把萬用表置于R×10k檔,再測柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,當測得其各項電阻值均為無窮大,則說明管是正常的;若測得上述各阻值太小或為通路,則說明管是壞的。要注意,若兩個柵極在管內斷極,可用元件代換法進行檢測。場效應管的抗輻射能力強。寧波非絕緣型場效應管生產
場效應管的主要參數(shù):① 開啟電壓VGS(th) (或VT)開啟電壓是MOS增強型管的參數(shù),柵源電壓小于開啟電壓的好不要值,場效應管不能導通。② 夾斷電壓VGS(off) (或VP)夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù),當VGS=VGS(off) 時,漏極電流為零。③ 飽和漏極電流IDSS耗盡型場效應三極管,當VGS=0時所對應的漏極電流。④ 輸入電阻RGS場效應三極管的柵源輸入電阻的典型值,對于結型場效應三極管,反偏時RGS約大于107Ω,對于絕緣柵場型效應三極管,RGS約是109~1015Ω。中山P溝耗盡型場效應管參數(shù)場效應管場效應管更好的熱穩(wěn)定性,抗輻射性和較低噪聲 。
場效應管的參數(shù):場效應管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但一般使用時關注以下主要參數(shù):1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,柵極電壓U GS=0時的漏源電流。 2、UP — 夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓?!?、UT — 開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中,使漏源間剛導通時的柵極電壓。4、gM — 跨導。是表示柵源電壓U GS — 對漏極電流I D的控制能力,即漏極電流I D變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gM 是衡量場效應管放大能力的重要參數(shù)。
場效應管MOSFET運用:MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于:首先驅動場效應管應用電路電路比較簡單。MOSFET需要的驅動電流比 BJT則小得多,而且通??梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅動電路驅動;其次MOSFET的開關速度比較迅速,能夠以較高的速度工作,因為沒有電荷存儲效應;另外MOSFET沒有二次擊穿失效機理,它在溫度越高時往往耐力越強,而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低,還可以在較寬的溫度范圍內提供較好的性 能。MOSFET已經得到了大量應用,在消費電子、工業(yè)產品、機電設備、智能手機以及其他便攜式數(shù)碼電子產品中隨處可見。場效應管布局走線合理,整機穩(wěn)定性高,信噪比佳,音樂細節(jié)有很好表現(xiàn) 。
用測電阻法判別無標志的場效應管:首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳,也就是源極S和漏極D,余下兩個腳為點柵極G1和柵極G2。把先用兩表筆測的源極S與漏極D之間的電阻值記下來,對調表筆再測量一次,把其測得電阻值記下來,兩次測得阻值較大的一次,黑表筆所接的電極為漏極D;紅表筆所接的為源極S。用這種方法判別出來的S、D極,還可以用估測其管的放大能力的方法進行驗證,即放大能力大的黑表筆所接的是D極;紅表筆所接地是8極,兩種方法檢測結果均應一樣。當確定了漏極D、源極S的位置后,按D、S的對應位置裝人電路,一般G1、G2也會依次對準位置,這就確定了兩個柵極G1、G2的位置,從而就確定了D、S、G1、G2管腳的順序。結型場效應管的分類:結型場效應管有兩種結構形式,它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。廣州P溝增強型場效應管特點
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。寧波非絕緣型場效應管生產
場效應管判定柵極:用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很大,說明均是反向電阻,該管屬于N溝道場效應管,黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高,柵源間的極間電容又很小,測量時只要有少量的電荷,就可在極間電容上形成很高的電壓,容易將管子損壞。寧波非絕緣型場效應管生產
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