可以很容易地存取其內部的每一個字節(jié)。NAND器件使用復雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù),各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊,這一點有點像硬盤管理此類操作,很自然地,基于NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設備。Flash存儲器容量和成本NANDflash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產過程更為簡單,NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量,也就相應地降低了價格。NORflash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分,而NANDflash只是用在8MB～128GB的產品當中,這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中,NAND適合于數(shù)據(jù)存儲,NAND在CompactFlash、SecureDigital、PCCards和MMC存儲卡市場上所占份額大。Flash存儲器可靠性采用flash介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對于需要擴展MTBF的系統(tǒng)來說,Flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。Flash存儲器耐用性在NAND閃存中每個塊的極限擦寫次數(shù)是一百萬次,而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢,典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍。動態(tài)存儲器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線，而地址引腳只有8條。浙江存儲器全系列

    每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數(shù)要少一些。Flash存儲器位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個比特位會發(fā)生反轉或被報告反轉了。比特位反轉一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個關鍵文件上,這個小小的故障可能導致系統(tǒng)停機。如果只是報告有問題,多讀幾次就可能解決了。當然,如果這個位真的改變了,就必須采用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉的問題更多見于NAND閃存,NAND的供應商建議使用NAND閃存的時候,同時使用EDC/ECC算法。這個問題對于用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然,如果用本地存儲設備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時,必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確?？煽啃?。Flash存儲器壞塊處理NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價太高,根本不劃算。NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標記為不可用。在已制成的器件中,如果通過可靠的方法不能進行這項處理,將導致高故障率。Flash存儲器易于使用可以非常直接地使用基于NOR的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。由于需要I/O接口,NAND要復雜得多。佛山動態(tài)存儲器專賣存儲器芯片，深圳進口芯片代理，電子元器件配套服務。

動態(tài)隨機存儲器（DynamicRAM），“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因為DRAM的基本單元是一個晶體管加一個電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導致讀取信息出錯，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡單的存儲模式也使得DRAM的集成度遠高于SRAM，一個DRAM存儲單元只需一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價格方面均比SRAM有優(yōu)勢。SRAM多用于對性能要求極高的地方（如CPU的一級二級緩沖），而DRAM則主要用于計算機的內存條等領域。中國聯(lián)保網記憶元件的兩種穩(wěn)定狀態(tài)分別表示為“0”和“1”。日常使用的十進制數(shù)必須轉換成等值的二進制數(shù)才能存入存儲器中。計算機中處理的各種字符，例如英文字母、運算符號等，也要轉換成二進制代碼才能存儲和操作。

之前部分研究者采用將NOR閃存作為主存，可以解決計算機掉電數(shù)據(jù)丟失問題，但是閃存有擦寫次數(shù)有限，隨機寫性能較差，寫延遲較大等的缺點，而采用相變存儲器或者基于相變存儲器的異構主存方法可以更好地解決上述問題；②相變存儲器的隨機讀寫性能能夠有效地解決大規(guī)模科學計算中小粒度隨機I/O對磁盤訪問所造成的I/O瓶頸，用相變存儲器代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硬盤具有很大的優(yōu)勢；③閃存和相變存儲器都是新型非易失性存儲器，沒有機械裝置并且可隨機讀寫，但是和相變存儲器相比，閃存的讀寫性能略顯不足，特別是寫入前需要整塊擦除的缺陷，導致閃存只能通過一系列更加復雜的技術化才能替代存儲系統(tǒng)的部分功能。存儲器有哪些分類呢？

ATMEL的非易失性存儲技術：作為非易失性存儲器技術元老,ATMEL將把非易失性這個重要技術集成到為計算和消費產品服務的復雜產品之中,例如PC,存儲產品,DVD,娛樂平臺,游戲產品和玩具等。除了與不斷涌現(xiàn)的電子設備制造商建立合作關系外,ATMEL的高密度存儲器產品、微控制器和ASIC同樣可以應用到工控、圖像處理和汽車設備上。ATMEL公司是是世界上高級半導體產品設計、制造和行銷的先導者,產品包括了微處理器、可編程邏輯器件、非易失性存儲器、安全芯片、混合信號及RF射頻集成電路。通過這些重要技術的組合,ATMEL生產出了各種通用目的及特定應用的系統(tǒng)級芯片,以滿足當今電子工程師不斷增長和演進的需求。缺芯雖有負面影響，但也為國產芯片得發(fā)展提供了更多的機會，國產替換呼聲日高。中山雙端口存儲器國產替代

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選擇器類型影響這些存儲器的成本,并且可能是生產這些元件的困難度的原因之一。雙端選擇器單元可以獲得理想的4f2單元面積,4f2存儲單元單元面積是目前所有存儲器可以制造的微小單元面積?；诰w管的存儲單元通常為8f2,但在某些情況下,可縮小至6f2。使用雙端選擇器的存儲單元具有另一個優(yōu)點,也就是它們可以堆疊以進一步降低成本。而到目前為止,還沒有公司試圖堆疊使用晶體管選擇器的存儲單元。雙端選擇器有兩種類型：簡單二極管和雙向選擇器。在這兩者中,二極管更容易設計。相變存儲器稱之為PRAM,已經研究了幾十年,Intel聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore早在1970年就發(fā)表了一篇描述早期原型的論文。相變存儲器通過熱能的轉變,讓相變材料在低電阻結晶(導電)狀態(tài)與高電阻非結晶(非導電)狀態(tài)間轉換。也因為這理由,相變存儲器也被歸類在阻變存儲器(RRAM)分類內。鐵電存儲器在1987年左右就已推出,但直到20世紀90年代中期才開始商業(yè)化。雖然叫做鐵電存儲器,FRAM并非使用鐵電材料。該名稱源于這樣的事實,即位存儲機制的行為類似于鐵磁存儲的行為,也就是滯后,滯后是磁記錄的基礎。FRAM的電壓-電流關系具有可用于存儲位的特征滯后回路。正電流將在移位時使位單元處于具有正偏置的狀態(tài)。浙江存儲器全系列