再加上NAND閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)。內(nèi)部不存在專門的存儲(chǔ)控制器,一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修,可靠性較NOR閃存要差。NAND閃存被廣為應(yīng)用于移動(dòng)存儲(chǔ)、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動(dòng),NAND閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的超高速增長.NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NORflash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NANDflash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處,因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是用來存儲(chǔ)少量的代碼,這時(shí)NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP,eXecuteInPlace),這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高,在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度很大地影響了它的性能。輔助存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的長期存儲(chǔ)器，它通常由硬盤驅(qū)動(dòng)器或固態(tài)硬盤驅(qū)動(dòng)器組成。廣東折疊可編程存儲(chǔ)器開發(fā)技術(shù)

因此可以節(jié)省閃存所需的高擦除能耗,以及慢擦除周期引起的延遲(該屬性稱為原位編程)。與閃存相比,這些新技術(shù)的寫入過程能量要求非常低,減少或消除了對(duì)低效電荷泵的需求。所有這些新技術(shù)都提供隨機(jī)數(shù)據(jù)訪問,減少了保留兩個(gè)副本：一個(gè)在閃存,一個(gè)在DRAM的需求。不用說,無論何時(shí)使用任何新型的存儲(chǔ)器技術(shù)來取代當(dāng)今的傳統(tǒng)DRAM+NAND閃存架構(gòu),所有這些屬性都將帶來明顯的功率節(jié)省以及性能提升。新型存儲(chǔ)器類型包含下列幾種。大多數(shù)新型存儲(chǔ)器技術(shù)擁有下列屬性：所有這些都是非易失性或持久性的,對(duì)比于需要定期刷新、高耗電量需求的DRAM具有明顯的優(yōu)勢(shì)。它們都不需要閃存所需的高電荷泵擦除/寫入電壓。它們都沒有使用閃存(NAND和NOR)所需的笨拙的塊擦除/頁寫入方法,從而明顯降低了寫入耗電需求,同時(shí)提高了寫入速度。其中一些可以通過工藝來縮小尺寸進(jìn)而降低成本,超越了當(dāng)今根深蒂固的存儲(chǔ)器技術(shù)：DRAM和閃存。選擇器裝置：許多這些存儲(chǔ)器類型之間的一個(gè)重要差別是它們是如何被尋址的,這是通過位選擇器進(jìn)行的。有些選擇器元件是晶體管,這會(huì)限縮存儲(chǔ)器單元尺寸的微小程度。其他的使用二極管(Diode)或其他雙端選擇器元件,這能縮小存儲(chǔ)器單元的大小,并有助于將存儲(chǔ)器位堆疊成3D陣列。廣東掩膜只讀存儲(chǔ)器現(xiàn)貨庫存存儲(chǔ)器全系列，全新庫存，誠信經(jīng)營。

硬件工程師的工作內(nèi)容與單片機(jī)是怎樣的關(guān)系？硬件工程師就是電腦軟硬件設(shè)計(jì)、安裝、調(diào)試、解決故障的技術(shù)人員。硬件即計(jì)算機(jī)硬件簡稱，是對(duì)計(jì)算機(jī)中的電子、機(jī)械、光電元器件裝置的統(tǒng)稱。當(dāng)前對(duì)于硬件工程師的崗位要求，是需要掌握電路的基本分析方法，掌握相關(guān)電路設(shè)計(jì)工具、數(shù)模電路知識(shí)、微控制器（單片機(jī)）應(yīng)用等。上述前后兩種描述，是有一點(diǎn)差別的。因?yàn)榍罢咧粚儆谟?jì)算機(jī)，后者則已經(jīng)拓寬到電子電路。而電子電路包羅萬象，范圍要大得多。更因?yàn)楝F(xiàn)在電子線路中，已經(jīng)大量應(yīng)用了單片機(jī)，讓普通的電子設(shè)備都具備了自動(dòng)控制功能。單片機(jī)就像一部微型電腦，對(duì)電子設(shè)備和機(jī)械設(shè)備都可實(shí)現(xiàn)嵌入式應(yīng)用。因此單片機(jī)的應(yīng)用，已經(jīng)大為拓寬了硬件工程的概念。電子工程師需選擇合適的單片機(jī)，圍繞功能訴求去編程或置入現(xiàn)有的程序。而軟件可彌補(bǔ)硬件電路中的不足，并電路充分發(fā)揮其效能。存儲(chǔ)器國產(chǎn)單片機(jī)邏輯IC芯片技術(shù)支持詳情點(diǎn)入

