NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度。并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。Flash存儲(chǔ)器性能比較flash閃存是非易失存儲(chǔ)器,可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。任何flash器件的寫(xiě)入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行,所以大多數(shù)情況下,在進(jìn)行寫(xiě)入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的,而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫(xiě)為0。由于擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行一個(gè)寫(xiě)入/擦除操作的時(shí)間為5ms,與此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行相同的操作至多只需要4ms。執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距,統(tǒng)計(jì)表明,對(duì)于給定的一套寫(xiě)入操作(尤其是更新小文件時(shí)),更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣,當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí),設(shè)計(jì)師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素。●NOR的讀速度比NAND稍快一些?！馧AND的寫(xiě)入速度比NOR快很多?！馧AND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5ms快?！翊蠖鄶?shù)寫(xiě)入操作需要先進(jìn)行擦除操作?！馧AND的擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。Flash存儲(chǔ)器接口差別NORflash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來(lái)尋址。AI的應(yīng)用，會(huì)喚醒存儲(chǔ)技術(shù)的更多的進(jìn)步，也需要增加更多的品類，以適應(yīng)人工智能市場(chǎng)的增長(zhǎng)。江蘇可擦可編程存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)品牌推薦

    但是寫(xiě)操作仍要保留一個(gè)"預(yù)充"時(shí)間,所以總的時(shí)間與讀操作相同。FRAM的寫(xiě)操作與其它非易失性存儲(chǔ)器的寫(xiě)操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個(gè)"預(yù)充電"過(guò)程,來(lái)恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時(shí)間后FRAM一個(gè)完整的讀操作周期為130ns,這是與SRAM和E2PROM不同的地方。Ramtron公司的FRAM主要包括兩大類：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C兩線方式的FM24系列和SPI三線方式的FM25系列。串行FRAM與傳統(tǒng)的24、25型的E2PROM引腳及時(shí)序兼容,可以直接替換,如Microchip、Xicor公司的同型號(hào)產(chǎn)品,但各項(xiàng)性能要好得多,性能比較如表1所示。并行FRAM價(jià)格較高但速度快,由于存在"預(yù)充"問(wèn)題,在時(shí)序上有所不同不能和傳統(tǒng)的SRAM直接替換。FRAM產(chǎn)品具有RAM和ROM優(yōu)點(diǎn),讀寫(xiě)速度快并可以像非易失性存儲(chǔ)器一樣使用。因鐵電晶體的固有缺點(diǎn),訪問(wèn)次數(shù)是有限的,超出了限度,FRAM就不再具有非易失性。Ramtron給出的很大訪問(wèn)次數(shù)是100萬(wàn)次,比f(wàn)lash壽命長(zhǎng)10倍,但是并不是說(shuō)在超過(guò)這個(gè)次數(shù)之后,FRAM就會(huì)報(bào)廢,而是它只只沒(méi)有了非易失性,但它仍可像普通RAM一樣使用。FRAM與E2PROM：FRAM可以作為E2PROM的第二種選擇,它除了E2PROM的性能外,訪問(wèn)速度要快得多。江門半導(dǎo)體存儲(chǔ)器儲(chǔ)器是許多存儲(chǔ)單元的總和，按單元號(hào)順序排列。

這個(gè)問(wèn)題被稱為閃存的”縮放限制”，無(wú)論芯片上其余的CMOS能夠縮小多少,閃存都無(wú)法跟上步伐。必須要有新的嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)能搭配這些先進(jìn)工藝制造的ASIC和MCU。嵌入式NOR閃存并不是獨(dú)一受到工藝演進(jìn)影響的。嵌入式SRAM也面臨著相似的問(wèn)題。隨著工藝縮小到幾十納米或更小,SRAM存儲(chǔ)單元(MemoryCell)的大小無(wú)法跟上。與NOR閃存不同,SRAM的問(wèn)題在于其存儲(chǔ)單元的尺寸不會(huì)與工藝成比例地縮小。當(dāng)工藝縮小50％時(shí),它可能只縮小25％。這限縮了嵌入式NOR和嵌入式SRAM的發(fā)展,我們需要新存儲(chǔ)單元技術(shù)能繼續(xù)與流程成比例地縮小。幸運(yùn)的是這些技術(shù)已經(jīng)存在,并且已經(jīng)開(kāi)發(fā)很多年了。另一個(gè)問(wèn)題為轉(zhuǎn)向新的存儲(chǔ)器技術(shù)提供了強(qiáng)有力的論據(jù),那就是存儲(chǔ)器消耗太多電力。物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和移動(dòng)裝置使用電池電力運(yùn)行,其存儲(chǔ)器必須謹(jǐn)慎選擇,因?yàn)樗鼈兿拇蟛糠值碾姵仉娏?降低電池使用時(shí)間,而新的嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)可以降低功耗,因應(yīng)這方面的需求。下一代移動(dòng)架構(gòu)將為人工智能及邊緣計(jì)算導(dǎo)入更高的計(jì)算能力需求,同時(shí)要求更低的功耗以滿足消費(fèi)者的期望以及在嚴(yán)峻的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中獲勝。當(dāng)然這些必須以低成本實(shí)現(xiàn),而這就是現(xiàn)有存儲(chǔ)器技術(shù)的挑戰(zhàn)。

SRAM的特點(diǎn)---SRAM是英文StaticRAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，缺點(diǎn)是集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。基本特點(diǎn)特點(diǎn)歸納：◎優(yōu)點(diǎn)，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率?！蛉秉c(diǎn)，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價(jià)格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率?！騍RAM使用的系統(tǒng)：○CPU與主存之間的高速緩存?！餋PU內(nèi)部的L1/L2或外部的L2高速緩存?！餋PU外部擴(kuò)充用的COAST高速緩存?！餋MOS146818芯片(RT&CMOSSRAM)。輔助存儲(chǔ)器的訪問(wèn)速度相對(duì)較慢，但它具有非常重要的作用。

ATMEL對(duì)質(zhì)量有哪些承諾？ATMEL在全球擁有40個(gè)設(shè)計(jì)中心,分別專注于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、工程支持以及深度應(yīng)用開(kāi)發(fā)。為了開(kāi)發(fā)復(fù)雜的SoC產(chǎn)品,ATMEL設(shè)立了先進(jìn)的基于平臺(tái)的設(shè)計(jì)流程,在投片之前大量使用仿真平臺(tái)進(jìn)行軟硬件驗(yàn)證。這種方法大幅度減少了設(shè)計(jì)周期并消除了很多錯(cuò)誤。為了支持高附加值的產(chǎn)品,ATMEL建立了一個(gè)豐富的IP庫(kù)。庫(kù)里包括RISC微控制器和外設(shè),DSP核,嵌入式存儲(chǔ)器,工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的接口,高精度、高速度的模擬轉(zhuǎn)換器,RF電路和電源管理宏單元。ATMEL在各個(gè)層次都對(duì)質(zhì)量有明確的承諾。所有的ATMEL地點(diǎn)都經(jīng)過(guò)ISO9001認(rèn)證,大多數(shù)經(jīng)過(guò)QS9000認(rèn)證,有一些還通過(guò)了ISO14001認(rèn)證。所有ATMEL的運(yùn)做都受公司內(nèi)部詳細(xì)的質(zhì)量規(guī)范所控制,并定期進(jìn)行回顧和更新。其目的就是進(jìn)行持續(xù)不斷的改進(jìn),提高客戶的總體滿意度。ATMEL的質(zhì)量小組與客戶合作進(jìn)行質(zhì)量審計(jì),以保證ATMEL符合客戶的質(zhì)量要求。從客戶項(xiàng)目獲得的經(jīng)驗(yàn)將反饋到下一次產(chǎn)品的生產(chǎn)。ATMEL保持產(chǎn)品和技術(shù)更新的方法,是已經(jīng)在實(shí)行的研發(fā)合作。研發(fā)項(xiàng)目與主要客戶、大學(xué)合作進(jìn)行,從而獲得更進(jìn)一步的功能模塊,以及工藝技術(shù)的改進(jìn)。microchip存儲(chǔ)器芯片全系列。東莞掩膜只讀存儲(chǔ)器方案支持

外存儲(chǔ)器要求計(jì)算機(jī)從一個(gè)外貯藏裝置例如磁帶或磁盤(pán)中讀取信息。江蘇可擦可編程存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)品牌推薦

    所有的ATMEL地點(diǎn)都經(jīng)過(guò)ISO9001認(rèn)證,大多數(shù)經(jīng)過(guò)QS9000認(rèn)證,有一些還通過(guò)了旨在保護(hù)環(huán)境的ISO14001認(rèn)證。所有ATMEL的運(yùn)作都受公司內(nèi)部詳細(xì)的質(zhì)量規(guī)范所控制,并定期進(jìn)行回顧和更新。其目的就是進(jìn)行持續(xù)不斷的改進(jìn),提高客戶的總體滿意度。ATMDL的質(zhì)量體系二：ATMEL的質(zhì)量小組與客戶合作進(jìn)行質(zhì)量審計(jì),以保證ATMEL符合客戶的質(zhì)量要求。從客戶項(xiàng)目獲得的經(jīng)驗(yàn)將反饋到下一次產(chǎn)品的生產(chǎn)。ATMEL保持產(chǎn)品和技術(shù)更新的方法是已經(jīng)在實(shí)行的研究和開(kāi)發(fā)的合作。研發(fā)項(xiàng)目與主要客戶和大學(xué)合作進(jìn)行,從而獲得先進(jìn)的功能模塊,以及工藝技術(shù)的改進(jìn)。存儲(chǔ)器的工作原理：對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入操作時(shí),行地址首先將RAS鎖存于芯片中,然后列地址將CAS鎖存于芯片中,WE有效,寫(xiě)入數(shù)據(jù),則寫(xiě)入的數(shù)據(jù)被存儲(chǔ)于指定的單元中。對(duì)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀出操作時(shí),CPU首先輸出RAS鎖存信號(hào),獲得數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的行地址,然后輸出CAS鎖存信號(hào),獲得數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的列地址,保持WE=1,便可將已知行列地址的存儲(chǔ)單元中數(shù)據(jù)讀取出來(lái)。作為非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的創(chuàng)建之父,ATMEL將繼續(xù)把這個(gè)重要能力集成到為計(jì)算和消費(fèi)產(chǎn)品(比如PC,存儲(chǔ)產(chǎn)品,DVD,娛樂(lè)平臺(tái),游戲和玩具)服務(wù)的復(fù)雜產(chǎn)品之中。江蘇可擦可編程存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)品牌推薦