小存儲(chǔ)單元尺寸、高性能、低功耗一直是存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)師持續(xù)追求的目標(biāo)。然而,14nm以下鰭式場效應(yīng)晶體管技術(shù)無法直接套用在既有的嵌入式存儲(chǔ)元件上。再者,為因應(yīng)未來人工智能(AI)及邊緣計(jì)算等高計(jì)算能力的需求,既有高容量存儲(chǔ)器,如DRAM、NAND閃存的高耗電及速度問題已無法跟上需求的腳步。因此,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于轉(zhuǎn)折點(diǎn)。微控制器(MCUs)和ASICs中的嵌入式存儲(chǔ)器,以及從手持移動(dòng)裝置到超級(jí)計(jì)算機(jī)等所有應(yīng)用的離散存儲(chǔ)器芯片都在考慮更換。這些替換將有助于系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員降低功耗,從而延長手持移動(dòng)裝置電池壽命或降低數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)冷卻要求,也能提高系統(tǒng)性能,符合未來這些高運(yùn)算能力系統(tǒng)的需求。在某些情況下,通過使用更先進(jìn)的工藝技術(shù)或系統(tǒng)設(shè)計(jì),替換傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器類型還能降低系統(tǒng)成本。盡管新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來,但在這競爭激烈的市場,只有極少數(shù)能夠成功。然而無論哪一個(gè)技術(shù)勝出,這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式NOR閃存和SRAM,或是離散的DRAM和NAND閃存的系統(tǒng)。嵌入式存儲(chǔ)器包含二個(gè)問題,即嵌入式存儲(chǔ)器的尺寸以及功耗。先進(jìn)的邏輯工藝已超越14nm,遷移到Fin-FET結(jié)構(gòu),過去十年或更長時(shí)間內(nèi)用作片上存儲(chǔ)的嵌入式NOR閃存，已失去跟上這些過程的能力。微芯全系列存儲(chǔ)器現(xiàn)貨。

    每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。Flash存儲(chǔ)器位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個(gè)比特位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。比特位反轉(zhuǎn)一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上,這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問題,多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然,如果這個(gè)位真的改變了,就必須采用錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存,NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時(shí)候,同時(shí)使用EDC/ECC算法。這個(gè)問題對(duì)于用NAND存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然,如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備來存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí),必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確保可靠性。Flash存儲(chǔ)器壞塊處理NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價(jià)太高,根本不劃算。NAND器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中,如果通過可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理,將導(dǎo)致高故障率。Flash存儲(chǔ)器易于使用可以非常直接地使用基于NOR的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。由于需要I/O接口,NAND要復(fù)雜得多。千百路電子存儲(chǔ)器芯片經(jīng)營，多品牌原裝芯片，提供多種解決方案，優(yōu)化工業(yè)生產(chǎn)。浙江高速緩沖存儲(chǔ)器哪家便宜

國產(chǎn)存儲(chǔ)器品類和質(zhì)量都在不斷提高，越來越多的電子產(chǎn)品選型國產(chǎn)存儲(chǔ)器。廣東折疊可編程存儲(chǔ)器開發(fā)技術(shù)

怎樣對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行分類：一、按存儲(chǔ)介質(zhì)分：1、磁表面存儲(chǔ)器：用磁性材料制作而成的存儲(chǔ)器。2、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：即是用半導(dǎo)體元器件組成的存儲(chǔ)器。二、按存儲(chǔ)方式分：1、順序存儲(chǔ)器：只能按某種順序來存取，存取時(shí)間與存儲(chǔ)單元的物理位置有關(guān)。2、隨機(jī)存儲(chǔ)器：任何存儲(chǔ)單元的內(nèi)容，都可被隨機(jī)存取，且存取時(shí)間與存儲(chǔ)單元的物理位置無關(guān)。三、按存儲(chǔ)器的讀寫功能分：1、隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器(RAM)：既能讀出又能寫入，屬半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。2、只讀存儲(chǔ)器(ROM)：存儲(chǔ)內(nèi)容固定不變，只能讀出而不能寫入，屬半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。原裝系列存儲(chǔ)器現(xiàn)貨廣東折疊可編程存儲(chǔ)器開發(fā)技術(shù)